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AF80GSAIC-7BCIP ATP Electronics, Inc. AF80GSAIC-7BCIP -
RFQ
ECAD 1805 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF80GSAIC-7BCIP 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (PSLC) 80GB M.2 모듈 560MB/s 520MB/s -
AQ12M72X8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ12M72X8BLK0 41.8950
RFQ
ECAD 2033 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12P72D8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLK0 46.4514
RFQ
ECAD 5342 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AY24M7298MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7298MNK0M 198.1928
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 204-Minirdimm AY24M7298 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 8GB
AF480GSTIA-7BAXP ATP Electronics, Inc. AF480GSTIA-7BAXP -
RFQ
ECAD 2571 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF480GSTIA-7BAXP 쓸모없는 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 480GB M.2 모듈 560MB/s 440MB/s -
AQ24M72E8BLMAM ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLMAM 118.1200
RFQ
ECAD 8841 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AQ24M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1866
AW48M7228BNF8M ATP Electronics, Inc. AW48M7228BNF8M 253.1256
RFQ
ECAD 9804 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW48M7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16GB 1600
AF40GSAJA-8BAIP ATP Electronics, Inc. AF40GSAJA-8BAIP 180.8100
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ECAD 5 0.00000000 ATP Electronics, Inc. ATP I-TEMP NVME PSLC PCIE GEN3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF40GSAJA-8BAIP 8523.51.0000 30 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (PSLC) 40GB M.2 모듈 1.825GB/s 570MB/s -
AF8GSMGH-OEM ATP Electronics, Inc. AF8GSMGH-OEM 30.8267
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ECAD 8280 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 상자 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 36.90mm x 26.60mm x 8.40mm - AF8G - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8471.70.6000 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (MLC) 8GB 디스크-e, EUSB 30MB/s 22MB/s -
AF120GSTCJ-7BAXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTCJ-7BAXP -
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ECAD 8747 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 사타 III - 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF120GSTCJ-7BAXP 쓸모없는 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 120GB 2.5 " 560MB/s 500MB/s -
AF128GSSHI-OEM ATP Electronics, Inc. AF128GSSHI-OEM 921.5900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 50.80mm x 29.80mm x 3.70mm 사타 III AF128 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (SLC) 128GB msata 530MB/s 430MB/s -
AF480GSTIC-7BFXP ATP Electronics, Inc. AF480GSTIC-7BFXP 196.7103
RFQ
ECAD 1673 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF480GSTIC-7BFXP 30 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 480GB M.2 모듈 560MB/s 440MB/s -
AW24M64F8BLH9M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLH9M 111.9672
RFQ
ECAD 4461 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW24M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AL24P72B8BLK0S ATP Electronics, Inc. AL24P72B8BLK0 72.8175
RFQ
ECAD 2128 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL24P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AQ12P72X8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ12P72X8BLF8S 41.8950
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
A4D32QB8BVWEME ATP Electronics, Inc. A4D32QB8BVWEME 216.3294
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 288-udimm A4D32 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-A4D32QB8BVWEME 귀 99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 32GB 3200
AW12P7218BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLK0MW 73.0618
RFQ
ECAD 5323 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW12P7218 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8471.70.9000 50 DDR3 SDRAM 4GB 1600
AF32GSSCJ-OEM ATP Electronics, Inc. AF32GSSCJ-OEM 348.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 100.0mm x 69.90mm x 9.20mm 사타 III AF32 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8471.70.6000 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (SLC) 32GB 2.5 " 520MB/s 420MB/s -
AQ48M72E8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48M72E8BNK0M 258.1215
RFQ
ECAD 6640 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AQ48M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16GB 1600
AF256GSMIB-OEM ATP Electronics, Inc. AF256GSMIB-OEM 243.8800
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 60.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III AF256 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8471.70.6000 2 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (MLC) 256GB M.2 모듈 - - -
AF480GSTCJ-7BCIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTCJ-7BCIP 217.0150
RFQ
ECAD 1149 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A650SI/A650SC 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 사타 III - 5V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF480GSTCJ-7BCIP 3A991B1A 8523.51.0000 8 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 480GB 2.5 " 560MB/s 500MB/s -
AF160GSAJB-DBAIX ATP Electronics, Inc. AF160GSAJB-DBAIX 208.3365
RFQ
ECAD 2108 0.00000000 ATP Electronics, Inc. M.2 NVME 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 30.00mm x 22.00mm x 2.50mm NVME - 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF160GSAJB-DBAIX 3A991B1A 8523.51.0000 60 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (PSLC) 160GB M.2 모듈 2.0GB/s 1.6GB/s -
AY56M7258BKF8M ATP Electronics, Inc. AY56M7258BKF8M 61.0470
RFQ
ECAD 5302 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-Minirdimm AY56M7258 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
A4G04QA8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4G04QA8BLPBSE 48.4200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 260-Sodimm A4G04 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2133
AQ56M72D8BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ56M72D8BKK0M 63.9812
RFQ
ECAD 2544 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ56M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24M64B8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24M64B8BLF8M 95.3610
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ24M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AY12P7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLF8M 63.7469
RFQ
ECAD 7251 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-Minirdimm AY12P7258 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AF16GCSI-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GCSI-OEM 203.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AF16 SLC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 1 - cfast 16GB
AQ12P72D8BLH9M ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLH9M 67.1184
RFQ
ECAD 6846 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AL56M72A8BKH9S ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKH9S 43.1984
RFQ
ECAD 8402 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL56M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고