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| RT1404B7PTR7 | - | | 1251 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "L x 0.157"W (9.00mm x 4.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 36-lbga | ± 200ppm/° C | 36-BGA (9x4) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 25 | 이중 이중 | 18 | - | - | 36 | 50MW | |||
| 77083224 | - | | 9668 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 220K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||
| 766161332GP | 1.2910 | | 6200 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 766-161-R3.3KP | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 3.3k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | ||
 | 742C0831001FP | 0.0533 | | 15 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 742 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | 742C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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