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![]() | SIR-563ST3FXP | - | ![]() | 5395 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | - | 영향을받지 영향을받지 | 846-SIR-563ST3FXP | 귀 99 | 8541.41.0000 | 1 | ||||||||||||||
![]() | inv-c33ctmir | 9.3100 | ![]() | 2551 | 0.00000000 | inolux | vcsel | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 적외선 (IR) | Inv-C33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.41.0000 | 1,000 | 850nm | 최고보기 | 2.3V | 30 ° | 900ma | 350mw/sr @ 700ma | ||
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![]() | Qed222 | - | ![]() | 2946 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 100 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 5mm mm (T 1 3/4) | 적외선 (IR) | Qed2 | - | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | qed222-ndr | 귀 99 | 8541.41.0000 | 250 | 880nm | 최고보기 | 1.7V | 30 ° | 100ma | 16mw/sr @ 100ma | ||
![]() | His180SMD-S | 48.6100 | ![]() | 6992 | 0.00000000 | 혁신적인 혁신적인 기술 기술, 미국 부서 | hissmd | 상자 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 적외선 (IR) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.41.0000 | 1 | 11µm (2µm ~ 20µm) | 측면도 | 2.8V (최대) | - | 140ma | - | ||||
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![]() | SFH 4716AS A01 | 1.9839 | ![]() | 8186 | 0.00000000 | AMS-OSRAM USA INC. | Oslon® Black | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 적외선 (IR) | SFH 4716 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 4 (72 시간) | 귀 99 | 8541.41.0000 | 600 | 860nm | 최고보기 | 2.95V | 150 ° | 1.5A | 180mw/sr @ 1a | |||
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![]() | SST-10-EARD-B90H-S810 | 4.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Luminus Devices Inc. | SST-10-ird | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 115 ° C (TJ) | 표면 표면 | 1414 (3535 메트릭) | 적외선 (IR) | SST-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 1214-sst-10-ird-b90h-s810tr | 귀 99 | 8541.41.0000 | 500 | 815nm | 최고보기 | 3V | 90 ° | 1.5A | 770mw/sr @ 1a (유형) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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