RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

저항 저항, 네트워크 (9217)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	온도 온도	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	저항 (옴)	회로 회로	저항 저항	저항 저항 비율	저항-드리프트-비율	핀 핀	요소 요소 전원
742C083102JTR	-	RFQ	1770	cts 저항성 제품	742	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	742C083	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	5,000	1K	외딴	4	-	-	8	63MW
S41X043431GP	0.0240	RFQ	7963	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록		± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043431GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	430	외딴	2	-	-	4	63MW
767161273GPTR13	1.1899	RFQ	3525	cts 저항성 제품	767	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.093 "(2.36mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	2,000	27K	버스	15	-	-	16	100MW
741C083474J	-	RFQ	1274	cts 저항성 제품	741	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.020 "(0.50mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	741C083	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	10,000	470K	외딴	4	-	-	8	63MW
RT2470B7TR7	-	RFQ	3901	cts 저항성 제품	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-	-	-	-	-		-	-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8533.21.0020	1,000	-	-		-	-		-
768163221GP	1.2132	RFQ	8716	cts 저항성 제품	768	튜브	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	43	220	외딴	8	-	-	16	200MW
752201223JPTR7	-	RFQ	4368	cts 저항성 제품	752	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	20-DRT		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	1,000	22k	버스	18	-	-	20	80MW
767161822G	-	RFQ	1343	cts 저항성 제품	767	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.093 "(2.36mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	43	8.2k	버스	15	-	-	16	100MW
770103183P	0.6528	RFQ	9321	cts 저항성 제품	770	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm)	0.195 "(4.95mm)	구멍을 구멍을	10-sip		± 100ppm/° C	10-sip	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	770-103-R18KP	귀 99	8533.21.0050	1,000	18K	외딴	5	-	-	10	100MW
768143332GPTR13	1.1899	RFQ	8812	cts 저항성 제품	768	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	2,000	3.3k	외딴	7	-	-	14	200MW
766161753GP	1.2910	RFQ	2343	cts 저항성 제품	766	튜브	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	49	75K	버스	15	-	-	16	80MW
S41X043471GP	0.0240	RFQ	6578	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록		± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043471GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	470	외딴	2	-	-	4	63MW
RT1800B6	-	RFQ	7153	cts 저항성 제품	-	대부분	쓸모없는	-	-	-	-	-	-	-		-	-	-	rohs 비준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1	-	-		-	-		-
742x083273JP	0.0226	RFQ	1400	cts 저항성 제품	742	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	742x083	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	5,000	27K	외딴	4	-	-	8	63MW
753091473GTR	-	RFQ	7128	cts 저항성 제품	753	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.270 "L x 0.080"W (6.86mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	9-srt		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q1378395A	귀 99	8533.21.0020	1,000	47K	버스	8	-	-	9	40MW
766161101G	-	RFQ	2893	cts 저항성 제품	766	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	49	100	버스	15	-	-	16	80MW
75324G390GTR	-	RFQ	3895	cts 저항성 제품	753	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	GTL, GTL+, AGTL+	0.345 "L x 0.080"W (8.76mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	24-DRT		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	1,000	39	이중 이중	18	-	-	24	60MW
770103472	-	RFQ	2768	cts 저항성 제품	770	대부분	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm)	0.195 "(4.95mm)	구멍을 구멍을	10-sip		± 100ppm/° C	10-sip	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0050	250	4.7k	외딴	5	-	-	10	100MW
766161184GPTR13	1.1757	RFQ	2171	cts 저항성 제품	766	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	3,000	180K	버스	15	-	-	16	80MW
768143272G	-	RFQ	1846	cts 저항성 제품	768	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	768-143-r2.7k	귀 99	8533.21.0010	48	2.7k	외딴	7	-	-	14	200MW
742C083821JTR	-	RFQ	4404	cts 저항성 제품	742	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	742C083	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	5,000	820	외딴	4	-	-	8	63MW
766161513GPTR7	1.2910	RFQ	4741	cts 저항성 제품	766	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	800	51K	버스	15	-	-	16	80MW
744C043102JTR	-	RFQ	1496	cts 저항성 제품	744	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.100"W (3.20mm x 2.54mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	1210 (3225 Metric), 오목합니다	744C043	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	4,000	1K	외딴	2	-	-	4	125MW
RT2493B7TR7	-	RFQ	6674	cts 저항성 제품	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-	-	-	-	-	-		-	-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8533.21.0020	1,000	-	-		-	-		-
75208322G	-	RFQ	4952	cts 저항성 제품	752	대부분	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	8-srt		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	500	2.2k	외딴	4	-	-	8	160MW
768163154G	-	RFQ	1762	cts 저항성 제품	768	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	768-163-R150K	귀 99	8533.21.0010	43	150K	외딴	8	-	-	16	200MW
RT1400B7TR7	-	RFQ	4319	cts 저항성 제품	Clearone ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM	0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm)	0.053 "(1.34mm)	표면 표면	27-lbga		± 200ppm/° C	27-BGA (9x3)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	1,000	25, 50	이중 이중	18	-	-	27	50MW
766161222GPTR7	1.2910	RFQ	1327	cts 저항성 제품	766	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	800	2.2k	버스	15	-	-	16	80MW
752083220G	-	RFQ	2835	cts 저항성 제품	752	대부분	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	8-srt		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	500	22	외딴	4	-	-	8	160MW
RT1401B7TR7	-	RFQ	6007	cts 저항성 제품	Clearone ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM	0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm)	0.053 "(1.34mm)	표면 표면	27-lbga		± 200ppm/° C	27-BGA (9x3)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	1,000	22, 25	이중 이중	18	-	-	27	50MW

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

저항 저항, 네트워크 (9217)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²