RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

저항 저항, 네트워크 (9217)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	온도 온도	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	저항 (옴)	회로 회로	저항 저항	저항 저항 비율	저항-드리프트-비율	핀 핀	요소 요소 전원
S42C043753GP	0.0600	RFQ	7065	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,		± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043753GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	75K	외딴	2	-	-	4	63MW
742C163102JP	0.5100	RFQ	145	cts 저항성 제품	742	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	742C163	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	4,000	1K	외딴	8	-	-	16	63MW
770101121	-	RFQ	7509	cts 저항성 제품	770	대부분	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm)	0.195 "(4.95mm)	구멍을 구멍을	10-sip		± 100ppm/° C	10-sip	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0050	250	120	버스	9	-	-	10	100MW
768163221G	-	RFQ	6145	cts 저항성 제품	768	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	768-163-R220	귀 99	8533.21.0010	43	220	외딴	8	-	-	16	200MW
RT1722B7tr13	-	RFQ	9487	cts 저항성 제품	Clearone ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVD	0.630 "L x 0.157"W (16.00mm x 4.00mm)	0.053 "(1.34mm)	표면 표면	64-lbga		± 200ppm/° C	64-bga (16x4)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	4,000	140, 165	이중 이중	48	-	-	64	68MW
767143123G	-	RFQ	9151	cts 저항성 제품	767	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm)	0.093 "(2.36mm)	표면 표면	14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	48	12k	외딴	7	-	-	14	200MW
766163394GPTR13	1.1757	RFQ	9422	cts 저항성 제품	766	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	3,000	390K	외딴	8	-	-	16	160MW
752091561GTR7	-	RFQ	4932	cts 저항성 제품	752	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	9-srt		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	1,000	560	버스	8	-	-	9	80MW
767143471G	-	RFQ	5074	cts 저항성 제품	767	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm)	0.093 "(2.36mm)	표면 표면	14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	48	470	외딴	7	-	-	14	200MW
77081271	-	RFQ	3726	cts 저항성 제품	770	대부분	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm)	0.195 "(4.95mm)	구멍을 구멍을	8-sip		± 100ppm/° C	8-sip	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0050	250	270	버스	7	-	-	8	100MW
766161822JP	-	RFQ	7900	cts 저항성 제품	-	튜브	쓸모없는											다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		60-7661618222JP	귀 99	8533.21.0020	49
RT1430B7	-	RFQ	1314	cts 저항성 제품	Clearone ™	대부분	쓸모없는	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM	0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm)	0.053 "(1.34mm)	표면 표면	27-lbga		± 200ppm/° C	27-BGA (9x3)	-	rohs 비준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1	60	이중 이중	18	-	-	27	50MW
753123330GP	3.5600	RFQ	860	cts 저항성 제품	753	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.345 "L x 0.080"W (8.76mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	12-srt		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	250	33	외딴	6	-	-	12	80MW
767161560G	-	RFQ	3532	cts 저항성 제품	767	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.093 "(2.36mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	43	56	버스	15	-	-	16	100MW
766143221G	-	RFQ	3787	cts 저항성 제품	766	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	56	220	외딴	7	-	-	14	160MW
744c083122jtr	-	RFQ	8049	cts 저항성 제품	744	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	2012, 오목한, 오목한 측면 터미널	744C083	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	4,000	1.2k	외딴	4	-	-	8	125MW
742C083201JP	0.0282	RFQ	9019	cts 저항성 제품	742	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	742C083	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	5,000	200	외딴	4	-	-	8	63MW
768163510GPTR13	1.1899	RFQ	5407	cts 저항성 제품	768	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	2,000	51	외딴	8	-	-	16	200MW
752091512GP	1.5389	RFQ	5636	cts 저항성 제품	752	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	9-srt		± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	250	5.1k	버스	8	-	-	9	80MW
766143201G	-	RFQ	3305	cts 저항성 제품	766	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	56	200	외딴	7	-	-	14	160MW
767143392GPTR13	1.1757	RFQ	8559	cts 저항성 제품	767	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm)	0.093 "(2.36mm)	표면 표면	14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	2,000	3.9k	외딴	7	-	-	14	200MW
770103330	-	RFQ	3283	cts 저항성 제품	770	대부분	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm)	0.195 "(4.95mm)	구멍을 구멍을	10-sip		± 100ppm/° C	10-sip	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0050	250	33	외딴	5	-	-	10	100MW
766163203G	-	RFQ	6299	cts 저항성 제품	766	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm)	0.069 "(1.75mm)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	49	20k	외딴	8	-	-	16	160MW
768143274G	-	RFQ	2247	cts 저항성 제품	768	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	768-143-R270K	귀 99	8533.21.0010	48	270K	외딴	7	-	-	14	200MW
767163183GPTR13	1.1899	RFQ	1726	cts 저항성 제품	767	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.093 "(2.36mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	2,000	18K	외딴	8	-	-	16	200MW
768163562GP	1.2132	RFQ	1989	cts 저항성 제품	768	튜브	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	43	5.6k	외딴	8	-	-	16	200MW
770105220/330	-	RFQ	6466	cts 저항성 제품	770	대부분	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm)	0.195 "(4.95mm)	구멍을 구멍을	10-sip		± 100ppm/° C	10-sip	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0050	250	220, 330	이중 이중	16	-	-	10	100MW
767141473G	-	RFQ	5186	cts 저항성 제품	767	튜브	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm)	0.093 "(2.36mm)	표면 표면	14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비)		± 100ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0010	48	47K	버스	13	-	-	14	100MW
77061394	-	RFQ	7371	cts 저항성 제품	770	대부분	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm)	0.195 "(4.95mm)	구멍을 구멍을	6-sip		± 100ppm/° C	6-sip	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0050	250	390K	버스	5	-	-	6	100MW
745C102473JP	0.1408	RFQ	3136	cts 저항성 제품	745	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.122"W (6.40mm x 3.10mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	745C102	± 250ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.21.0020	4,000	47K	버스	8	-	-	10	63MW

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

저항 저항, 네트워크 (9217)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²