SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
RT234B7TR7 CTS Resistor Products RT234B7TR7 -
RFQ
ECAD 7060 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 - - - - -
77063821P CTS Resistor Products 77063821p 0.6179
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-R820p 귀 99 8533.21.0050 1,000 820 외딴 3 - - 6 100MW
S41X083223JP CTS Resistor Products S41X083223JP 0.0226
RFQ
ECAD 4385 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083223JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 22k 외딴 4 - - 8 31MW
770103203P CTS Resistor Products 770103203P 0.6528
RFQ
ECAD 6991 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-103-R20KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 20k 외딴 5 - - 10 100MW
752105121APTR13 CTS Resistor Products 752105121APTR13 1.4938
RFQ
ECAD 2392 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 180, 390 이중 이중 16 - - 10 80MW
77063683P CTS Resistor Products 77063683P 0.6179
RFQ
ECAD 1573 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-R68KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 68K 외딴 3 - - 6 100MW
753241102FP CTS Resistor Products 753241102FP 2.3505
RFQ
ECAD 3879 0.00000000 cts 저항성 제품 753 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.345 "L x 0.080"W (8.76mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 24-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 1K 버스 22 - - 24 40MW
S41C083241GP CTS Resistor Products S41C083241GP 0.0560
RFQ
ECAD 2391 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083241GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 240 외딴 4 - - 8 31.25MW
752103121GPTR7 CTS Resistor Products 752103121GPTR7 1.4693
RFQ
ECAD 5036 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 120 외딴 5 - - 10 160MW
S41X083681JP CTS Resistor Products S41X083681JP 0.0226
RFQ
ECAD 7600 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083681JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 680 외딴 4 - - 8 31MW
S41X083120JP CTS Resistor Products S41X083120JP 0.0226
RFQ
ECAD 9312 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083120JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 12 외딴 4 - - 8 31MW
744C083202JP CTS Resistor Products 744C083202JP -
RFQ
ECAD 3233 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 744C083 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-744C083202JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000
S41C083434GP CTS Resistor Products S41C083434GP 0.0560
RFQ
ECAD 3974 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083434GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 430K 외딴 4 - - 8 31.25MW
77083510P CTS Resistor Products 77083510p 0.6300
RFQ
ECAD 1267 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-83-R51p 귀 99 8533.21.0050 1,000 51 외딴 4 - - 8 100MW
767163333GPTR13 CTS Resistor Products 767163333GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 5760 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 33k 외딴 8 - - 16 200MW
767163681GP CTS Resistor Products 767163681GP 1.2132
RFQ
ECAD 6030 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-163-R680p 귀 99 8533.21.0010 43 680 외딴 8 - - 16 200MW
S41X083514FP CTS Resistor Products S41X083514FP 0.0311
RFQ
ECAD 3827 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083514FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 510K 외딴 4 - - 8 31MW
S42C043432GP CTS Resistor Products S42C043432GP 0.0600
RFQ
ECAD 8458 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043432GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 4.3k 외딴 2 - - 4 63MW
752105121AP CTS Resistor Products 752105121AP 1.6251
RFQ
ECAD 4208 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "L x 0.080"W (14.35mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 10-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 180, 390 이중 이중 16 - - 10 80MW
768161510GP CTS Resistor Products 768161510GP 1.2132
RFQ
ECAD 4556 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 51 버스 15 - - 16 100MW
S41C083120GP CTS Resistor Products S41C083120GP 0.0560
RFQ
ECAD 5422 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083120GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 12 외딴 4 - - 8 31.25MW
S42C043332FP CTS Resistor Products S42C043332FP 0.0693
RFQ
ECAD 1889 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043332FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 3.3k 외딴 2 - - 4 63MW
S42C043130FP CTS Resistor Products S42C043130FP 0.0693
RFQ
ECAD 3813 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043130FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 13 외딴 2 - - 4 63MW
S42C043272GP CTS Resistor Products S42C043272GP 0.0600
RFQ
ECAD 6587 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043272GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 2.7k 외딴 2 - - 4 63MW
766163331JPTR13 CTS Resistor Products 766163331JPTR13 -
RFQ
ECAD 2822 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 60-766163331JPTR13TR 귀 99 8533.21.0020 3,000
S41X043511FP CTS Resistor Products S41X043511FP 0.0283
RFQ
ECAD 6911 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043511FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 510 외딴 2 - - 4 63MW
752241510GPTR13 CTS Resistor Products 752241510GPTR13 1.3713
RFQ
ECAD 5846 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 24-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 51 버스 22 - - 24 80MW
S41X083684GP CTS Resistor Products S41X083684GP 0.0269
RFQ
ECAD 5062 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083684GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 680K 외딴 4 - - 8 31MW
77063680P CTS Resistor Products 77063680p 0.6179
RFQ
ECAD 7046 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-R68P 귀 99 8533.21.0050 1,000 68 외딴 3 - - 6 100MW
770101274P CTS Resistor Products 770101274P 0.6762
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-101-R270KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 270K 버스 9 - - 10 100MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고