SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
S42C043820JP CTS Resistor Products S42C043820JP 0.0508
RFQ
ECAD 3141 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043820JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 82 외딴 2 - - 4 63MW
768201472GPTR13 CTS Resistor Products 768201472GPTR13 1.2041
RFQ
ECAD 3596 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.540 "L x 0.220"W (13.70mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 4.7k 버스 19 - - 20 100MW
767141333GP CTS Resistor Products 767141333GP 1.1988
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-141-R33KP 귀 99 8533.21.0010 48 33k 버스 13 - - 14 100MW
741X043221JP CTS Resistor Products 741X043221JP 0.0123
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 741x043 ± 200ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 220 외딴 2 - - 4 63MW
RT2250B CTS Resistor Products RT2250B -
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C lvpecl 0.315 "LX 0.118"W (8.00mm x 3.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 24-lbga ± 200ppm/° C 24-BGA (8x3) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1 82.5, 127 이중 이중 16 - - 24 96MW
766141224GPTR7 CTS Resistor Products 766141224GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 5290 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 220K 버스 13 - - 14 80MW
77063103P CTS Resistor Products 77063103P 0.5700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 ROHS3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-R10KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 10k 외딴 3 - - 6 100MW
S41C083620FP CTS Resistor Products S41C083620FP 0.0653
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083620FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 62 외딴 4 - - 8 31.25MW
S42X083392GP CTS Resistor Products S42X083392GP 0.0495
RFQ
ECAD 3947 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083392GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 3.9k 외딴 4 - - 8 63MW
767161474GPTR13 CTS Resistor Products 767161474GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 9485 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 470K 버스 15 - - 16 100MW
752103102GP CTS Resistor Products 752103102GP 1.4693
RFQ
ECAD 9176 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 1K 외딴 5 - - 10 160MW
S41X043123GP CTS Resistor Products S41X043123GP 0.0240
RFQ
ECAD 8410 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043123GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 12k 외딴 2 - - 4 63MW
752243220JPTR13 CTS Resistor Products 752243220JPTR13 -
RFQ
ECAD 5989 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 60-752243220JPTR13TR 귀 99 8533.21.0020 5,000
RT2430B7TR13 CTS Resistor Products RT2430B7tr13 -
RFQ
ECAD 3824 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (9x3) - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 60 이중 이중 18 - - 27 50MW
S42C163241GP CTS Resistor Products S42C163241GP 0.1813
RFQ
ECAD 6165 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163241GPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 240 외딴 8 - - 16 63MW
RT242B7TR7 CTS Resistor Products RT242B7TR7 -
RFQ
ECAD 5037 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 - - - - -
766141151GPTR13 CTS Resistor Products 766141151GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 1496 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 150 버스 13 - - 14 80MW
770101104P CTS Resistor Products 770101104P 0.7800
RFQ
ECAD 535 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 ROHS3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-101-R100KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 100k 버스 9 - - 10 100MW
766161560GP CTS Resistor Products 766161560GP 1.2910
RFQ
ECAD 2246 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 56 버스 15 - - 16 80MW
767143182GPTR13 CTS Resistor Products 767143182GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 3758 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 1.8K 외딴 7 - - 14 200MW
S42C043273FP CTS Resistor Products S42C043273FP 0.0693
RFQ
ECAD 2987 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043273FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 27K 외딴 2 - - 4 63MW
S42C163103GP CTS Resistor Products S42C163103GP 0.1813
RFQ
ECAD 4483 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163103GPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 10k 외딴 8 - - 16 63MW
S42C083561FP CTS Resistor Products S42C083561FP 0.0914
RFQ
ECAD 1988 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083561FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 560 외딴 4 - - 8 63MW
S41X043681JP CTS Resistor Products S41X043681JP 0.0198
RFQ
ECAD 2361 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043681JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 680 외딴 2 - - 4 63MW
S41X043183JP CTS Resistor Products S41X043183JP 0.0198
RFQ
ECAD 8968 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043183JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 18K 외딴 2 - - 4 63MW
S42C043162JP CTS Resistor Products S42C043162JP 0.0508
RFQ
ECAD 1398 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043162JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.6k 외딴 2 - - 4 63MW
768141184GPTR13 CTS Resistor Products 768141184GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 180K 버스 13 - - 14 100MW
S42C163473JP CTS Resistor Products S42C163473JP 0.1518
RFQ
ECAD 4554 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163473JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 47K 외딴 8 - - 16 63MW
S42C163161JP CTS Resistor Products S42C163161JP 0.1518
RFQ
ECAD 8443 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163161JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 160 외딴 8 - - 16 63MW
S42X083473FP CTS Resistor Products S42X083473FP 0.0560
RFQ
ECAD 9342 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083473FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 47K 외딴 4 - - 8 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고