SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
S42C083911GP CTS Resistor Products S42C083911GP 0.0813
RFQ
ECAD 4672 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083911GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 910 외딴 4 - - 8 63MW
S41X083564JP CTS Resistor Products S41X083564JP 0.0226
RFQ
ECAD 3581 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083564JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 560K 외딴 4 - - 8 31MW
S41C083564JP CTS Resistor Products S41C083564JP 0.0481
RFQ
ECAD 7063 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083564JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 560K 외딴 4 - - 8 31.25MW
S41X083204GP CTS Resistor Products S41X083204GP 0.0269
RFQ
ECAD 3483 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083204GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 200k 외딴 4 - - 8 31MW
S42C163562JP CTS Resistor Products S42C163562JP 0.1518
RFQ
ECAD 4789 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163562JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 5.6k 외딴 8 - - 16 63MW
S41C083562JP CTS Resistor Products S41C083562JP 0.0481
RFQ
ECAD 8366 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083562JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 5.6k 외딴 4 - - 8 31.25MW
S41X083304JP CTS Resistor Products S41X083304JP 0.0226
RFQ
ECAD 1620 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083304JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 300K 외딴 4 - - 8 31MW
S42X083512FP CTS Resistor Products S42X083512FP 0.0560
RFQ
ECAD 7848 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083512FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 5.1k 외딴 4 - - 8 63MW
S41X083623GP CTS Resistor Products S41X083623GP 0.0269
RFQ
ECAD 2704 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083623GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 62k 외딴 4 - - 8 31MW
S42C083184FP CTS Resistor Products S42C083184FP 0.0914
RFQ
ECAD 5387 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083184FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 180K 외딴 4 - - 8 63MW
S41C083160FP CTS Resistor Products S41C083160FP 0.0653
RFQ
ECAD 7560 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083160FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 16 외딴 4 - - 8 31.25MW
753161103GP CTS Resistor Products 753161103GP 2.0794
RFQ
ECAD 4756 0.00000000 cts 저항성 제품 753 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 16-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-753161103GP 귀 99 8533.21.0020 250 10k 버스 14 - - 16 40MW
S41X083331FP CTS Resistor Products S41X083331FP 0.0311
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083331FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 330 외딴 4 - - 8 31MW
S41X043101GP CTS Resistor Products S41X043101GP 0.0240
RFQ
ECAD 1812 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043101GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 100 외딴 2 - - 4 63MW
S42X083511FP CTS Resistor Products S42X083511FP 0.0560
RFQ
ECAD 2600 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083511FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 510 외딴 4 - - 8 63MW
S41X043474FP CTS Resistor Products S41X043474FP 0.0283
RFQ
ECAD 6640 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043474FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 470K 외딴 2 - - 4 63MW
S40X043470JP CTS Resistor Products S40X043470JP 0.0901
RFQ
ECAD 5520 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043470JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 47 외딴 2 - - 4 31MW
S42C043512JP CTS Resistor Products S42C043512JP 0.0508
RFQ
ECAD 4815 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043512JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 5.1k 외딴 2 - - 4 63MW
S42C043561FP CTS Resistor Products S42C043561FP 0.0693
RFQ
ECAD 8341 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043561FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 560 외딴 2 - - 4 63MW
S42X083433JP CTS Resistor Products S42X08343333JP 0.0412
RFQ
ECAD 4307 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X08343333JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 43K 외딴 4 - - 8 63MW
S42C163183JP CTS Resistor Products S42C163183JP 0.1518
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163183JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 18K 외딴 8 - - 16 63MW
S42C163224GP CTS Resistor Products S42C163224GP 0.1813
RFQ
ECAD 1698 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163224GPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 220K 외딴 8 - - 16 63MW
S40X043104JP CTS Resistor Products S40X043104JP 0.0901
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043104JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 100k 외딴 2 - - 4 31MW
S42C083330FP CTS Resistor Products S42C083330FP 0.0914
RFQ
ECAD 9728 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083330FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 33 외딴 4 - - 8 63MW
752091472GP CTS Resistor Products 752091472GP 1.5389
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 9-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-752091472GP 귀 99 8533.21.0020 250 4.7k 버스 8 - - 9 80MW
S42C083824JP CTS Resistor Products S42C083824JP 0.0680
RFQ
ECAD 3488 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083824JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 820K 외딴 4 - - 8 63MW
S40X043913JP CTS Resistor Products S40X043913JP 0.0901
RFQ
ECAD 6837 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043913JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 91K 외딴 2 - - 4 31MW
S40X043753JP CTS Resistor Products S40X043753JP 0.0901
RFQ
ECAD 5030 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043753JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 75K 외딴 2 - - 4 31MW
S42X083134FP CTS Resistor Products S42X083134FP 0.0560
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083134FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 130K 외딴 4 - - 8 63MW
S41X043624GP CTS Resistor Products S41X043624GP 0.0240
RFQ
ECAD 6575 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043624GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 620K 외딴 2 - - 4 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고