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AY56M7268BKH9M ATP Electronics, Inc. AY56M7268BKH9M 57.0570
RFQ
ECAD 7410 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-MINIUDIMM AY56M7268 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AF480GSTHI-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF480GSTHI-7BEXP 185.1581
RFQ
ECAD 3596 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 50.80mm x 29.85mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF480GSTHI-7BEXP 32 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 480GB msata 560MB/s 440MB/s -
AF32GSD4-BBBIM ATP Electronics, Inc. AF32GSD4-BBBIM 22.0600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AF32GSD4 TLC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF32GSD4-BBBIM 3A991B1A 8523.51.0000 32 클래스 10, uhs 클래스 3 SDHC ™ 32GB
AF120GSTIA-7BDXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTIA-7BDXP 96.2052
RFQ
ECAD 5173 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600SC 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - 영향을받지 영향을받지 1282-AF120GSTIA-7BDXP 50 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND 120GB M.2 모듈 560MB/s 460MB/s -
AY24P7278MNF8M ATP Electronics, Inc. AY24P7278MNF8M 202.5005
RFQ
ECAD 1877 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 204-MINIUDIMM AY24P7278 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 8GB
AQ48M64B8BNH9M ATP Electronics, Inc. AQ48M64B8BNH9M 230.6441
RFQ
ECAD 1526 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AQ48M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16GB 1600
A4D16Q28BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D16Q28BNPBSE 192.4708
RFQ
ECAD 2131 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 A4D16 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 16GB 2133
AF240GSTCJ-7BAXP ATP Electronics, Inc. AF240GSTCJ-7BAXP -
RFQ
ECAD 1561 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 사타 III - 5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF240GSTCJ-7BAXP 쓸모없는 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 240GB 2.5 " 560MB/s 500MB/s -
AW12M64B8BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW12M64B8BLF8MW 71.7111
RFQ
ECAD 5016 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 - AW12M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AF16GSSCJ-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GSSCJ-OEM 227.1300
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ECAD 1972 0.00000000 ATP Electronics, Inc. sii 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 100.0mm x 69.90mm x 9.20mm 사타 III AF16GSSCJ - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8471.70.6000 2 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (SLC) 16GB 2.5 " - - -
AW24P64F8BLH9S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLH9S 73.0220
RFQ
ECAD 1130 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW24P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AF512UFNDNC(I)-OEM ATP Electronics, Inc. AF512UFNDNC (I) -OEM 18.9152
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ECAD 4448 0.00000000 ATP Electronics, Inc. Nanodura ™ 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 34.00mm LX 12.20mm W x 4.50mm h USB 2.0 AF512 0.282 온스 (8.0 g) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 1 플래시 -Nand (SLC) 512MB 21MB/s 16MB/s
AF4GUFEDBK-OEM ATP Electronics, Inc. AF4GUFEDBK-OEM 13.7966
RFQ
ECAD 2119 0.00000000 ATP Electronics, Inc. Endura ™ 상자 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C - USB 2.0 AF4G 0.282 온스 (8.0 g) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8523.51.0000 1 플래시 -Nand (MLC) 4GB - -
AF16GUFP1SV-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GUFP1SV-OEM 23.1972
RFQ
ECAD 7375 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 상자 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C - USB 2.0 AF16 0.282 온스 (8.0 g) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8523.51.0000 1 플래시 -Nand (MLC) 16GB - -
AF512UFEDBK(I)-OEM ATP Electronics, Inc. AF512UFEDBK (I) -OEM 14.1056
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ECAD 5481 0.00000000 ATP Electronics, Inc. Endura ™ 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - USB 2.0 AF512 0.282 온스 (8.0 g) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8523.51.0000 1 플래시 -Nand (MLC) 512MB - -
AQ56P72X8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKK0S 36.8500
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ECAD 4245 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AQ56P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AF960GSTJA-8BDXX ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BDXX 320.3727
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ECAD 8712 0.00000000 ATP Electronics, Inc. N650SC 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm NVME - 3.3v - 영향을받지 영향을받지 1282-AF960GSTJA-8BDXX 30 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND 960GB M.2 모듈 3.42GB/s 3.05GB/s -
AQ24M72E8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLF8M 118.1200
RFQ
ECAD 4316 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ24M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AF512GSMCK-OEM ATP Electronics, Inc. AF512GSMCK-OEM 476.2850
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ECAD 8700 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 사타 III AF512 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8471.70.6000 2 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (MLC) 512GB 1.8 " - - -
AF32GUD4A-MRN001 ATP Electronics, Inc. AF32GUD4A-MRN001 70.2400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF32GUD4A-MRN001 귀 99 8523.51.0000 10
AF320GSACJ-7BBIP ATP Electronics, Inc. AF320GSACJ-7BBIP 395.6300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A750PI 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 100.00mm x 69.90mm x 9.20mm 사타 III - 5V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF320GSACJ-7BBIP 8523.51.0000 8 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (PSLC) 320GB 2.5 " 560MB/s 520MB/s -
AF16GSSCD-OEM ATP Electronics, Inc. AF16GSSCD-OEM 221.4826
RFQ
ECAD 1732 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - - AF16 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8471.70.6000 1 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (SLC) 16GB 2.5 " - - -
AL12M72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. Al12m72a8blf8m 64.7444
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ECAD 4962 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL12M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AL48M72E4BLH9M ATP Electronics, Inc. Al48M72E4BLH9M 265.1355
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ECAD 3475 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AL48M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 16GB
AQ56P64A8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKF8M 49.2765
RFQ
ECAD 4883 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ56P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AY48M7288BNK0M ATP Electronics, Inc. AY48M7288BNK0M 244.2067
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ECAD 1496 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 204-MINIUDIMM AY48M7288 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16GB 1600
AL56M72A8BKH9M ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKH9M 62.0445
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ECAD 2952 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL56M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AW24M64F8BLK0M ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLK0M 111.9672
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ECAD 2937 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW24M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AQ56M72X8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKF8M 54.5625
RFQ
ECAD 5240 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ56M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AZ56K64E8BJE7M ATP Electronics, Inc. AZ56K64E8BJE7M 65.0370
RFQ
ECAD 8406 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 200-udimm AZ56K64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR2 SDRAM 2GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고