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 | S42X083432JP | 0.0412 | | 2416 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083432JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 4.3k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
| 752201223JP | - | | 1265 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 20-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 22k | 버스 | 18 | - | - | 20 | 80MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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