SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
768143124GP CTS Resistor Products 768143124GP 1.2132
RFQ
ECAD 7588 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 120K 외딴 7 - - 14 200MW
S41X043300GP CTS Resistor Products S41X043300GP 0.0240
RFQ
ECAD 9847 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043300GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 30 외딴 2 - - 4 63MW
752163153JPTR13 CTS Resistor Products 752163153JPTR13 -
RFQ
ECAD 1630 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-752163153JPTR13TR 귀 99 8533.21.0020 5,000
743C083473JP CTS Resistor Products 743C083473JP -
RFQ
ECAD 8868 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 47K 외딴 4 - - 8 100MW
766141681GP CTS Resistor Products 766141681GP 1.2910
RFQ
ECAD 7600 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-141-R680p 귀 99 8533.21.0010 56 680 버스 13 - - 14 80MW
S42C083331GP CTS Resistor Products S42C083331GP 0.0813
RFQ
ECAD 9448 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083331GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 330 외딴 4 - - 8 63MW
S41C083271FP CTS Resistor Products S41C083271FP 0.0653
RFQ
ECAD 8900 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083271FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 270 외딴 4 - - 8 31.25MW
768163683GPTR13 CTS Resistor Products 768163683GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 3057 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 68K 외딴 8 - - 16 200MW
S41C083222JP CTS Resistor Products S41C083222JP 0.0481
RFQ
ECAD 8942 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083222JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 2.2k 외딴 4 - - 8 31.25MW
752241103GPTR7 CTS Resistor Products 752241103GPTR7 1.6934
RFQ
ECAD 8125 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 24-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 10k 버스 22 - - 24 80MW
743C043473JP CTS Resistor Products 743C043473JP -
RFQ
ECAD 5791 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.100 "L x 0.079"W (2.54mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 47K 외딴 2 - - 4 100MW
766163272GP CTS Resistor Products 766163272GP 2.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 2.7k 외딴 8 - - 16 160MW
767143334GPTR13 CTS Resistor Products 767143334GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 9570 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 330K 외딴 7 - - 14 200MW
S41X043244JP CTS Resistor Products S41X0432443P 0.0198
RFQ
ECAD 1992 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043244JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 240K 외딴 2 - - 4 63MW
RT2411B6 CTS Resistor Products RT2411B6 -
RFQ
ECAD 4002 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C GTL, GTL+, AGTL+ 0.300 "L x 0.150"W (7.62mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 18-lbga ± 100ppm/° C 18-BGA (7.62x3.81) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 150 이중 이중 16 - - 18 50MW
RT2403B7 CTS Resistor Products RT2403B7 -
RFQ
ECAD 5483 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (9x3) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 25 이중 이중 18 - - 27 50MW
S41C083910JP CTS Resistor Products S41C083910JP 0.0481
RFQ
ECAD 5599 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083910JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 91 외딴 4 - - 8 31.25MW
767161561GP CTS Resistor Products 767161561GP 1.2132
RFQ
ECAD 1457 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-161-R560p 귀 99 8533.21.0010 43 560 버스 15 - - 16 100MW
766141680GP CTS Resistor Products 766141680GP 1.2910
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 68 버스 13 - - 14 80MW
766141561GPTR13 CTS Resistor Products 766141561GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 8378 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 560 버스 13 - - 14 80MW
RT2729B6 CTS Resistor Products RT2729B6 -
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C LVDS, LVPECL 0.400 "L x 0.200"W (10.16mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 32-lbga ± 200ppm/° C 32-BGA (10.16x5.08) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 70, 240 이중 이중 24 - - 32 68MW
767161470GP CTS Resistor Products 767161470GP 1.2132
RFQ
ECAD 8579 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 47 버스 15 - - 16 100MW
753091472GP CTS Resistor Products 753091472GP 1.9136
RFQ
ECAD 4515 0.00000000 cts 저항성 제품 753 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.270 "L x 0.080"W (6.86mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 9-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-753091472GP 귀 99 8533.21.0020 250 4.7k 버스 8 - - 9 40MW
766141103GP CTS Resistor Products 766141103GP 2.8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-141-R10KP 귀 99 8533.21.0010 56 10k 버스 13 - - 14 80MW
S42C083362GP CTS Resistor Products S42C083362GP 0.0813
RFQ
ECAD 7271 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083362GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 3.6k 외딴 4 - - 8 63MW
767163154GP CTS Resistor Products 767163154GP 1.2132
RFQ
ECAD 2710 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-163-R150KP 귀 99 8533.21.0010 43 150K 외딴 8 - - 16 200MW
767143473GP CTS Resistor Products 767143473GP 1.1988
RFQ
ECAD 4000 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-143-R47KP 귀 99 8533.21.0010 48 47K 외딴 7 - - 14 200MW
745C101332JP CTS Resistor Products 745C101332JP 0.6800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 745C101 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 3.3k 버스 8 - - 10 63MW
745C101224JP CTS Resistor Products 745C101224JP 0.6400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 745C101 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 220K 버스 8 - - 10 63MW
767163104GP CTS Resistor Products 767163104GP 2.6300
RFQ
ECAD 494 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 100k 외딴 8 - - 16 200MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고