SIC
close

"

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
TLP532(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP532 - 1 (무제한) 264-TLP532 (GR-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 50
ISP814XSM Isocom Components 2004 LTD ISP814XSM 0.6700
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 ISP814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5300VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
FOD2743CV Fairchild Semiconductor FOD2743CV 0.3300
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 980 50ma - 70V 1.07V 5000VRMS 50% @ 1ma 100% @ 1ma - 400MV
PS2514-1Y-A CEL PS2514-1Y-A -
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 PS25141YA 귀 99 8541.49.8000 100 20MA 15µs, 15µs 40V 1.1V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 200% @ 5mA - 350MV
EL3H4(A)(EB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H4 (A) (EB) -VG -
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H4 AC, DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
FOD8173SD Fairchild Semiconductor FOD8173SD 0.1100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 2,642 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (Tosyk, F) -
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 2 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP2531 (TOSYKF) 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 15V 1.65V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma - - -
3N243TX TT Electronics/Optek Technology 3N243TX -
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 DC 1 트랜지스터 To-72-4 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 30ma 10µs, 10µs (최대) 30V 1.3V (최대) 40 MA 1000VDC 15% @ 10ma - - 300MV
CNY17-2-W00E Broadcom Limited CNY17-2-W00E 0.2103
RFQ
 ECAD 1939 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.4V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 300MV
OLH7000.0020 Skyworks Solutions Inc. OLH7000.0020 -
RFQ
 ECAD 8309 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. - 대부분 쓸모없는 OLH7000 - 863-OLH7000.0020 귀 99 8541.49.8000 1
HCPL-5500#300 Broadcom Limited HCPL-5500#300 76.6119
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-5500 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.55V 20 MA 1500VDC 9% @ 16ma - 400ns, 1µs -
PS2503L-1-F3-L-A CEL PS2503L-1-F3-LA -
RFQ
 ECAD 7050 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 30ma 20µs, 30µs 40V 1.1V 80 MA 5000VRMS 150% @ 1ma 300% @ 1ma - 250MV
PS2832-1-A CEL PS2832-1-A -
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 달링턴 4-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 60ma 20µs, 5µs 300V 1.2V 50 MA 2500VRMS 400% @ 1ma 4500% @ 1ma - 1V
VOS617A-2T Vishay Semiconductor Opto Division VOS617A-2T 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) VOS617 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.18V 50 MA 3750vrms 63% @ 5mA 125% @ 5mA 6µs, 4µs 400MV
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (TPR, e 1.0200
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP187 DC 1 달링턴 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs, 15µs 300V 1.25V 50 MA 3750vrms 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
EL816(A) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (A) -
RFQ
 ECAD 5996 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL816 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3908160604 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
TLP3910(D4C20TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (D4C20TPE 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP3910 DC 2 태양 태양 6- 형 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 - - 24V 3.3v 30 MA 5000VRMS - - 300µs, 100µs -
H11A3FM onsemi H11a3fm -
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
ISP844X Isocom Components 2004 LTD ISP844X 1.7900
RFQ
 ECAD 365 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ISP844 AC, DC 4 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 400 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5300VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
EL816(S1)(B)(TU) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (B) (TU) 0.1237
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL816 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C110001422 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
4N38VM Fairchild Semiconductor 4N38VM 1.0000
RFQ
 ECAD 8050 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 100ma - 80V 1.15V 80 MA 4170vrms 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 1V
ISD5 Isocom Components 2004 LTD ISD5 0.3111
RFQ
 ECAD 6758 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd ISD5 튜브 활동적인 -25 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 58-ISD5 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2.6µs, 2.2µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 400% @ 10ma - -
TLP626(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP626 AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 264-TLP626 (LF2F) 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 8µs, 8µs 55V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs, 8µs 400MV
PS2561DL-1Y-V-F3-H-A CEL PS2561DL-1Y-V-F3-HA -
RFQ
 ECAD 5062 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
4N31SD Fairchild Semiconductor 4N31SD -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 2,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1.2V
MCT6W Fairchild Semiconductor MCT6W -
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 30ma - 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 2.4µs, 2.4µs 400MV
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4BLT7, f -
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (D4BLT7FTR 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HCPL2531WV Fairchild Semiconductor HCPL2531WV 1.1000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 273 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
EL817(S1)(A)(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (A) (TB) -VG -
RFQ
 ECAD 4614 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
FOD8802CR2 onsemi FOD8802CR2 2.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 OptoHit ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 30ma 6µs, 7µs 75V 1.35V 20 MA 2500VRMS 200% @ 1ma 400% @ 1ma 6µs, 6µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다