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AF120GSTIA-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTIA-7BEXP 87.5028
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ECAD 4034 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF120GSTIA-7BEXP 50 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 120GB M.2 모듈 560MB/s 440MB/s -
AY24M7228BLH9S ATP Electronics, Inc. AY24M7228BLH9S 71.8200
RFQ
ECAD 1429 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-Minirdimm AY24M7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AW24P64F8BLF8S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLF8S 70.9156
RFQ
ECAD 7720 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW24P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AQ24P72Y8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLF8M 108.5280
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ECAD 9109 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ24P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AQ12M72X8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M72X8BLK0M 60.7544
RFQ
ECAD 2557 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AF960GSTJA-8BEIX ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BEIX 347.4800
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ECAD 5 0.00000000 ATP Electronics, Inc. N600S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF960GSTJA-8BEIX 3A991B1A 8523.51.0000 30 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 960GB M.2 모듈 3.42GB/s 3.05GB/s -
AF480GSTJA-8BAIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTJA-8BAIP -
RFQ
ECAD 9353 0.00000000 ATP Electronics, Inc. 2280-D2-M 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME AF480 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF480GSTJA-8BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 32 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (3D) 480GB M.2 모듈, PCIE 3.44GB/s 2.35GB/s
AQ56M64A8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56M64A8BKK0S 32.5185
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ECAD 8409 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AQ56M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AW24P7228BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLF8M 121.5014
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ECAD 1150 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW24P7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AW12P7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLF8M 68.2776
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ECAD 6658 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW12P7218 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AY24P7228BLF8S ATP Electronics, Inc. AY24P7228BLF8 71.8200
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ECAD 8461 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-Minirdimm AY24P7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
A4D04QC6BNWEME ATP Electronics, Inc. A4D04QC6BNWEME 53.2700
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ECAD 4164 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 288-udimm A4D04 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-A4D04QC6BNWEME 귀 99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 4GB 3200
AW56P7258BKH9M ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKH9M 45.8680
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ECAD 2920 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-rdimm AW56P7258 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 10 2GB
AF2GSSGH-OEM ATP Electronics, Inc. AF2GSSGH-OEM 51.6300
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ECAD 40 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 36.90mm x 26.60mm x 11.50mm - AF2G - 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8471.70.9000 50 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (SLC) 2GB 디스크-e, EUSB 30MB/s 27MB/s -
AF8GSAHI-OEM ATP Electronics, Inc. AF8GSAHI-OEM 61.6012
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ECAD 2835 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 상자 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 50.80mm x 29.80mm x 3.70mm 사타 II AF8G - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8523.51.0000 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (MLC) 8GB msata 250MB/s 190MB/s -
A4K08Q28BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4K08Q28BLPBSE 66.4335
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ECAD 7820 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 288-MINIUDIMM A4K08 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ12P6418BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ12P6418BKK0M 105.2444
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ECAD 4823 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12P6418 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AQ56P72X8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKH9M 58.0545
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ECAD 2316 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ56P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
A4B08QD8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B08QD8BNPBSE 74.8766
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ECAD 9877 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 A4B08 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AF120GSTHI-7BAXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTHI-7BAXP -
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ECAD 1881 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 50.80mm x 29.85mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF120GSTHI-7BAXP 쓸모없는 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 120GB msata 560MB/s 440MB/s -
AQ12M72D8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLF8S 46.4514
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ECAD 2142 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AQ56P72D8BKF8S ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKF8S 43.2434
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ECAD 6311 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AQ56P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AL48P72L8BNK0M ATP Electronics, Inc. Al48p72l8bnk0m 303.0000
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ECAD 3645 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-rdimm Al48 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 16GB 1600
A4B08QC4BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B08QC4BLPBME 160.4018
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ECAD 5016 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 A4B08 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AW12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12P7258BLK0M 75.8620
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ECAD 8150 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-rdimm AW12P7258 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 10 4GB
AY12P7268BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12P7268BLK0M 59.7569
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AW24P64F8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLF8MW 117.8946
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ECAD 4711 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW24P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
A4G32QE8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4G32QE8BVWEMW 305.9200
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ECAD 8 0.00000000 ATP Electronics, Inc. * 쟁반 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-A4G32QE8BVWEMW 귀 99 8473.30.1140 50
AQ56P72D8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKF8M 63.9812
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ56P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AW24P64F8BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLK0MW 117.8946
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ECAD 5722 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW24P64 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q11589789 귀 99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고