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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S41X083270JP | 0.1600 |  | 9 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 27 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | |||
 | S42C043104JP | 0.0508 | | 9227 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043104JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
 | 770103183P | 0.6528 | | 9321 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-103-R18KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 18K | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | ||
 | 766141273GPTR13 | 1.1757 | | 7987 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 27K | 버스 | 13 | - | - | 14 | 80MW | |||
 | 767163472JP | - | | 7151 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 60-767163472JP | 귀 99 | 8533.21.0020 | 43 | |||||||||||||||||||
 | 768141681GP | 1.2132 | | 9368 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 680 | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
| RT2454B6TR7 | - | | 4533 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | GTL, GTL+, AGTL+ | 0.300 "L x 0.150"W (7.62mm x 3.81mm) | 0.058 "(1.47mm) | 표면 표면 | 18-lbga | ± 100ppm/° C | 18-BGA (7.62x3.81) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 56 | 이중 이중 | 16 | - | - | 18 | 50MW | ||||
 | S41X083154FP | 0.0311 | | 1401 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083154FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 150K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
| 768141393GP | 1.2132 | | 4837 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 39K | 버스 | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||
 | 766163330GPTR7 | 1.2910 | | 7513 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 33 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||
| 770103123 | - | | 4507 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모 쓸모 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 12k | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | |||
 | 743C083471JP | - | | 5483 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 743 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 470 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||
| S42C043222JP | 0.0508 | | 1943 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043222JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 2.2k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
 | 768205401APTR13 | 1.6248 | | 1604 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.540 "L x 0.220"W (13.70mm x 5.59mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 680, 1K | 이중 이중 | 36 | - | - | 20 | 100MW | |||
| S42C043153GP | 0.0600 | | 4179 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043153GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 15k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
| 752181222JPTR7 | - | | 4469 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 60-752181222jptr7tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | 767143203GP | 1.1988 | | 2501 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 767-143-R20KP | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 20k | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 200MW | ||
 | S41X043620JP | 0.0198 | | 9889 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043620JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 62 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
 | 753091103GPTR7 | 3.0000 | | 18 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.270 "L x 0.080"W (6.86mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 9-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 10k | 버스 | 8 | - | - | 9 | 40MW | |||
 | S42C163103JP | 0.1518 | | 7116 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163103JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 10k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
| 766161270GPTR7 | 1.2910 | | 1549 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 27 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | |||
| 766141103JPTR7 | - | | 7305 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 60-766141103jptr7tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 800 | |||||||||||||||||||
 | 741C083682JP | 0.0184 | | 3694 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | 741C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 6.8k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
 | 743C0831002FP | - | | 8694 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 743 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 10k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||
 | 77081330p | 0.6179 | | 2234 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-81-R33P | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 33 | 버스 | 7 | - | - | 8 | 100MW | ||
| RT2405B6TR7 | - | | 3203 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.450 "L x 0.200"W (11.43mm x 5.08mm) | 0.058 "(1.47mm) | 표면 표면 | 36-lbga | ± 200ppm/° C | 36-BGA (11.43x5.08) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 22 | 이중 이중 | 18 | - | - | 36 | 50MW | |||
| RT2407B7tr13 | - | | 7412 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 27-lbga | ± 200ppm/° C | 27-BGA (9x3) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 35 | 이중 이중 | 18 | - | - | 27 | 50MW | |||
| S42C043511GP | 0.0600 | | 8329 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043511GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 510 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
| S40X043560JP | 0.0901 | | 1314 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S40X043560JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 56 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | ||
| S41X083161JP | 0.0226 | | 5867 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083161JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 160 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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