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저항 저항, 네트워크 (9217)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	온도 온도	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	저항 (옴)	회로 회로	저항 저항	저항 저항 비율	저항-드리프트-비율	핀 핀	요소 요소 전원
S41X043392FP	0.0283	RFQ	9075	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043392FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	3.9k	외딴	2	-	-	4	63MW
S41C083470FP	0.0653	RFQ	9760	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083470FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	47	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42C043512JP	0.0508	RFQ	4815	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043512JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	5.1k	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C043561FP	0.0693	RFQ	8341	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043561FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	560	외딴	2	-	-	4	63MW
S42X08343333JP	0.0412	RFQ	4307	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X08343333JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	43K	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C163183JP	0.1518	RFQ	2866	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163183JPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	18K	외딴	8	-	-	16	63MW
S40X043104JP	0.0901	RFQ	7897	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043104JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	100k	외딴	2	-	-	4	31MW
S42C083330FP	0.0914	RFQ	9728	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083330FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	33	외딴	4	-	-	8	63MW
752091472GP	1.5389	RFQ	7246	cts 저항성 제품	752	대부분	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm)	0.100 "(2.53mm)	표면 표면	9-srt	± 200ppm/° C	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-752091472GP	귀 99	8533.21.0020	250	4.7k	버스	8	-	-	9	80MW
S42C083824JP	0.0680	RFQ	3488	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083824JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	820K	외딴	4	-	-	8	63MW
S40X043913JP	0.0901	RFQ	6837	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043913JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	91K	외딴	2	-	-	4	31MW
S40X043222JP	0.0901	RFQ	8888	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043222JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	2.2k	외딴	2	-	-	4	31MW
S42C083112GP	0.0813	RFQ	1766	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083112GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	1.1k	외딴	4	-	-	8	63MW
S41X083394FP	0.0311	RFQ	3395	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083394FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	390K	외딴	4	-	-	8	31MW
S41C083330GP	0.0560	RFQ	9841	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083330GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	33	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42C043242GP	0.0600	RFQ	9615	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043242GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	2.4k	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X04333333JP	0.0198	RFQ	9790	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X0433333JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	33k	외딴	2	-	-	4	63MW
S41C083332JP	0.0481	RFQ	1308	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083332JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	3.3k	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42X083270GP	0.0495	RFQ	8798	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083270GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	27	외딴	4	-	-	8	63MW
S41C083330FP	0.0653	RFQ	2667	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083330FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	33	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42C083624FP	0.0914	RFQ	4314	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083624FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	620K	외딴	4	-	-	8	63MW
S40X043391JP	0.0901	RFQ	6336	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043391JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	390	외딴	2	-	-	4	31MW
S42C163113JP	0.1518	RFQ	2519	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163113JPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	11k	외딴	8	-	-	16	63MW
S40X043511JP	0.0901	RFQ	6843	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043511JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	510	외딴	2	-	-	4	31MW
S42X083103FP	0.0560	RFQ	8705	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083103FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	10k	외딴	4	-	-	8	63MW
S41X083513GP	0.0269	RFQ	1851	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083513GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	51K	외딴	4	-	-	8	31MW
S41X083393FP	0.0311	RFQ	4131	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083393FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	39K	외딴	4	-	-	8	31MW
S42C043130JP	0.0508	RFQ	4422	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043130JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	13	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C163273GP	0.1813	RFQ	2511	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163273GPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	27K	외딴	8	-	-	16	63MW
S42C083684FP	0.0914	RFQ	4082	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083684FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	680K	외딴	4	-	-	8	63MW

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

저항 저항, 네트워크 (9217)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²