전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S42C083331GP | 0.0813 | ![]() | 9448 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083331GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 330 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | 741C083510J | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | 741C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 51 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | 766161271GP | 1.2910 | ![]() | 2334 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 270 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | |||
752083472GTR7 | - | ![]() | 8956 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 8-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 4.7k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 160MW | ||||
![]() | 770101822P | 0.6762 | ![]() | 1110 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-101-R8.2KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 8.2k | 버스 | 9 | - | - | 10 | 100MW | ||
![]() | RT134B7tr13 | - | ![]() | 3387 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.315 "LX 0.118"W (8.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 24-lbga | ± 200ppm/° C | 24-BGA (8x3) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75, 150 | 이중 이중 | 16 | - | - | 24 | 50MW | ||||
![]() | S41X043124JP | 0.0198 | ![]() | 2777 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043124JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 120K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 766161510G | - | ![]() | 1408 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 51 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | |||
![]() | 768141220GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 7363 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 22 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
![]() | S41X043120FP | 0.0283 | ![]() | 5312 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043120FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 12 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 752161473JPTR7 | - | ![]() | 2793 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 60-752161473JPtr7tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | 768161561G | - | ![]() | 9539 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 768-161-R560 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 560 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | ||
![]() | 744C083203GP | - | ![]() | 6048 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 | 744C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 20k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
![]() | RT2416B7 | - | ![]() | 8266 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 대부분 | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | PCI, PCIX | 0.315 "LX 0.118"W (8.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 24-lbga | ± 200ppm/° C | 24-BGA (8x3) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1 | 8.2k | 이중 이중 | 8 | - | - | 24 | 50MW | ||||
![]() | S42C163432JP | 0.1518 | ![]() | 8154 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163432JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 4.3k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
![]() | 767161103G | - | ![]() | 7362 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 10k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
![]() | 741C08351R0FP | 0.0667 | ![]() | 4628 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | 741C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 51 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | RT234B7tr13 | - | ![]() | 5049 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | 768143124GP | 1.2132 | ![]() | 7588 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 120K | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 200MW | |||
![]() | 743C083150JP | - | ![]() | 3597 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 743 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 743C083150JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 15 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||
![]() | S41C083122FP | 0.0653 | ![]() | 5378 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083122FPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1.2k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||
![]() | 766141181G | - | ![]() | 1253 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 56 | 180 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 80MW | |||
![]() | 770101153P | 0.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-101-R15KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 15k | 버스 | 9 | - | - | 10 | 100MW | ||
![]() | S41C083112JP | 0.0481 | ![]() | 5535 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083112JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1.1k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||
![]() | RT1474B7 | - | ![]() | 8981 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | 767161123GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 4489 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 12k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
![]() | 766163561GPTR7 | 1.2910 | ![]() | 6047 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 560 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||
![]() | 77081681p | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-81-R680p | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 680 | 버스 | 7 | - | - | 8 | 100MW | ||
![]() | S41X083130FP | 0.0311 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083130FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 13 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
![]() | S42X083361FP | 0.0560 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083361FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 360 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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재고 창고