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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
S42C083513JP CTS Resistor Products S42C083513JP 0.0680
RFQ
ECAD 6279 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083513JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 51K 외딴 4 - - 8 63MW
S41C083104GP CTS Resistor Products S41C083104GP 0.0560
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083104GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 100k 외딴 4 - - 8 31.25MW
RT1453B6TR13 CTS Resistor Products RT1453B6TR13 -
RFQ
ECAD 9917 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C GTL, GTL+, AGTL+ 0.150 "L x 0.150"W (3.81mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 9-lbga ± 100ppm/° C 9-BGA (3.81x3.81) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 56 이중 이중 8 - - 9 50MW
752105131AP CTS Resistor Products 752105131AP 1.6251
RFQ
ECAD 2709 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 220, 330 이중 이중 16 - - 10 80MW
RT1463B6TR7 CTS Resistor Products RT1463B6TR7 -
RFQ
ECAD 3742 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.200"W (11.43mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (11.43x5.08) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 33 이중 이중 18 - - 36 50MW
752181103JPTR7 CTS Resistor Products 752181103JPTR7 -
RFQ
ECAD 1893 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-752181103jptr7tr 귀 99 8533.21.0020 1,000
766143333GP CTS Resistor Products 766143333GP 1.2910
RFQ
ECAD 1469 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-143-R33KP 귀 99 8533.21.0010 56 33k 외딴 7 - - 14 160MW
767141750GPTR13 CTS Resistor Products 767141750GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 75 버스 13 - - 14 100MW
RT1201B CTS Resistor Products RT1201B -
RFQ
ECAD 5868 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C pci® 0.630 "L x 0.157"W (16.00mm x 4.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 64-lbga ± 200ppm/° C 64-bga (16x4) - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 10 이중 이중 32 - - 64 50MW
752161221GP CTS Resistor Products 752161221GP 1.6934
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 16-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 220 버스 14 - - 16 80MW
RT241B6 CTS Resistor Products RT241B6 -
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 cts 저항성 제품 - 대부분 쓸모없는 - 60-RT241B6 쓸모없는 1
S41X083624GP CTS Resistor Products S41X083624GP 0.0269
RFQ
ECAD 5847 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083624GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 620K 외딴 4 - - 8 31MW
767163150GP CTS Resistor Products 767163150GP 1.2132
RFQ
ECAD 9031 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 15 외딴 8 - - 16 200MW
766143331GPTR7 CTS Resistor Products 766143331GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 6074 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 330 외딴 7 - - 14 160MW
768163224GP CTS Resistor Products 768163224GP 1.2132
RFQ
ECAD 5996 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 220K 외딴 8 - - 16 200MW
S42C043360JP CTS Resistor Products S42C043360JP 0.0508
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043360JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 36 외딴 2 - - 4 63MW
752121512GPTR13 CTS Resistor Products 752121512GPTR13 1.2510
RFQ
ECAD 8372 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 5.1k 버스 11 - - 12 80MW
S41X083104GP CTS Resistor Products S41X083104GP 0.0269
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083104GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 100k 외딴 4 - - 8 31MW
752103101GP CTS Resistor Products 752103101GP 1.4693
RFQ
ECAD 2157 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 100 외딴 5 - - 10 160MW
752181103GP CTS Resistor Products 752181103GP 1.6934
RFQ
ECAD 7589 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 18-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 10k 버스 16 - - 18 80MW
767143682GP CTS Resistor Products 767143682GP 1.1988
RFQ
ECAD 7482 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-143-R6.8KP 귀 99 8533.21.0010 48 6.8k 외딴 7 - - 14 200MW
767141202GPTR13 CTS Resistor Products 767141202GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 4615 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 2K 버스 13 - - 14 100MW
767143202GP CTS Resistor Products 767143202GP 1.1988
RFQ
ECAD 3549 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-143-R2KP 귀 99 8533.21.0010 48 2K 외딴 7 - - 14 200MW
S41X083152GP CTS Resistor Products S41X083152GP 0.0269
RFQ
ECAD 2271 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083152GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 1.5K 외딴 4 - - 8 31MW
768145121APTR13 CTS Resistor Products 768145121APTR13 1.5971
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 180, 390 이중 이중 24 - - 14 100MW
S41C083333FP CTS Resistor Products S41C083333FP 0.0653
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083333FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 33k 외딴 4 - - 8 31.25MW
767141471GP CTS Resistor Products 767141471GP 1.1988
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-141-R470p 귀 99 8533.21.0010 48 470 버스 13 - - 14 100MW
S42C043750FP CTS Resistor Products S42C043750FP 0.0693
RFQ
ECAD 4602 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043750FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 75 외딴 2 - - 4 63MW
S42C043184GP CTS Resistor Products S42C043184GP 0.0600
RFQ
ECAD 8304 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043184GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 180K 외딴 2 - - 4 63MW
S41X083360JP CTS Resistor Products S41X083360JP 0.0226
RFQ
ECAD 1306 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083360JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 36 외딴 4 - - 8 31MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고