전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 77081332p | 0.6179 | ![]() | 4382 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-81-R3.3KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 3.3k | 버스 | 7 | - | - | 8 | 100MW | ||
![]() | S42C163273GP | 0.1813 | ![]() | 2511 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163273GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 27K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
![]() | 768161563GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 4205 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 56K | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
![]() | 767143472JPTR13 | - | ![]() | 9630 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 60-767143472JPTR13TR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,000 | |||||||||||||||||||
![]() | 766141222GPTR7 | 1.2910 | ![]() | 1867 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 2.2k | 버스 | 13 | - | - | 14 | 80MW | |||
![]() | 77083201 | - | ![]() | 2364 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 200 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||
![]() | 753243220GP | 2.2932 | ![]() | 4613 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.345 "L x 0.080"W (8.76mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 24-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 22 | 외딴 | 12 | - | - | 24 | 80MW | |||
![]() | 770103330 | - | ![]() | 3283 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 33 | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | |||
![]() | 752161104GPTR13 | 1.3150 | ![]() | 2389 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 16-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 100k | 버스 | 14 | - | - | 16 | 80MW | |||
![]() | S41X043302FP | 0.0283 | ![]() | 8725 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043302FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 3K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 767141224GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 9763 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 220K | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
![]() | S41C083121GP | 0.0560 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083121GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 120 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||
![]() | 767163101GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 2507 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 100 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 200MW | |||
![]() | 770103394P | 0.6528 | ![]() | 7809 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-103-R390KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 390K | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | ||
![]() | 766161273GP | 1.2910 | ![]() | 6183 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 766-161-R27KP | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 27K | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | ||
![]() | S41X043224GP | 0.0240 | ![]() | 3950 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043224GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 220K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
![]() | 767161510GP | 1.2132 | ![]() | 8517 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 767-161-R51p | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 51 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | ||
![]() | S42X083223FP | 0.0560 | ![]() | 9695 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083223FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 22k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
![]() | 767163472JP | - | ![]() | 7151 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 60-767163472JP | 귀 99 | 8533.21.0020 | 43 | |||||||||||||||||||
![]() | 770103333P | 0.6528 | ![]() | 1883 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-103-R33KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 33k | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | ||
![]() | S41X083181GP | 0.0269 | ![]() | 2612 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083181GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 180 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
![]() | S41X083360FP | 0.0311 | ![]() | 4219 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083360FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 36 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
744C083182JP | - | ![]() | 6654 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 | 744C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 1.8K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | |||
![]() | 752161473GP | 1.6934 | ![]() | 8956 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 16-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 47K | 버스 | 14 | - | - | 16 | 80MW | |||
![]() | 766163103jptr7 | - | ![]() | 6303 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 60-766163103JPtr7tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 800 | |||||||||||||||||||
![]() | 752163101GPTR7 | 1.6161 | ![]() | 2391 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 16-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 100 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||
![]() | 767163563GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 1791 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 56K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 200MW | |||
752101682GPTR7 | 1.5389 | ![]() | 4100 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 10-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 6.8k | 버스 | 9 | - | - | 10 | 80MW | ||||
![]() | S42C163154GP | 0.1813 | ![]() | 1364 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163154GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 150K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
![]() | 752201224GPTR13 | 1.3488 | ![]() | 1924 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 20-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 220K | 버스 | 18 | - | - | 20 | 80MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고