SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
767161181GP CTS Resistor Products 767161181GP 1.2132
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-161-R180p 귀 99 8533.21.0010 43 180 버스 15 - - 16 100MW
S41C083512JP CTS Resistor Products S41C083512JP 0.0481
RFQ
ECAD 6609 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083512JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 5.1k 외딴 4 - - 8 31.25MW
S42C043512GP CTS Resistor Products S42C043512GP 0.0600
RFQ
ECAD 8459 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043512GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 5.1k 외딴 2 - - 4 63MW
S42C083472JP CTS Resistor Products S42C083472JP 0.0680
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083472JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 4.7k 외딴 4 - - 8 63MW
S42X083110JP CTS Resistor Products S42X083110JP 0.0412
RFQ
ECAD 8735 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083110JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 11 외딴 4 - - 8 63MW
S42X083622GP CTS Resistor Products S42X083622GP 0.0495
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083622GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 6.2k 외딴 4 - - 8 63MW
752163102GPTR7 CTS Resistor Products 752163102GPTR7 1.6161
RFQ
ECAD 1951 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 16-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 1K 외딴 8 - - 16 160MW
S41X083110JP CTS Resistor Products S41X083110JP 0.0226
RFQ
ECAD 2625 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083110JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 11 외딴 4 - - 8 31MW
S41X043164FP CTS Resistor Products S41X043164FP 0.0283
RFQ
ECAD 3385 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043164FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 160K 외딴 2 - - 4 63MW
768141202GPTR13 CTS Resistor Products 768141202GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 1272 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 2K 버스 13 - - 14 100MW
RT2722B7TR13 CTS Resistor Products RT2722B7tr13 -
RFQ
ECAD 5356 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C LVD 0.630 "L x 0.157"W (16.00mm x 4.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 64-lbga ± 200ppm/° C 64-bga (16x4) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 140, 165 이중 이중 48 - - 64 68MW
766165750APTR13 CTS Resistor Products 766165750APTR13 1.5832
RFQ
ECAD 3412 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 150 이중 이중 28 - - 16 80MW
766161333GPTR13 CTS Resistor Products 76616133333GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 9677 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 33k 버스 15 - - 16 80MW
S41C083151JP CTS Resistor Products S41C083151JP 0.0481
RFQ
ECAD 3389 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083151JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 150 외딴 4 - - 8 31.25MW
741X083301JP CTS Resistor Products 741X083301JP 0.0123
RFQ
ECAD 6127 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741x083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 300 외딴 4 - - 8 63MW
S42C083270FP CTS Resistor Products S42C083270FP 0.0914
RFQ
ECAD 7559 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083270FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 27 외딴 4 - - 8 63MW
766163201GP CTS Resistor Products 766163201GP 2.8600
RFQ
ECAD 1398 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-163-R200p 귀 99 8533.21.0010 49 200 외딴 8 - - 16 160MW
S42X083512GP CTS Resistor Products S42X083512GP 0.0495
RFQ
ECAD 3879 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083512GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 5.1k 외딴 4 - - 8 63MW
S41X043132FP CTS Resistor Products S41X043132FP 0.0283
RFQ
ECAD 1606 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043132FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 1.3k 외딴 2 - - 4 63MW
77081224P CTS Resistor Products 77081224p 0.6179
RFQ
ECAD 8031 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-81-R220KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 220K 버스 7 - - 8 100MW
768141680GP CTS Resistor Products 768141680GP 1.2132
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 68 버스 13 - - 14 100MW
S42X083390GP CTS Resistor Products S42X083390GP 0.0495
RFQ
ECAD 5675 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083390GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 39 외딴 4 - - 8 63MW
RT2727B6 CTS Resistor Products RT2727B6 -
RFQ
ECAD 7037 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C LVDS, LVPECL 0.400 "L x 0.200"W (10.16mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 32-lbga ± 200ppm/° C 32-BGA (10.16x5.08) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 70, 187 이중 이중 24 - - 32 68MW
766163330JPTR13 CTS Resistor Products 766163330JPTR13 -
RFQ
ECAD 5007 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 60-766163330jptr13tr 귀 99 8533.21.0020 3,000
S40X043133JP CTS Resistor Products S40X04313333JP 0.0901
RFQ
ECAD 1340 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X04313333JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 13k 외딴 2 - - 4 31MW
S42C083303JP CTS Resistor Products S42C083303JP 0.0680
RFQ
ECAD 2787 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083303JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 30K 외딴 4 - - 8 63MW
S41X083131FP CTS Resistor Products S41X083131FP 0.0311
RFQ
ECAD 4809 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083131FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 130 외딴 4 - - 8 31MW
S41X043683JP CTS Resistor Products S41X043683JP 0.0198
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043683JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 68K 외딴 2 - - 4 63MW
766145201APTR7 CTS Resistor Products 766145201APTR7 1.7098
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 220, 1.8k 이중 이중 24 - - 14 80MW
753091472GPTR7 CTS Resistor Products 753091472GPTR7 2.9200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.270 "L x 0.080"W (6.86mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 9-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 4.7k 버스 8 - - 9 40MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고