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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
752101332GTR7 CTS Resistor Products 752101332GTR7 -
RFQ
ECAD 1509 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 3.3k 버스 9 - - 10 80MW
766143471GPTR7 CTS Resistor Products 766143471GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 6671 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q5415473A 귀 99 8533.21.0010 800 470 외딴 7 - - 14 160MW
766141221GP CTS Resistor Products 766141221GP 1.2910
RFQ
ECAD 9949 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 220 버스 13 - - 14 80MW
S41X083134FP CTS Resistor Products S41X083134FP 0.0311
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083134FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 130K 외딴 4 - - 8 31MW
768161272G CTS Resistor Products 768161272G -
RFQ
ECAD 2559 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-161-R2.7K 귀 99 8533.21.0010 43 2.7k 버스 15 - - 16 100MW
S42C043105GP CTS Resistor Products S42C043105GP 0.0600
RFQ
ECAD 8180 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043105GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 1m 외딴 2 - - 4 63MW
767143221GP CTS Resistor Products 767143221GP 1.1988
RFQ
ECAD 8846 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-143-R220p 귀 99 8533.21.0010 48 220 외딴 7 - - 14 200MW
743C083822JTR CTS Resistor Products 743C083822JTR -
RFQ
ECAD 3823 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 8.2k 외딴 4 - - 8 100MW
S40X043122JP CTS Resistor Products S40X043122JP 0.0901
RFQ
ECAD 8972 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043122JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 1.2k 외딴 2 - - 4 31MW
S42X083910JP CTS Resistor Products S42X083910JP 0.0412
RFQ
ECAD 6598 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083910JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 91 외딴 4 - - 8 63MW
768163560GPTR13 CTS Resistor Products 768163560GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 7300 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 56 외딴 8 - - 16 200MW
RT243B7P CTS Resistor Products RT243B7P -
RFQ
ECAD 2786 0.00000000 cts 저항성 제품 - 대부분 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 - - - - -
743C083561JP CTS Resistor Products 743C083561JP -
RFQ
ECAD 7779 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 560 외딴 4 - - 8 100MW
768163100GP CTS Resistor Products 768163100GP 1.2132
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 10 외딴 8 - - 16 200MW
744C083824JP CTS Resistor Products 744C083824JP -
RFQ
ECAD 8888 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 744C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 744C083824JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 820K 외딴 4 - - 8 125MW
767161273GPTR13 CTS Resistor Products 767161273GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 27K 버스 15 - - 16 100MW
S41X083153GP CTS Resistor Products S41X083153GP 0.0269
RFQ
ECAD 3630 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083153GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 15k 외딴 4 - - 8 31MW
S42C083510GP CTS Resistor Products S42C083510GP 0.0813
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083510GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 51 외딴 4 - - 8 63MW
768163102G CTS Resistor Products 768163102G -
RFQ
ECAD 8627 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-163-R1K 귀 99 8533.21.0010 43 1K 외딴 8 - - 16 200MW
744C043102JTR CTS Resistor Products 744C043102JTR -
RFQ
ECAD 1496 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.100"W (3.20mm x 2.54mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1210 (3225 Metric), 오목합니다 744C043 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 1K 외딴 2 - - 4 125MW
RT1435B6TR7 CTS Resistor Products RT1435B6TR7 -
RFQ
ECAD 9555 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C PCI, PCIX 0.450 "L x 0.150"W (11.43mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (11.43x3.81) - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1K 이중 이중 8 - - 27 50MW
767141202G CTS Resistor Products 767141202G -
RFQ
ECAD 4661 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 2K 버스 13 - - 14 100MW
742C0831003FP CTS Resistor Products 742C0831003FP 0.0487
RFQ
ECAD 1863 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 100k 외딴 4 - - 8 63MW
RT139B6TR13 CTS Resistor Products RT139B6TR13 -
RFQ
ECAD 3948 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 - - - - -
767163680G CTS Resistor Products 767163680G -
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 68 외딴 8 - - 16 200MW
745C101151JP CTS Resistor Products 745C101151JP 0.1408
RFQ
ECAD 1074 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 745C101 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 150 버스 8 - - 10 63MW
766163100GP CTS Resistor Products 766163100GP 1.2910
RFQ
ECAD 2559 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 10 외딴 8 - - 16 160MW
RT1436B6TR7 CTS Resistor Products RT1436B6TR7 -
RFQ
ECAD 2441 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.450 "L x 0.150"W (11.43mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (11.43x3.81) - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1K 이중 이중 16 - - 27 50MW
770101221 CTS Resistor Products 770101221 -
RFQ
ECAD 7064 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 220 버스 9 - - 10 100MW
S41C083120JP CTS Resistor Products S41C083120JP 0.0481
RFQ
ECAD 5692 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083120JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 12 외딴 4 - - 8 31.25MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고