SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
752081823GP CTS Resistor Products 752081823GP 1.5389
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 82k 버스 7 - - 8 80MW
767141103GP CTS Resistor Products 767141103GP 2.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-141-R10KP 귀 99 8533.21.0010 48 10k 버스 13 - - 14 100MW
770101222P CTS Resistor Products 770101222p 0.7800
RFQ
ECAD 371 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-101-R2.2KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 2.2k 버스 9 - - 10 100MW
752103101GPTR7 CTS Resistor Products 752103101GPTR7 1.4693
RFQ
ECAD 3837 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 100 외딴 5 - - 10 160MW
752083222GPTR13 CTS Resistor Products 752083222GPTR13 1.1619
RFQ
ECAD 9560 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 2.2k 외딴 4 - - 8 160MW
766143104GP CTS Resistor Products 766143104GP 1.2910
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-143-R100KP 귀 99 8533.21.0010 56 100k 외딴 7 - - 14 160MW
77063102P CTS Resistor Products 77063102p 1.6300
RFQ
ECAD 277 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-R1KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 1K 외딴 3 - - 6 100MW
752201102GPTR13 CTS Resistor Products 752201102GPTR13 1.3488
RFQ
ECAD 1968 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 20-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 1K 버스 18 - - 20 80MW
766161473GP CTS Resistor Products 766161473GP 2.6000
RFQ
ECAD 199 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-161-R47KP 귀 99 8533.21.0010 49 47K 버스 15 - - 16 80MW
S42X083133FP CTS Resistor Products S42X08313333FP 0.0560
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083333333333333333333333333333 귀 99 8533.21.0020 5,000 13k 외딴 4 - - 8 63MW
766141330GP CTS Resistor Products 766141330GP 1.2910
RFQ
ECAD 5274 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 33 버스 13 - - 14 80MW
77081202P CTS Resistor Products 77081202p 0.6179
RFQ
ECAD 7938 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-81-R2KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 2K 버스 7 - - 8 100MW
77083680P CTS Resistor Products 77083680p 0.6300
RFQ
ECAD 5520 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-83-R68P 귀 99 8533.21.0050 1,000 68 외딴 4 - - 8 100MW
S42X083304JP CTS Resistor Products S42X083304JP 0.0412
RFQ
ECAD 5152 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083304JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 300K 외딴 4 - - 8 63MW
742C08333R0FP CTS Resistor Products 742C08333R0FP 0.0487
RFQ
ECAD 2247 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 33 외딴 4 - - 8 63MW
S42C083752GP CTS Resistor Products S42C083752GP 0.0813
RFQ
ECAD 1426 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083752GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 7.5k 외딴 4 - - 8 63MW
S41X083474GP CTS Resistor Products S41X083474GP 0.0269
RFQ
ECAD 5727 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083474GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 470K 외딴 4 - - 8 31MW
S41X043623GP CTS Resistor Products S41X043623GP 0.0240
RFQ
ECAD 7057 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043623GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 62k 외딴 2 - - 4 63MW
S41C083820JP CTS Resistor Products S41C083820JP 0.0481
RFQ
ECAD 5765 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083820JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 82 외딴 4 - - 8 31.25MW
S41X043304FP CTS Resistor Products S41X043304FP 0.0283
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043304FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 300K 외딴 2 - - 4 63MW
752243220GP CTS Resistor Products 752243220GP 1.6161
RFQ
ECAD 2096 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 24-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 22 외딴 12 - - 24 160MW
S41X083680FP CTS Resistor Products S41X083680FP 0.0311
RFQ
ECAD 8860 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083680FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 68 외딴 4 - - 8 31MW
S42X083682JP CTS Resistor Products S42X083682JP 0.0412
RFQ
ECAD 9277 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083682JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 6.8k 외딴 4 - - 8 63MW
770101473P CTS Resistor Products 770101473P 0.6762
RFQ
ECAD 6832 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-101-R47KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 47K 버스 9 - - 10 100MW
S41X083183JP CTS Resistor Products S41X083183JP 0.0226
RFQ
ECAD 3895 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083183JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 18K 외딴 4 - - 8 31MW
S42C083274GP CTS Resistor Products S42C083274GP 0.0813
RFQ
ECAD 4405 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083274GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 270K 외딴 4 - - 8 63MW
741X163390JP CTS Resistor Products 741X163390JP 0.0655
RFQ
ECAD 6390 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.156 "L x 0.063"W (3.95mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 741x163 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q7174286 귀 99 8533.21.0020 5,000 39 외딴 8 - - 16 63MW
768141393GPTR13 CTS Resistor Products 768141393GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 39K 버스 13 - - 14 100MW
S42C043105GP CTS Resistor Products S42C043105GP 0.0600
RFQ
ECAD 8180 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043105GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 1m 외딴 2 - - 4 63MW
766141821GPTR7 CTS Resistor Products 766141821GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 2316 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 820 버스 13 - - 14 80MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고