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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
745X101102JP CTS Resistor Products 745x101102JP 0.1227
RFQ
ECAD 9260 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 745x101 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 1K 버스 8 - - 10 63MW
S42C043360JP CTS Resistor Products S42C043360JP 0.0508
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043360JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 36 외딴 2 - - 4 63MW
752201152GPTR13 CTS Resistor Products 752201152GPTR13 1.3488
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 20-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 1.5K 버스 18 - - 20 80MW
752083224JPTR7 CTS Resistor Products 752083224JPTR7 -
RFQ
ECAD 3853 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-752083224Jptr7tr 귀 99 8533.21.0020 1,000
S41C083274JP CTS Resistor Products S41C083274JP 0.0481
RFQ
ECAD 9626 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083274JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 270K 외딴 4 - - 8 31.25MW
77083105P CTS Resistor Products 77083105p 0.7000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-83-R1MEGP 귀 99 8533.21.0050 1,000 1m 외딴 4 - - 8 100MW
752121512GPTR13 CTS Resistor Products 752121512GPTR13 1.2510
RFQ
ECAD 8372 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 5.1k 버스 11 - - 12 80MW
S41X083104GP CTS Resistor Products S41X083104GP 0.0269
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083104GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 100k 외딴 4 - - 8 31MW
744C083112JP CTS Resistor Products 744C083112JP -
RFQ
ECAD 6775 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 744C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q8034426 귀 99 8533.21.0020 4,000 1.1k 외딴 4 - - 8 125MW
766163000XP CTS Resistor Products 766163000xp 1.2910
RFQ
ECAD 1642 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 점퍼 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 0.0 외딴 8 - - 16 160MW
767141824GP CTS Resistor Products 767141824GP 1.1988
RFQ
ECAD 7429 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 820K 버스 13 - - 14 100MW
768205171DPTR13 CTS Resistor Products 768205171dptr13 1.9149
RFQ
ECAD 2726 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.540 "L x 0.220"W (13.70mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 200, 1.5k 이중 이중 36 - - 20 100MW
752105131AP CTS Resistor Products 752105131AP 1.6251
RFQ
ECAD 2709 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 220, 330 이중 이중 16 - - 10 80MW
S41X043273JP CTS Resistor Products S41X043273JP 0.0198
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043273JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 27K 외딴 2 - - 4 63MW
RT1460B6TR7 CTS Resistor Products RT1460B6TR7 -
RFQ
ECAD 1787 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.200"W (11.43mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (11.43x5.08) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 50 이중 이중 18 - - 36 50MW
RT1460B7TR7 CTS Resistor Products RT1460B7TR7 -
RFQ
ECAD 3288 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "L x 0.157"W (9.00mm x 4.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (9x4) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 50 이중 이중 18 - - 36 50MW
RT1453B6TR13 CTS Resistor Products RT1453B6TR13 -
RFQ
ECAD 9917 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C GTL, GTL+, AGTL+ 0.150 "L x 0.150"W (3.81mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 9-lbga ± 100ppm/° C 9-BGA (3.81x3.81) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 56 이중 이중 8 - - 9 50MW
767163150GP CTS Resistor Products 767163150GP 1.2132
RFQ
ECAD 9031 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 15 외딴 8 - - 16 200MW
S41X083624GP CTS Resistor Products S41X083624GP 0.0269
RFQ
ECAD 5847 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083624GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 620K 외딴 4 - - 8 31MW
767141202GPTR13 CTS Resistor Products 767141202GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 4615 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 2K 버스 13 - - 14 100MW
77083123P CTS Resistor Products 77083123P 0.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-83-R12KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 12k 외딴 4 - - 8 100MW
S41C083113FP CTS Resistor Products S41C083113FP 0.0653
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083113FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 11k 외딴 4 - - 8 31.25MW
RT239B6TR7 CTS Resistor Products RT239B6TR7 -
RFQ
ECAD 6857 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 - - - - -
S41C083472FP CTS Resistor Products S41C083472FP 0.0653
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083472FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 4.7k 외딴 4 - - 8 31.25MW
S42C083473FP CTS Resistor Products S42C083473FP 0.0914
RFQ
ECAD 6201 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083473FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 47K 외딴 4 - - 8 63MW
767161681GPTR13 CTS Resistor Products 767161681GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 5469 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 680 버스 15 - - 16 100MW
742C163560JP CTS Resistor Products 742C163560JP 0.0970
RFQ
ECAD 9537 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 742C163 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 56 외딴 8 - - 16 63MW
742X083152JP CTS Resistor Products 742x083152JP 0.0226
RFQ
ECAD 4231 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 742x083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.5K 외딴 4 - - 8 63MW
752123102GPTR7 CTS Resistor Products 752123102GPTR7 1.3354
RFQ
ECAD 1 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 1K 외딴 6 - - 12 160MW
S41X083363FP CTS Resistor Products S41X083363FP 0.0311
RFQ
ECAD 8882 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083363FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 36K 외딴 4 - - 8 31MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고