SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
S42C043201JP CTS Resistor Products S42C043201JP 0.0508
RFQ
ECAD 1754 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043201JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 200 외딴 2 - - 4 63MW
766141393GP CTS Resistor Products 766141393GP 1.2910
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 39K 버스 13 - - 14 80MW
752121331GP CTS Resistor Products 752121331GP 1.5389
RFQ
ECAD 5052 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 330 버스 11 - - 12 80MW
S42X083820FP CTS Resistor Products S42X083820FP 0.0560
RFQ
ECAD 3643 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083820FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 82 외딴 4 - - 8 63MW
743C083223JP CTS Resistor Products 743C083223JP -
RFQ
ECAD 4449 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 22k 외딴 4 - - 8 100MW
766141334G CTS Resistor Products 766141334G -
RFQ
ECAD 6769 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 330K 버스 13 - - 14 80MW
766143333GPTR7 CTS Resistor Products 766143333GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 33k 외딴 7 - - 14 160MW
744C08333R0FP CTS Resistor Products 744C08333R0FP -
RFQ
ECAD 6240 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 744C083 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-744C08333R0FPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000
S42X083162GP CTS Resistor Products S42X083162GP 0.0495
RFQ
ECAD 6050 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083162GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.6k 외딴 4 - - 8 63MW
S41X083100FP CTS Resistor Products S41X083100FP 0.0311
RFQ
ECAD 4178 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083100FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 10 외딴 4 - - 8 31MW
767143474GP CTS Resistor Products 767143474GP 1.1988
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-143-R470KP 귀 99 8533.21.0010 48 470K 외딴 7 - - 14 200MW
77063272P CTS Resistor Products 77063272p 0.6179
RFQ
ECAD 9474 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-r2.7kp 귀 99 8533.21.0050 1,000 2.7k 외딴 3 - - 6 100MW
767143272GP CTS Resistor Products 767143272GP 1.1988
RFQ
ECAD 6051 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-143-r2.7kp 귀 99 8533.21.0010 48 2.7k 외딴 7 - - 14 200MW
767163820GPTR13 CTS Resistor Products 767163820GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 8716 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 82 외딴 8 - - 16 200MW
766143563GP CTS Resistor Products 766143563GP 1.2910
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-143-R56KP 귀 99 8533.21.0010 56 56K 외딴 7 - - 14 160MW
743C083823JP CTS Resistor Products 743C083823JP -
RFQ
ECAD 3268 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 82k 외딴 4 - - 8 100MW
768161181G CTS Resistor Products 768161181G -
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-161-R180 귀 99 8533.21.0010 43 180 버스 15 - - 16 100MW
767141512GPTR13 CTS Resistor Products 767141512GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 3868 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 5.1k 버스 13 - - 14 100MW
767161330GP CTS Resistor Products 767161330GP 1.2132
RFQ
ECAD 2476 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 33 버스 15 - - 16 100MW
RT1721B6TR7 CTS Resistor Products RT1721B6TR7 -
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C LVD 0.400 "L x 0.200"W (10.16mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 32-lbga ± 200ppm/° C 32-BGA (10.16x5.08) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 100, 187 이중 이중 24 - - 32 68MW
RT2465B7 CTS Resistor Products RT2465B7 -
RFQ
ECAD 6899 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "L x 0.157"W (9.00mm x 4.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (9x4) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 47 이중 이중 18 - - 36 50MW
S42C083131JP CTS Resistor Products S42C083131JP 0.0680
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083131JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 130 외딴 4 - - 8 63MW
741C083220JP CTS Resistor Products 741C083220JP 0.1400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 22 외딴 4 - - 8 63MW
77085220/330 CTS Resistor Products 77085220/330 -
RFQ
ECAD 1878 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 220, 330 이중 이중 12 - - 8 100MW
S41X083101JP CTS Resistor Products S41X083101JP 0.1600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 100 외딴 4 - - 8 31MW
752121331GPTR7 CTS Resistor Products 752121331GPTR7 1.5389
RFQ
ECAD 6546 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 330 버스 11 - - 12 80MW
742C043470JP CTS Resistor Products 742C043470JP 0.1700
RFQ
ECAD 148 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 0606,, 742C043 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 47 외딴 2 - - 4 63MW
766163823GP CTS Resistor Products 766163823GP 1.2910
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-163-R82KP 귀 99 8533.21.0010 49 82k 외딴 8 - - 16 160MW
767161334G CTS Resistor Products 767161334G -
RFQ
ECAD 1422 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 330K 버스 15 - - 16 100MW
RT2235B CTS Resistor Products RT2235B -
RFQ
ECAD 6724 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C pci® 0.315 "L x 0.157"W (8.00mm x 4.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (8x4) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1 50 이중 이중 16 - - 36 50MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고