SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
766143181GPTR13 CTS Resistor Products 766143181GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 3665 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 180 외딴 7 - - 14 160MW
77081563P CTS Resistor Products 77081563P 0.6179
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-81-R56KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 56K 버스 7 - - 8 100MW
RT2435B6TR7 CTS Resistor Products RT2435B6TR7 -
RFQ
ECAD 5390 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C PCI, PCIX - - - - ± 200ppm/° C - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 1K 이중 이중 8 - - 50MW
766161124G CTS Resistor Products 766161124G -
RFQ
ECAD 2203 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 120K 버스 15 - - 16 80MW
S42C163913JP CTS Resistor Products S42C163913JP 0.1518
RFQ
ECAD 1660 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163913JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 91K 외딴 8 - - 16 63MW
753101102GPTR13 CTS Resistor Products 753101102GPTR13 1.4863
RFQ
ECAD 6378 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.295 "L x 0.080"W (7.49mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 1K 버스 9 - - 10 40MW
745C102472JP CTS Resistor Products 745C102472JP 0.1408
RFQ
ECAD 6941 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.122"W (6.40mm x 3.10mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 745C102 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 4.7k 버스 8 - - 10 63MW
766163204GP CTS Resistor Products 766163204GP 1.2910
RFQ
ECAD 7370 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 200k 외딴 8 - - 16 160MW
768163394GPTR13 CTS Resistor Products 768163394GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 2434 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 390K 외딴 8 - - 16 200MW
766161470GPTR13 CTS Resistor Products 766161470GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 6956 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 47 버스 15 - - 16 80MW
767141473GP CTS Resistor Products 767141473GP 2.8300
RFQ
ECAD 789 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-141-R47KP 귀 99 8533.21.0010 48 47K 버스 13 - - 14 100MW
767141153GPTR13 CTS Resistor Products 767141153GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 15k 버스 13 - - 14 100MW
752091222GPTR7 CTS Resistor Products 752091222GPTR7 3.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 9-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 2.2k 버스 8 - - 9 80MW
767141122GP CTS Resistor Products 767141122GP 1.1988
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 1.2k 버스 13 - - 14 100MW
744C083471JP CTS Resistor Products 744C083471JP -
RFQ
ECAD 5120 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 744C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 470 외딴 4 - - 8 125MW
77063124P CTS Resistor Products 77063124p 0.6179
RFQ
ECAD 5771 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-R120KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 120K 외딴 3 - - 6 100MW
S42C043910GP CTS Resistor Products S42C043910GP 0.0600
RFQ
ECAD 2341 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043910GPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 91 외딴 2 - - 4 63MW
S42C083164FP CTS Resistor Products S42C083164FP 0.0914
RFQ
ECAD 1471 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083164FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 160K 외딴 4 - - 8 63MW
S42C043624JP CTS Resistor Products S42C043624JP 0.0508
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043624JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 620K 외딴 2 - - 4 63MW
767143201GP CTS Resistor Products 767143201GP 1.1988
RFQ
ECAD 6248 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-143-R200p 귀 99 8533.21.0010 48 200 외딴 7 - - 14 200MW
767141123GPTR13 CTS Resistor Products 767141123GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 8945 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 12k 버스 13 - - 14 100MW
S41X043114FP CTS Resistor Products S41X043114FP 0.0283
RFQ
ECAD 7077 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043114FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 110K 외딴 2 - - 4 63MW
745C101333JTR CTS Resistor Products 745c1013333tr -
RFQ
ECAD 3852 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 745C101 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 33k 버스 8 - - 10 63MW
RT2726B7TR13 CTS Resistor Products RT2726B7tr13 -
RFQ
ECAD 5003 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C LVD 0.630 "L x 0.157"W (16.00mm x 4.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 64-lbga ± 200ppm/° C 64-bga (16x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 70, 187 이중 이중 48 - - 64 68MW
767141201GP CTS Resistor Products 767141201GP 1.1988
RFQ
ECAD 8668 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 200 버스 13 - - 14 100MW
S42C083272JP CTS Resistor Products S42C083272JP 0.0680
RFQ
ECAD 3150 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083272JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 2.7k 외딴 4 - - 8 63MW
RT1203B CTS Resistor Products RT1203B -
RFQ
ECAD 2300 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C pci® 0.630 "L x 0.157"W (16.00mm x 4.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 64-lbga ± 200ppm/° C 64-bga (16x4) - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 33 이중 이중 32 - - 64 50MW
741X0834992FP CTS Resistor Products 741x0834992fp 0.0600
RFQ
ECAD 9797 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741x083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 49.9k 외딴 4 - - 8 63MW
S41C083224FP CTS Resistor Products S41C083224FP 0.0653
RFQ
ECAD 1879 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083224FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 220K 외딴 4 - - 8 31.25MW
767163203GPTR13 CTS Resistor Products 767163203GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 9216 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 20k 외딴 8 - - 16 200MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고