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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 744C043331JP | - |  | 6998 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.100"W (3.20mm x 2.54mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1210 (3225 Metric), 오목합니다 | 744C043 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 330 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 125MW | ||
 | S42C043301JP | 0.0508 | | 8465 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043301JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 300 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
 | S42C163154GP | 0.1813 | | 1364 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163154GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 150K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
 | 742C0832402FP | 0.0487 | | 1280 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 742 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | 742C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 2.4k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
| S42C083684GP | 0.0813 | | 2711 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083684GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 680K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
 | RT2463B6TR13 | - | | 8174 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.450 "L x 0.200"W (11.43mm x 5.08mm) | 0.058 "(1.47mm) | 표면 표면 | 36-lbga | ± 200ppm/° C | 36-BGA (11.43x5.08) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 33 | 이중 이중 | 18 | - | - | 36 | 50MW | |||
 | 753091223GPTR13 | 1.4863 | | 9312 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.270 "L x 0.080"W (6.86mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 9-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 22k | 버스 | 8 | - | - | 9 | 40MW | |||
 | 768161391GP | 1.2132 | | 1387 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 390 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
 | 768143221GPTR13 | 1.1899 | | 6207 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 220 | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 200MW | |||
 | 770103824 | - | | 7730 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 820K | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | |||
| RT2403B6TR7 | - | | 2939 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.450 "L x 0.150"W (11.43mm x 3.81mm) | 0.058 "(1.47mm) | 표면 표면 | 27-lbga | ± 200ppm/° C | 27-BGA (11.43x3.81) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 25 | 이중 이중 | 18 | - | - | 27 | 50MW | |||
 | 767161204GP | 1.2132 | | 8230 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 200k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
| 768161153GP | 1.2132 | | 1420 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 43 | 15k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||
 | 745C102221JP | 0.1408 | | 4888 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 745 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.122"W (6.40mm x 3.10mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | 745C102 | ± 250ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 220 | 버스 | 8 | - | - | 10 | 63MW | ||
 | 766143824GPTR7 | 1.2910 | | 1902 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 820K | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 160MW | |||
| RT2470B7TR7 | - | | 3901 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | - | - | - | - | - | ||||||
 | 752101682GPTR7 | 1.5389 | | 4100 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 10-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 6.8k | 버스 | 9 | - | - | 10 | 80MW | |||
| RT2493B7TR7 | - | | 6674 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | - | - | - | - | - | ||||||
| RT2436B6TR7 | - | | 1348 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | - | - | - | - | ± 200ppm/° C | - | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 1K | 이중 이중 | 16 | - | - | 50MW | |||||
| 752101101GPTR7 | 1.5389 | | 7253 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 10-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 100 | 버스 | 9 | - | - | 10 | 80MW | |||
 | S41C083272GP | 0.0560 | | 8952 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083272GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 2.7k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||
 | 741X083330JP | 0.1000 | | 502 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | 741x083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 33 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
 | 752095171BPTR13 | 1.4000 | | 5471 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 9-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 330 | 이중 이중 | 14 | - | - | 9 | 80MW | |||
| S41X083510JP | 0.0226 | | 5523 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083510JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 51 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
| RT1729B7TR7 | - | | 4415 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | LVDS, LVPECL | 0.315 "L x 0.157"W (8.00mm x 4.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 32-lbga | ± 200ppm/° C | 32-BGA (8x4) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 70, 240 | 이중 이중 | 24 | - | - | 32 | 68MW | ||||
| S42C163472GP | 0.1813 | | 2907 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163472GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 4.7k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
| 752081103JPTR13 | - | | 1617 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 60-752081103jptr13tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | |||||||||||||||||||
| 770101821p | 0.6762 | | 6224 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-101-R820P | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 820 | 버스 | 9 | - | - | 10 | 100MW | ||
| S42C043112GP | 0.0600 | | 9670 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043112GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.1k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
| S41X083180JP | 0.0226 | | 6666 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083180JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 18 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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