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AF2GSSEL-OEM ATP Electronics, Inc. AF2GSSEL-OEM 53.2642
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ECAD 2843 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 사타 II AF2G - 5V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8471.70.6000 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (SLC) 2GB 슬림사사 112MB/s 91MB/s -
AQ56M72D8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKH9M 63.9812
RFQ
ECAD 7528 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ56M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
A4D08QA8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D08QA8BNPBSE 59.3448
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ECAD 6607 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 A4D08 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AQ48M72Y8DNF8T ATP Electronics, Inc. AQ48M72Y8DNF8T -
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ECAD 7630 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 1282-AQ48M72Y8DNF8T 쓸모없는 1
AW12P64B8BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW12P64B8BLK0MW 71.7111
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ECAD 3874 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 - AW12P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1600
AW48M7228BNH9M ATP Electronics, Inc. AW48M7228BNH9M 245.8239
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ECAD 4624 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW48M7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16GB 1600
AW24M64F8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLF8MW 117.8946
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ECAD 1764 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW24M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
AW24P64F8BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLK0M 153.6800
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ECAD 1 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-sodimm AW24 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 8GB 1600
A4C04QD8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4C04QD8BLPBME 73.4104
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ECAD 3172 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 288-udimm A4C04 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AY12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLK0M 63.7469
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ECAD 9385 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-Minirdimm AY12P7258 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
A4C04QD8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4C04QD8BLPBSE 48.0076
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ECAD 2660 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 288-udimm A4C04 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
A4D04Q18BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4D04Q18BLPBSE 57.6232
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ECAD 8713 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 A4D04 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AL24M72L8BLMAM ATP Electronics, Inc. Al24m72l8blmam 110.5230
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ECAD 5375 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AL24M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866
AW24P7248BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24P7248BLK0M 120.7880
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ECAD 8786 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-rdimm AW24P7248 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 10 8GB
AF960GSTJC-DBBXX ATP Electronics, Inc. AF960GSTJC-DBBXX 159.7800
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ECAD 8 0.00000000 ATP Electronics, Inc. N600VC 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 42.00mm x 22.00mm x 3.60mm NVME - - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF960GSTJC-DBBXX 3A991B1A 8523.51.0000 50 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 960GB M.2 모듈 2.6GB/s 1.87GB/s -
AF480GSTJA-8BDIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTJA-8BDIP 227.8260
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ECAD 7566 0.00000000 ATP Electronics, Inc. N650SI 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3v - 영향을받지 영향을받지 1282-AF480GSTJA-8BDIP 30 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND 480GB M.2 모듈 3.42GB/s 2.35GB/s -
AQ24P72E8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24P72E8BLF8M 118.1200
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ECAD 1210 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ24P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AF256GUD4-BBAIM ATP Electronics, Inc. AF256GUD4-BAIM 129.4900
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ECAD 6087 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AF256 TLC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF256GUD4-BAIM 3A991B1A 8523.51.0000 120 클래스 10, uhs 클래스 3 MicroSDXC ™ 256GB
A4D16Q48BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4D16Q48BNRCSE 87.1815
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AW12M64B8BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW12M64B8BLH9MW 69.6426
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ECAD 1014 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 - AW12M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1333
A4D08Q28BLPBME ATP Electronics, Inc. A4D08Q28BLPBME 116.4092
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AF120GSTCJ-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF120GSTCJ-7BAIP -
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ECAD 7606 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 100.00mm x 69.90mm x 7.00mm 사타 III AF120 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF120GSTCJ-7BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 12 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (3D) 120GB 2.5 " 560MB/s 415MB/s
AF640GSACJ-7BBIP ATP Electronics, Inc. AF640GSACJ-7BBIP 638.2138
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ECAD 7630 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A750PI 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 사타 III - 5V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF640GSACJ-7BBIP 8523.51.0000 8 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (PSLC) 640GB 2.5 " 560MB/s 520MB/s -
AL24P72L8BLH9M ATP Electronics, Inc. Al24p72l8blh9m 134.7250
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ECAD 7186 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL24P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 10 8GB
AL12P72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLF8M 64.7444
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AF80GSAIC-7BAIP ATP Electronics, Inc. AF80GSAIC-7BAIP -
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ECAD 3803 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF80GSAIC-7BAIP 쓸모없는 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (PSLC) 80GB M.2 모듈 560MB/s 520MB/s -
AZ56K72D8BJE7M ATP Electronics, Inc. AZ56K72D8BJE7M 56.8277
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AF1T92STCJ-7BBXP ATP Electronics, Inc. AF1T92STCJ-7BBXP -
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AF8GSSIA-OEM ATP Electronics, Inc. AF8GSSIA-OEM 130.8900
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ECAD 2 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III AF8G - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8471.70.6000 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (SLC) 8GB M.2 모듈 530MB/s 400MB/s -
AF480GSTCJ-7BEIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTCJ-7BEIP 229.8375
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ECAD 5479 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 사타 III - 5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF480GSTCJ-7BEIP 8 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 480GB 2.5 " 560MB/s 500MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고