RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

저항 저항, 네트워크 (9217)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	온도 온도	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	저항 (옴)	회로 회로	저항 저항	저항 저항 비율	저항-드리프트-비율	핀 핀	요소 요소 전원
S41X083124JP	0.0226	RFQ	7378	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083124JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	120K	외딴	4	-	-	8	31MW
S42X083683FP	0.0560	RFQ	5334	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083683FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	68K	외딴	4	-	-	8	63MW
S41C083243GP	0.0560	RFQ	5649	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083243GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	24K	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42C083820JP	0.0680	RFQ	1209	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083820JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	82	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C083390FP	0.0914	RFQ	1292	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083390FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	39	외딴	4	-	-	8	63MW
S41X083390GP	0.0269	RFQ	9141	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083390GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	39	외딴	4	-	-	8	31MW
S42C083130FP	0.0914	RFQ	3184	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083130FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	13	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C083220JP	0.0680	RFQ	5621	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083220JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	22	외딴	4	-	-	8	63MW
S41C083751FP	0.0653	RFQ	8033	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083751FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	750	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S40X043180JP	0.0901	RFQ	7389	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043180JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	18	외딴	2	-	-	4	31MW
S41X083622JP	0.0226	RFQ	1971	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083622JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	6.2k	외딴	4	-	-	8	31MW
S41X043562FP	0.0283	RFQ	3570	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043562FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	5.6k	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X043270GP	0.0240	RFQ	4498	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043270GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	27	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X043471FP	0.0283	RFQ	2135	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043471FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	470	외딴	2	-	-	4	63MW
S41C083361GP	0.0560	RFQ	5511	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083361GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	360	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S41X043432JP	0.0198	RFQ	7795	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043432JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	4.3k	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C083394GP	0.0813	RFQ	2783	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083394GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	390K	외딴	4	-	-	8	63MW
S41C083113JP	0.0481	RFQ	8279	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083113JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	11k	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42X083203GP	0.0495	RFQ	5322	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083203GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	20k	외딴	4	-	-	8	63MW
S40X043394JP	0.0901	RFQ	8023	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043394JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	390K	외딴	2	-	-	4	31MW
S42C163272GP	0.1813	RFQ	2925	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163272GPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	2.7k	외딴	8	-	-	16	63MW
S41X043220FP	0.0283	RFQ	2206	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043220FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	22	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X083122GP	0.0269	RFQ	8628	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083122GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	1.2k	외딴	4	-	-	8	31MW
S42C083134JP	0.0680	RFQ	4234	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083134JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	130K	외딴	4	-	-	8	63MW
S41X043564GP	0.0240	RFQ	9800	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043564GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	560K	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X043124GP	0.0240	RFQ	3395	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043124GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	120K	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X043561JP	0.0198	RFQ	6803	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043561JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	560	외딴	2	-	-	4	63MW
S42X083162JP	0.0412	RFQ	5641	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083162JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	1.6k	외딴	4	-	-	8	63MW
S42X083134GP	0.0495	RFQ	5537	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083134GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	130K	외딴	4	-	-	8	63MW
S42X083434JP	0.0412	RFQ	2217	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083434JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	430K	외딴	4	-	-	8	63MW

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

저항 저항, 네트워크 (9217)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²