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| S41X043240GP | 0.0240 | | 2240 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043240GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 24 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
| RT102B7 | - | | 4545 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||
 | 768163122GPTR13 | 1.1899 | | 6664 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 1.2k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 200MW | |||
| S42C083133GP | 0.0813 | | 9437 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083133GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 13k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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