SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
RT1469B6TR13 CTS Resistor Products RT1469B6TR13 -
RFQ
ECAD 4388 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 - - - - -
RT2710B6PTR7 CTS Resistor Products RT2710B6PTR7 -
RFQ
ECAD 7599 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C LVDS, LVPECL 0.400 "L x 0.200"W (10.16mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 32-lbga ± 200ppm/° C 32-BGA (10.16x5.08) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 100 이중 이중 16 - - 32 68MW
753081103GB CTS Resistor Products 753081103GB -
RFQ
ECAD 6677 0.00000000 cts 저항성 제품 753 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 500 10k 버스 7 - - 8 40MW
742C083111JTR CTS Resistor Products 742C083111JTR -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 110 외딴 4 - - 8 63MW
742C083273JP CTS Resistor Products 742C083273JP 0.1000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 27K 외딴 4 - - 8 63MW
767141391GP CTS Resistor Products 767141391GP 1.1988
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 390 버스 13 - - 14 100MW
753163390GPTR13 CTS Resistor Products 753163390GPTR13 1.7738
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 16-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 39 외딴 8 - - 16 80MW
767163220GPTR13 CTS Resistor Products 767163220GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 4102 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 22 외딴 8 - - 16 200MW
S41C083100GP CTS Resistor Products S41C083100GP 0.0560
RFQ
ECAD 1683 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083100GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 10 외딴 4 - - 8 31.25MW
744C083154JP CTS Resistor Products 744C083154JP -
RFQ
ECAD 4379 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 744C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 150K 외딴 4 - - 8 125MW
741C083103JP CTS Resistor Products 741C083103JP 0.1400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 10k 외딴 4 - - 8 63MW
752201223JPTR13 CTS Resistor Products 752201223JPTR13 -
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 20-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 22k 버스 18 - - 20 80MW
753083101GPTR7 CTS Resistor Products 753083101GPTR7 1.8660
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 100 외딴 4 - - 8 80MW
742C1631003FP CTS Resistor Products 742C1631003FP 0.3028
RFQ
ECAD 1940 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 742C163 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 100k 외딴 8 - - 16 63MW
742C163111JP CTS Resistor Products 742C163111JP 0.0970
RFQ
ECAD 7156 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 742C163 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 110 외딴 8 - - 16 63MW
770101474P CTS Resistor Products 770101474P 0.6762
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-101-R470KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 470K 버스 9 - - 10 100MW
S41X083131FP CTS Resistor Products S41X083131FP 0.0311
RFQ
ECAD 4809 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083131FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 130 외딴 4 - - 8 31MW
RT2416B6TR7 CTS Resistor Products RT2416B6TR7 -
RFQ
ECAD 8957 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C PCI, PCIX 0.400 "L x 0.150"W (10.16mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 24-lbga ± 200ppm/° C 24-BGA (10.16x3.81) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 8.2k 이중 이중 8 - - 24 50MW
766143561GPTR13 CTS Resistor Products 766143561GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 1851 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 560 외딴 7 - - 14 160MW
741X163100J CTS Resistor Products 741X163100J -
RFQ
ECAD 4673 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.156 "L x 0.063"W (3.95mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 741x163 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 10 외딴 8 - - 16 63MW
741C083200JP CTS Resistor Products 741C083200JP 0.0184
RFQ
ECAD 9303 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 20 외딴 4 - - 8 63MW
766143121GPTR13 CTS Resistor Products 766143121GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 3836 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 120 외딴 7 - - 14 160MW
RT2400B CTS Resistor Products RT2400B -
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (9x3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1 25, 50 이중 이중 18 - - 27 50MW
767163000XP CTS Resistor Products 767163000xp 1.2132
RFQ
ECAD 7680 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 점퍼 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 0.0 외딴 8 - - 16 200MW
S42C043564GP CTS Resistor Products S42C043564GP 0.0600
RFQ
ECAD 6595 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043564GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 560K 외딴 2 - - 4 63MW
766165221APTR13 CTS Resistor Products 766165221APTR13 1.5832
RFQ
ECAD 1909 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 330, 680 이중 이중 28 - - 16 80MW
RT2452B6TR13 CTS Resistor Products RT2452B6TR13 -
RFQ
ECAD 2418 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C GTL, GTL+, AGTL+ 0.600 "L x 0.150"W (15.24mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 36-lbga ± 100ppm/° C 36-BGA (15.24x3.81) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 4,000 25 이중 이중 32 - - 36 50MW
S42C043394JP CTS Resistor Products S42C043394JP 0.0508
RFQ
ECAD 1943 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043394JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 390K 외딴 2 - - 4 63MW
S41X043683JP CTS Resistor Products S41X043683JP 0.0198
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043683JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 68K 외딴 2 - - 4 63MW
742C163470JTR CTS Resistor Products 742C163470JTR -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 742C163 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 47 외딴 8 - - 16 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고