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| 741C083272J | - | | 7177 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 741 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | 741C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 2.7k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
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| 752243330JPTR13 | - | | 7036 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 60-752243330jptr13tr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | |||||||||||||||||||
 | S41X043820JP | 0.0198 | | 8816 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043820JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 82 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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