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AQ24M72E8BLH9S ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLH9S 77.6584
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ECAD 1957 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ24M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AL12M72A8BLH9M ATP Electronics, Inc. Al12m72a8blh9m 64.7444
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ECAD 4941 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL12M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AF512GSTIA-2BBXX ATP Electronics, Inc. AF512GSTIA-2BBXX 84.5700
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ECAD 9 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600VC 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III - - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1282-AF512GSTIA-2BBXX 3A991B1A 8523.51.0000 50 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 512GB M.2 모듈 560MB/s 525MB/s -
AL24P7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24P7218BLF8M 135.3500
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ECAD 6162 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL24P7218 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 10 8GB
AW24M64F8BLF8S ATP Electronics, Inc. AW24M64F8BLF8S 73.0220
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ECAD 6130 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW24M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AQ48P64B8BNK0M ATP Electronics, Inc. AQ48P64B8BNK0M 230.6441
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ECAD 5405 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AQ48P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3L SDRAM 16GB 1600
AL12M72A8BLH9S ATP Electronics, Inc. Al12M72A8BLH9S 45.8850
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ECAD 3319 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL12M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AF4GCFP-OEM ATP Electronics, Inc. AF4GCFP-OEM 21.5900
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ECAD 6303 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 - AF4G - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 1 - compactflash® 4GB
AY24M7278MNK0M ATP Electronics, Inc. AY24M7278MNK0M 196.6591
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AY24P7238BLK0M ATP Electronics, Inc. AY24P7238BLK0M 106.5330
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ECAD 9802 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-MINIUDIMM AY24P7238 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AW48M64F8BNK0M ATP Electronics, Inc. aw48m64f8bnk0m 224.8155
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ECAD 2420 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW48M64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16GB 1600
AY56M7258BKK0M ATP Electronics, Inc. AY56M7258BKK0M 61.0470
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ECAD 9381 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-Minirdimm AY56M7258 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24M72E8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLK0 77.6584
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ECAD 2408 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ24M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AL24P72B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P72B8BLK0M 103.8750
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ECAD 1600 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL24P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AW56P6438BKK0S ATP Electronics, Inc. AW56P6438BKK0S 38.8652
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ECAD 9222 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW56P6438 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AW24P64F8BLK0S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLK0S 73.0220
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ECAD 9580 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW24P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AF128GUD4-BBDXM ATP Electronics, Inc. AF128GUD4-BBDXM 38.6495
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ECAD 2435 0.00000000 ATP Electronics, Inc. * 쟁반 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 1282-AF128GUD4-BBDXM 120
AJ28K64J8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ28K64J8BJF7M 40.4985
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ECAD 9036 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AJ28K64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8471.70.9000 50 DDR2 SDRAM 1GB 800
AQ24P6418BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ24P6418BLK0S 71.8630
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ECAD 7559 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ24P6418 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AF240GSTIC-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF240GSTIC-7BEXP 127.1350
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ECAD 3201 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600S 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.50mm 사타 III - 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-AF240GSTIC-7BEXP 30 솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC) 240GB M.2 모듈 560MB/s 440MB/s -
A4D16QB8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4D16QB8BNPBSE 101.3036
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A4C04QV8BLRCSE ATP Electronics, Inc. A4C04QV8BLRCSE 38.2109
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ECAD 5786 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 288-udimm A4C04 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4GB 2400
A4B08QF4BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4B08QF4BLPBSE 133.2044
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A4D08QB8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4D08QB8BLPBSE 69.7766
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ECAD 5855 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 A4D08 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AL48P72E4BLF8M ATP Electronics, Inc. Al48p72e4blf8m 265.1355
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ECAD 1926 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 Al48p72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 16GB
AW56M7218BKF8M ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKF8M 65.1402
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ECAD 9711 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW56M7218 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AQ48P72Y8DNF8T ATP Electronics, Inc. AQ48P72Y8DNF8T -
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ECAD 7446 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 1282-AQ48P72Y8DNF8T 쓸모없는 1
AF480GSTIC-7BDIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTIC-7BDIP 217.0883
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ECAD 3556 0.00000000 ATP Electronics, Inc. A600SI 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 80.00mm x 22.00mm x 3.35mm 사타 III - 3.3v - 영향을받지 영향을받지 1282-AF480GSTIC-7BDIP 30 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND 480GB M.2 모듈 560MB/s 500MB/s -
AW56M7218BKH9M ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKH9M 65.1402
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ECAD 3829 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW56M7218 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AQ24P64B8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24P64B8BLK0M 89.6250
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ECAD 1925 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ24P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고