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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
768163474GPTR13 CTS Resistor Products 768163474GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 8291 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 470K 외딴 8 - - 16 200MW
S42C083121FP CTS Resistor Products S42C083121FP 0.0914
RFQ
ECAD 4197 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083121FPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 120 외딴 4 - - 8 63MW
RT1250B6TR13 CTS Resistor Products RT1250B6TR13 -
RFQ
ECAD 6906 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C lvpecl 0.400 "L x 0.150"W (10.16mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 24-lbga ± 200ppm/° C 24-BGA (10.16x3.81) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 82.5, 127 이중 이중 16 - - 24 96MW
S42C163153GP CTS Resistor Products S42C163153GP 0.1813
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163153GPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 15k 외딴 8 - - 16 63MW
766141680GPTR13 CTS Resistor Products 766141680GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 1220 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 68 버스 13 - - 14 80MW
770103202 CTS Resistor Products 770103202 -
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 2K 외딴 5 - - 10 100MW
745C101332JTR CTS Resistor Products 745C101332JTR -
RFQ
ECAD 6178 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 745C101 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 3.3k 버스 8 - - 10 63MW
766143561GPTR13 CTS Resistor Products 766143561GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 1851 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 560 외딴 7 - - 14 160MW
77061474 CTS Resistor Products 77061474 -
RFQ
ECAD 5421 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 470K 버스 5 - - 6 100MW
752123332GPTR13 CTS Resistor Products 752123332GPTR13 1.2510
RFQ
ECAD 5944 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 3.3k 외딴 6 - - 12 160MW
77083683P CTS Resistor Products 77083683P 0.6300
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-83-R68KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 68K 외딴 4 - - 8 100MW
767141184GPTR13 CTS Resistor Products 767141184GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 5937 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 180K 버스 13 - - 14 100MW
768163124GPTR13 CTS Resistor Products 768163124GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 6050 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 120K 외딴 8 - - 16 200MW
S42X083623FP CTS Resistor Products S42X083623FP 0.0560
RFQ
ECAD 9255 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083623FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 62k 외딴 4 - - 8 63MW
S42C043434FP CTS Resistor Products S42C043434FP 0.0693
RFQ
ECAD 7507 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043434FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 430K 외딴 2 - - 4 63MW
S42C043911GP CTS Resistor Products S42C043911GP 0.0600
RFQ
ECAD 4082 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043911GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 910 외딴 2 - - 4 63MW
S41X043204JP CTS Resistor Products S41X043204JP 0.0198
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043204JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 200k 외딴 2 - - 4 63MW
766141560GPTR13 CTS Resistor Products 766141560GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 9739 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 56 버스 13 - - 14 80MW
RT2436B6 CTS Resistor Products RT2436B6 -
RFQ
ECAD 7973 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C - - - - - ± 200ppm/° C - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 1K 이중 이중 16 - - 50MW
752243220JPTR7 CTS Resistor Products 752243220JPTR7 -
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-752243220JPTR7TR 귀 99 8533.21.0020 1,000
741X083560JP CTS Resistor Products 741X083560JP 0.1000
RFQ
ECAD 88 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741x083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 56 외딴 4 - - 8 63MW
752121512GP CTS Resistor Products 752121512GP 1.5389
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 5.1k 버스 11 - - 12 80MW
S41X043364FP CTS Resistor Products S41X043364FP 0.0283
RFQ
ECAD 2034 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043364FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 360K 외딴 2 - - 4 63MW
766143154GPTR13 CTS Resistor Products 766143154GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 5028 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 150K 외딴 7 - - 14 160MW
766143682GPTR13 CTS Resistor Products 766143682GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 6.8k 외딴 7 - - 14 160MW
767163123G CTS Resistor Products 767163123G -
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 12k 외딴 8 - - 16 200MW
766161821GPTR7 CTS Resistor Products 766161821GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 1926 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 820 버스 15 - - 16 80MW
768141391G CTS Resistor Products 768141391G -
RFQ
ECAD 3150 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-141-R390 귀 99 8533.21.0010 48 390 버스 13 - - 14 100MW
S42X083164GP CTS Resistor Products S42X083164GP 0.0495
RFQ
ECAD 7099 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083164GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 160K 외딴 4 - - 8 63MW
768161103JPTR13 CTS Resistor Products 768161103JPTR13 -
RFQ
ECAD 5428 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 60-768161103jptr13tr 귀 99 8533.21.0020 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고