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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
767163820GP CTS Resistor Products 767163820GP 2.3800
RFQ
ECAD 204 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-163-R82P 귀 99 8533.21.0010 43 82 외딴 8 - - 16 200MW
767141153GP CTS Resistor Products 767141153GP 2.3600
RFQ
ECAD 768 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-141-R15KP 귀 99 8533.21.0010 48 15k 버스 13 - - 14 100MW
752083473GP CTS Resistor Products 752083473GP 1.4693
RFQ
ECAD 2516 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 47K 외딴 4 - - 8 160MW
S42C043513JP CTS Resistor Products S42C043513JP 0.0508
RFQ
ECAD 6772 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043513JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 51K 외딴 2 - - 4 63MW
768161564GP CTS Resistor Products 768161564GP 1.2132
RFQ
ECAD 5404 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 560K 버스 15 - - 16 100MW
766163393GP CTS Resistor Products 766163393GP 2.6000
RFQ
ECAD 436 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 39K 외딴 8 - - 16 160MW
S42C083913JP CTS Resistor Products S42C083913JP 0.0680
RFQ
ECAD 9292 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083913JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 91K 외딴 4 - - 8 63MW
766161182JP CTS Resistor Products 766161182JP -
RFQ
ECAD 3934 0.00000000 cts 저항성 제품 - 튜브 쓸모없는 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 60-766161182JP 귀 99 8533.21.0020 49
RT204B7TR7 CTS Resistor Products RT204B7TR7 -
RFQ
ECAD 8154 0.00000000 cts 저항성 제품 - 대부분 쓸모없는 - 60-RT204B7TR7 쓸모없는 1
745X101102JP CTS Resistor Products 745x101102JP 0.1227
RFQ
ECAD 9260 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 745x101 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 1K 버스 8 - - 10 63MW
S42C043393JP CTS Resistor Products S42C043393JP 0.0508
RFQ
ECAD 4742 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043393JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 39K 외딴 2 - - 4 63MW
S41X083473GP CTS Resistor Products S41X083473GP 0.0269
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083473GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 47K 외딴 4 - - 8 31MW
752241682GPTR7 CTS Resistor Products 752241682GPTR7 1.6934
RFQ
ECAD 9004 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 24-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 6.8k 버스 22 - - 24 80MW
753241472GPTR7 CTS Resistor Products 753241472GPTR7 2.3505
RFQ
ECAD 1698 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.345 "L x 0.080"W (8.76mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 24-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 4.7k 버스 22 - - 24 40MW
767163271G CTS Resistor Products 767163271G -
RFQ
ECAD 4128 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 270 외딴 8 - - 16 200MW
S41X043201JP CTS Resistor Products S41X043201JP 0.0198
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043201JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 200 외딴 2 - - 4 63MW
RT2710B6PTR13 CTS Resistor Products RT2710B6PTR13 -
RFQ
ECAD 8319 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C LVDS, LVPECL 0.400 "L x 0.200"W (10.16mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 32-lbga ± 200ppm/° C 32-BGA (10.16x5.08) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 4,000 100 이중 이중 16 - - 32 68MW
RT1727B6TR7 CTS Resistor Products RT1727B6TR7 -
RFQ
ECAD 5329 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C LVD 0.400 "L x 0.200"W (10.16mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 32-lbga ± 200ppm/° C 32-BGA (10.16x5.08) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 70, 187 이중 이중 24 - - 32 68MW
77083182P CTS Resistor Products 77083182P 0.6300
RFQ
ECAD 1429 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-83-R1.8KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 1.8K 외딴 4 - - 8 100MW
770103391P CTS Resistor Products 770103391p 0.6528
RFQ
ECAD 8880 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-103-R390p 귀 99 8533.21.0050 1,000 390 외딴 5 - - 10 100MW
S42C043130GP CTS Resistor Products S42C043130GP 0.0600
RFQ
ECAD 9032 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043130GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 13 외딴 2 - - 4 63MW
S41C083511FP CTS Resistor Products S41C083511FP 0.0653
RFQ
ECAD 2634 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083511FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 510 외딴 4 - - 8 31.25MW
742C083511JP CTS Resistor Products 742C083511JP 0.2700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 510 외딴 4 - - 8 63MW
RT1465B6 CTS Resistor Products RT1465B6 -
RFQ
ECAD 3803 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.200"W (11.43mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (11.43x5.08) - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 47 이중 이중 18 - - 36 50MW
742X0834703FP CTS Resistor Products 742x0834703fp 0.0412
RFQ
ECAD 1900 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 742x083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q566854 귀 99 8533.21.0020 5,000 470K 외딴 4 - - 8 63MW
RT2411B6TR7 CTS Resistor Products RT2411B6TR7 -
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C GTL, GTL+, AGTL+ 0.300 "L x 0.150"W (7.62mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 18-lbga ± 100ppm/° C 18-BGA (7.62x3.81) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 150 이중 이중 16 - - 18 50MW
768203270GP CTS Resistor Products 768203270GP 1.2277
RFQ
ECAD 4282 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.540 "L x 0.220"W (13.70mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 35 27 외딴 10 - - 20 200MW
S41X043682FP CTS Resistor Products S41X043682FP 0.0283
RFQ
ECAD 3276 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043682FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 6.8k 외딴 2 - - 4 63MW
742C083472JTR CTS Resistor Products 742C083472JTR -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 4.7k 외딴 4 - - 8 63MW
S41C083470GP CTS Resistor Products S41C083470GP 0.0560
RFQ
ECAD 5841 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083470GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 47 외딴 4 - - 8 31.25MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고