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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
S41X083182JP CTS Resistor Products S41X083182JP 0.0226
RFQ
ECAD 6276 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083182JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 1.8K 외딴 4 - - 8 31MW
742C083564JP CTS Resistor Products 742C083564JP 0.0282
RFQ
ECAD 3872 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742C083564JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 560K 외딴 4 - - 8 63MW
768141681GP CTS Resistor Products 768141681GP 1.2132
RFQ
ECAD 9368 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 680 버스 13 - - 14 100MW
S41C083204FP CTS Resistor Products S41C083204FP 0.0653
RFQ
ECAD 2297 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083204FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 200k 외딴 4 - - 8 31.25MW
766143123GP CTS Resistor Products 766143123GP 1.2910
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 12k 외딴 7 - - 14 160MW
S41X083751FP CTS Resistor Products S41X083751FP 0.0311
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083751FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 750 외딴 4 - - 8 31MW
767163472JP CTS Resistor Products 767163472JP -
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 cts 저항성 제품 - 튜브 쓸모 쓸모 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 60-767163472JP 귀 99 8533.21.0020 43
768141182GPTR13 CTS Resistor Products 768141182GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 7662 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 1.8K 버스 13 - - 14 100MW
S41X083183FP CTS Resistor Products S41X083183FP 0.0311
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083183FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 18K 외딴 4 - - 8 31MW
766143391GP CTS Resistor Products 766143391GP 1.2910
RFQ
ECAD 3311 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 390 외딴 7 - - 14 160MW
S42C043153GP CTS Resistor Products S42C043153GP 0.0600
RFQ
ECAD 4179 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043153GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 15k 외딴 2 - - 4 63MW
77081330P CTS Resistor Products 77081330p 0.6179
RFQ
ECAD 2234 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-81-R33P 귀 99 8533.21.0050 1,000 33 버스 7 - - 8 100MW
752181222JPTR7 CTS Resistor Products 752181222JPTR7 -
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-752181222jptr7tr 귀 99 8533.21.0020 1,000
RT2454B6TR7 CTS Resistor Products RT2454B6TR7 -
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C GTL, GTL+, AGTL+ 0.300 "L x 0.150"W (7.62mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 18-lbga ± 100ppm/° C 18-BGA (7.62x3.81) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 56 이중 이중 16 - - 18 50MW
S41X083154FP CTS Resistor Products S41X083154FP 0.0311
RFQ
ECAD 1401 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083154FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 150K 외딴 4 - - 8 31MW
768205401APTR13 CTS Resistor Products 768205401APTR13 1.6248
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.540 "L x 0.220"W (13.70mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 680, 1K 이중 이중 36 - - 20 100MW
RT2407B7TR13 CTS Resistor Products RT2407B7tr13 -
RFQ
ECAD 7412 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (9x3) - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 35 이중 이중 18 - - 27 50MW
S41X043620JP CTS Resistor Products S41X043620JP 0.0198
RFQ
ECAD 9889 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043620JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 62 외딴 2 - - 4 63MW
767143203GP CTS Resistor Products 767143203GP 1.1988
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-143-R20KP 귀 99 8533.21.0010 48 20k 외딴 7 - - 14 200MW
753161102GPTR13 CTS Resistor Products 753161102GPTR13 1.7738
RFQ
ECAD 4934 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 16-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 1K 버스 14 - - 16 40MW
766161203GP CTS Resistor Products 766161203GP 2.8600
RFQ
ECAD 931 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-161-R20KP 귀 99 8533.21.0010 49 20k 버스 15 - - 16 80MW
RT2712B7TR13 CTS Resistor Products RT2712B7tr13 -
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - - - - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 4,000 - - - - -
768163221GP CTS Resistor Products 768163221GP 1.2132
RFQ
ECAD 8716 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 220 외딴 8 - - 16 200MW
S42C043120JP CTS Resistor Products S42C043120JP 0.0508
RFQ
ECAD 1181 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043120JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 12 외딴 2 - - 4 63MW
RT2400B7PTR7 CTS Resistor Products RT2400B7PTR7 -
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (9x3) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 25, 50 이중 이중 18 - - 27 50MW
S42C163103JP CTS Resistor Products S42C163103JP 0.1518
RFQ
ECAD 7116 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163103JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 10k 외딴 8 - - 16 63MW
766161270GPTR7 CTS Resistor Products 766161270GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 1549 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 27 버스 15 - - 16 80MW
766141103JPTR7 CTS Resistor Products 766141103JPTR7 -
RFQ
ECAD 7305 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 60-766141103jptr7tr 귀 99 8533.21.0020 800
S40X043560JP CTS Resistor Products S40X043560JP 0.0901
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043560JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 56 외딴 2 - - 4 31MW
S42C163511JP CTS Resistor Products S42C163511JP 0.1518
RFQ
ECAD 6987 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163511JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 510 외딴 8 - - 16 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고