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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 768141334GPTR13 | 1.1899 |  | 3633 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 330K | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
 | 741x083472J | - | | 2160 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | 741x083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 4.7k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
 | 753121222GPTR7 | 1.9136 | | 5716 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.345 "L x 0.080"W (8.76mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 12-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 2.2k | 버스 | 11 | - | - | 12 | 40MW | |||
| RT1202B | - | | 9777 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 대부분 | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | pci® | 0.315 "L x 0.157"W (8.00mm x 4.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 36-lbga | ± 200ppm/° C | 36-BGA (8x4) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 33 | 이중 이중 | 16 | - | - | 36 | 50MW | ||||
| RT1500B7 | - | | 6300 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 대부분 | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.315 "LX 0.118"W (8.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 24-lbga | ± 200ppm/° C | 24-BGA (8x3) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 130 | 이중 이중 | 16 | - | - | 24 | 50MW | ||||
 | 745C102681JP | 0.1408 | | 5070 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 745 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.122"W (6.40mm x 3.10mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | 745C102 | ± 250ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 680 | 버스 | 8 | - | - | 10 | 63MW | ||
 | 766163511GPTR7 | 1.2910 | | 6044 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 510 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||
 | 742C163101JP | 0.5100 | | 144 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 742 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | 742C163 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 100 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
 | 746x101681JP | - | | 6004 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 746 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | 746x101 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q2954212 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 680 | 버스 | 8 | - | - | 10 | 31MW | |
 | S41C083163FP | 0.0653 | | 7171 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083163FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 16k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||
 | 767161824G | - | | 2462 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 820K | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
 | 767141334GPTR13 | 1.1757 | | 8689 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 330K | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
| 745C101224JTR | - | | 8794 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 745 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | 745C101 | ± 250ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 220K | 버스 | 8 | - | - | 10 | 63MW | ||
| 766141103JP | - | | 1525 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 60-766141103JP | 귀 99 | 8533.21.0020 | 56 | |||||||||||||||||||
 | S42X083432JP | 0.0412 | | 2416 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083432JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 4.3k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
| 752201223JP | - | | 1265 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 20-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 22k | 버스 | 18 | - | - | 20 | 80MW | |||
| 752123222GPTR13 | 1.2510 | | 4902 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 12-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 2.2k | 외딴 | 6 | - | - | 12 | 160MW | |||
 | 766141102GTR | - | | 8714 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 1K | 버스 | 13 | - | - | 14 | 80MW | |||
| 768143103GP | 1.2132 | | 1943 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 10k | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 200MW | |||
| 766145191AP | 3.5500 | | 3209 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 56 | 330, 470 | 이중 이중 | 24 | - | - | 14 | 80MW | |||
 | 768161562GPTR13 | 1.1899 | | 3039 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 5.6k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
| 766141221G | - | | 9677 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 56 | 220 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 80MW | |||
 | 770103562P | 0.6528 | | 4430 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-103-R5.6KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 5.6k | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | ||
| S42C163683JP | 0.1518 | | 7756 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163683JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 68K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
| S42X083184FP | 0.0560 | | 7064 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083184FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 180K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
| RT2411B6TR7 | - | | 6817 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | GTL, GTL+, AGTL+ | 0.300 "L x 0.150"W (7.62mm x 3.81mm) | 0.058 "(1.47mm) | 표면 표면 | 18-lbga | ± 100ppm/° C | 18-BGA (7.62x3.81) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 150 | 이중 이중 | 16 | - | - | 18 | 50MW | ||||
| 768161824GP | 1.2132 | | 1985 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 820K | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
| 767141680GPTR13 | 1.1757 | | 1281 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 68 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
 | 741X16356R0FP | 0.1102 | | 9273 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.156 "L x 0.063"W (3.95mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 | 741x163 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 56 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
 | 744C043151JP | - | | 2193 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.100"W (3.20mm x 2.54mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1210 (3225 Metric), 오목합니다 | 744C043 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 150 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 125MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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