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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 752091102JPTR7 | - | ![]() | 3646 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 60-752091102Jptr7tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | 766165221ap | 1.7098 | ![]() | 6652 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 330, 680 | 이중 이중 | 28 | - | - | 16 | 80MW | |||
![]() | S42C163110GP | 0.1813 | ![]() | 2364 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163110GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 11 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
![]() | 741X083222JP | 0.0123 | ![]() | 6350 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | 741x083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 2.2k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | 752091472JPTR7 | - | ![]() | 9451 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 60-752091472Jptr7tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | 743C043223JP | - | ![]() | 6731 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 743 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.100 "L x 0.079"W (2.54mm x 2.00mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1008, 긴, 오목한 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 22k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 100MW | |||
![]() | S42C163130JP | 0.1518 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163130JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 13 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
![]() | 752083681JPTR7 | - | ![]() | 4924 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 60-752083681jptr7tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | |||||||||||||||||||
752083472GP | 1.4693 | ![]() | 3737 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 8-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 4.7k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 160MW | ||||
![]() | 768161472GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 3509 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 4.7k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
![]() | 767161222GP | 1.6500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 767-161-R2.2KP | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 2.2k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | ||
![]() | 766161182JP | - | ![]() | 3934 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 60-766161182JP | 귀 99 | 8533.21.0020 | 49 | |||||||||||||||||||
![]() | S41X083223GP | 0.0269 | ![]() | 1868 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083223GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 22k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
![]() | 766165311APTR13 | 1.5832 | ![]() | 5081 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 470, 940 | 이중 이중 | 28 | - | - | 16 | 80MW | |||
![]() | RT204B7TR7 | - | ![]() | 8154 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 60-RT204B7TR7 | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S41X043434JP | 0.0198 | ![]() | 8038 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043434JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 430K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 767143202GP | 1.1988 | ![]() | 3549 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 767-143-R2KP | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 2K | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 200MW | ||
752101681GP | 1.5389 | ![]() | 1207 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 10-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 680 | 버스 | 9 | - | - | 10 | 80MW | ||||
![]() | RT1407B7PTR13 | - | ![]() | 6917 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 27-lbga | ± 200ppm/° C | 27-BGA (9x3) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 4,000 | 35 | 이중 이중 | 18 | - | - | 27 | 50MW | ||||
![]() | 768163684GP | 1.2132 | ![]() | 4437 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 680K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 200MW | |||
![]() | 752091123GPTR7 | 1.5389 | ![]() | 1246 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 9-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 12k | 버스 | 8 | - | - | 9 | 80MW | |||
![]() | S42C043182FP | 0.0693 | ![]() | 3292 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043182FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.8K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 768163105GP | 1.2132 | ![]() | 8348 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 1m | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 200MW | |||
![]() | S42X083114GP | 0.0495 | ![]() | 8828 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083114GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 110K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | S41X043134GP | 0.0240 | ![]() | 3904 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043134GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 130K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | S41X043624JP | 0.0198 | ![]() | 7371 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043624JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 620K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | S42C043204FP | 0.0693 | ![]() | 1010 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043204FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 200k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 77063473p | 1.6300 | ![]() | 8678 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-63-R47KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 47K | 외딴 | 3 | - | - | 6 | 100MW | ||
![]() | 768141270GP | 1.2132 | ![]() | 2118 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 27 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
743C083390JP | - | ![]() | 7260 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 743 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 39 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW |
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