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저항 저항, 네트워크 (9217)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
767143334GP CTS Resistor Products 767143334GP 1.1988
RFQ
 ECAD 6161 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 330K 외딴 7 - - 14 200MW
RT2800B6TR13 CTS Resistor Products RT2800B6TR13 -
RFQ
 ECAD 4574 0.00000000 cts 저항성 제품 - 대부분 쓸모없는 - 60-RT2800B6TR13 쓸모없는 1
752083224JPTR13 CTS Resistor Products 752083224JPTR13 -
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-752083224JPTR13TR 귀 99 8533.21.0020 5,000
S42C043471GP CTS Resistor Products S42C043471GP 0.0600
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043471GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 470 외딴 2 - - 4 63MW
S41C083114GP CTS Resistor Products S41C083114GP 0.0560
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083114GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 110K 외딴 4 - - 8 31.25MW
S42C043754GP CTS Resistor Products S42C043754GP 0.0600
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043754GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 750K 외딴 2 - - 4 63MW
767163273GPTR13 CTS Resistor Products 767163273GPTR13 1.1899
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 27K 외딴 8 - - 16 200MW
745C101104JP CTS Resistor Products 745C101104JP 0.6000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 745C101 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 100k 버스 8 - - 10 63MW
767163332GPTR13 CTS Resistor Products 767163332GPTR13 1.1899
RFQ
 ECAD 7770 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 3.3k 외딴 8 - - 16 200MW
770105220/330P CTS Resistor Products 770105220/330p -
RFQ
 ECAD 8757 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-105-R220/330p 귀 99 8533.21.0050 250 220, 330 이중 이중 16 - - 10 100MW
S41X043131GP CTS Resistor Products S41X043131GP 0.0240
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043131GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 130 외딴 2 - - 4 63MW
S41C083433JP CTS Resistor Products S41C08343333JP 0.0481
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083433JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 43K 외딴 4 - - 8 31.25MW
S41X043431FP CTS Resistor Products S41X043431FP 0.0283
RFQ
 ECAD 2320 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043431FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 430 외딴 2 - - 4 63MW
768141153GP CTS Resistor Products 768141153GP 1.2132
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 15k 버스 13 - - 14 100MW
766161820GP CTS Resistor Products 766161820GP 1.2910
RFQ
 ECAD 3858 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-161-R82P 귀 99 8533.21.0010 49 82 버스 15 - - 16 80MW
752243100JPTR7 CTS Resistor Products 752243100JPTR7 -
RFQ
 ECAD 1082 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-752243100jptr7tr 귀 99 8533.21.0020 1,000
S42X083301GP CTS Resistor Products S42X083301GP 0.0495
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083301GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 300 외딴 4 - - 8 63MW
S42C043474GP CTS Resistor Products S42C043474GP 0.0600
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043474GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 470K 외딴 2 - - 4 63MW
766163682GP CTS Resistor Products 766163682GP 1.2910
RFQ
 ECAD 7921 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-163-R6.8KP 귀 99 8533.21.0010 49 6.8k 외딴 8 - - 16 160MW
767161392GP CTS Resistor Products 767161392GP 1.2132
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-161-R3.9KP 귀 99 8533.21.0010 43 3.9k 버스 15 - - 16 100MW
S41C083683GP CTS Resistor Products S41C083683GP 0.0560
RFQ
 ECAD 8265 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083683GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 68K 외딴 4 - - 8 31.25MW
767161333GP CTS Resistor Products 767161333GP 1.2132
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-161-R33KP 귀 99 8533.21.0010 43 33k 버스 15 - - 16 100MW
S41C083912GP CTS Resistor Products S41C083912GP 0.0560
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083912GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 9.1k 외딴 4 - - 8 31.25MW
S41C083181JP CTS Resistor Products S41C083181JP 0.0481
RFQ
 ECAD 9981 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083181JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 180 외딴 4 - - 8 31.25MW
767163220GP CTS Resistor Products 767163220GP 2.1600
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-163-R22P 귀 99 8533.21.0010 43 22 외딴 8 - - 16 200MW
752181563GPTR7 CTS Resistor Products 752181563GPTR7 1.6934
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 18-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 56K 버스 16 - - 18 80MW
S41X043100GP CTS Resistor Products S41X043100GP 0.0240
RFQ
 ECAD 6429 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043100GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 10 외딴 2 - - 4 63MW
77063333P CTS Resistor Products 77063333p 0.6179
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-R33KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 33k 외딴 3 - - 6 100MW
767161181GP CTS Resistor Products 767161181GP 1.2132
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-161-R180p 귀 99 8533.21.0010 43 180 버스 15 - - 16 100MW
S41C083512JP CTS Resistor Products S41C083512JP 0.0481
RFQ
 ECAD 6609 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083512JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 5.1k 외딴 4 - - 8 31.25MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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