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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S42C083911GP | 0.0813 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083911GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 910 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41X083564JP | 0.0226 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083564JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 560K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | |
![]() | S41C083564JP | 0.0481 | ![]() | 7063 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083564JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 560K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |
![]() | S41X083204GP | 0.0269 | ![]() | 3483 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083204GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 200k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | |
![]() | S42C163562JP | 0.1518 | ![]() | 4789 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163562JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 5.6k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
![]() | S41C083562JP | 0.0481 | ![]() | 8366 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083562JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 5.6k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |
![]() | S41X083304JP | 0.0226 | ![]() | 1620 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083304JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 300K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | |
![]() | S42X083512FP | 0.0560 | ![]() | 7848 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083512FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 5.1k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41X083623GP | 0.0269 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083623GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 62k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | |
![]() | S42C083184FP | 0.0914 | ![]() | 5387 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083184FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 180K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41C083160FP | 0.0653 | ![]() | 7560 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083160FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 16 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |
753161103GP | 2.0794 | ![]() | 4756 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 16-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-753161103GP | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 10k | 버스 | 14 | - | - | 16 | 40MW | ||
![]() | S41X083331FP | 0.0311 | ![]() | 6882 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083331FPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 330 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | |
![]() | S41X043101GP | 0.0240 | ![]() | 1812 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043101GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 100 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42X083511FP | 0.0560 | ![]() | 2600 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083511FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 510 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41X043474FP | 0.0283 | ![]() | 6640 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043474FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 470K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S40X043470JP | 0.0901 | ![]() | 5520 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S40X043470JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 47 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | |
![]() | S42C043512JP | 0.0508 | ![]() | 4815 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043512JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 5.1k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C043561FP | 0.0693 | ![]() | 8341 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043561FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 560 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42X08343333JP | 0.0412 | ![]() | 4307 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X08343333JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 43K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C163183JP | 0.1518 | ![]() | 2866 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163183JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 18K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
![]() | S42C163224GP | 0.1813 | ![]() | 1698 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163224GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 220K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
![]() | S40X043104JP | 0.0901 | ![]() | 7897 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S40X043104JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 100k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | |
![]() | S42C083330FP | 0.0914 | ![]() | 9728 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083330FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 33 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | 752091472GP | 1.5389 | ![]() | 7246 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 9-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-752091472GP | 귀 99 | 8533.21.0020 | 250 | 4.7k | 버스 | 8 | - | - | 9 | 80MW | |
![]() | S42C083824JP | 0.0680 | ![]() | 3488 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083824JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 820K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S40X043913JP | 0.0901 | ![]() | 6837 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S40X043913JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 91K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | |
![]() | S40X043753JP | 0.0901 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S40X043753JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 75K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | |
![]() | S42X083134FP | 0.0560 | ![]() | 3365 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083134FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 130K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41X043624GP | 0.0240 | ![]() | 6575 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043624GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 620K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW |
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