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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	크기 / 치수	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	무게	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	메모리 메모리	메모리 메모리	폼 폼	속도 - 읽기	속도 - 쓰기	현재 - 최대	전송 전송 (MB/S, MT/S, MHZ)
mtfddav240tds-- aw1ztayy tr	-	RFQ	5319	Micron Technology Inc.	5300	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	80.00mm x 22.00mm x 3.80mm		사타 III		-	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	557-MTFDDAV240TDS-1AW1ZTAYYTR	쓸모없는		1	솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC)	240GB	M.2 모듈	540MB/s	310MB/s	-
MTA18ASF1G72PZ-2G6B1	-	RFQ	5388	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는			288-rdimm					-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8471.70.9000	100	DDR4 SDRAM	8GB					2666
MTFDKBA2T0TGD-1BK1AABYY	-	RFQ	2555	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	-	-		NVME		-	-	-			영향을받지 영향을받지	557-MTFDKBA2T0TGD-1BK1AABYY			1	솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC)	2TB	M.2 모듈	6.6GB/s	5GB/s	-
MTA16ATF4G64Hz-2G6B2	-	RFQ	6485	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			260-Sodimm					-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8473.30.1140	100	DDR4 SDRAM	16GB					2666
MT36KSS2G72RHZ-1G6E1	-	RFQ	5698	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			204-sodimm					다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR3L SDRAM	16GB					1600
MT8VDDT6464AG-40BF3	-	RFQ	4665	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다			184-udimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR SDRAM	512MB					400
MT18JSF1G72PDZ-1G9E1	-	RFQ	2214	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			240-rdimm					-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	100	DDR3 SDRAM	8GB					1866
MT9HTF6472AY-40EB3	-	RFQ	3959	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			240-udimm					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	512MB					400
MTA8ATF1G64Hz-2G1A1	-	RFQ	5977	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			260-Sodimm					-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	100	DDR4 SDRAM	8GB					2133
MT8VDDT3264AG-262G4	62.4155	RFQ	7536	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다			184-udimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR SDRAM	256MB					266
mta9asf2g72az-3g2f1	-	RFQ	2677	Micron Technology Inc.	DDR4 SDRAM	쟁반	활동적인			288-udimm					-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MTA9ASF2G72AZ-3G2F1			100	DDR4 SDRAM	16GB					3200
MT8HTF12864HDY-53EA3	-	RFQ	4597	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다			200-sodimm					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	1GB					533
MT18HTF25672AZ-80EH1	-	RFQ	5939	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			240-udimm					다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	100	DDR2 SDRAM	2GB					800
MT5VDDT1672HG-265F3	-	RFQ	9070	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			200-sodimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR SDRAM	128MB					266
MT36VDDF12872G-335G3	-	RFQ	9685	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			184-rdimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR SDRAM	1GB					333
mtfdkcb1t9tdz-1az1zabyy	-	RFQ	1090	Micron Technology Inc.	7400	상자	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	-		NVME		-	-	-		1 (무제한)		557-mtfdkcb1t9tdz-1az1zabyy	쓸모없는		1	솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC)	1.92TB	2.5 "	6.5GB/s	2.2GB/s	-
MT18VDDT12872AG-335D1	-	RFQ	6732	Micron Technology Inc.	-		쓸모없는			184-udimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	1	DDR SDRAM	1GB					167
MT9HVF12872PY-800E1	-	RFQ	9007	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는			240-rdimm					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	1GB					800
MT18HTF25672Y-667D5	1.0000	RFQ	6543	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다			240-rdimm					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	2GB					667
MT4HTF6464AY-667E1	-	RFQ	1452	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			240-udimm		MT4HTF			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	557-1351	귀 99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	512MB					667
MT36LSDT25672G-13EC2	1.0000	RFQ	6090	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다			168-rdimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	sdram	2GB					133
MT9VDDT6472PHG-40BF2	-	RFQ	5650	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			200-sodimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR SDRAM	512MB					400
MTFDCAE004SAJ-12	-	RFQ	3996	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는			기준 기준					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	150	플래시 -Nand (SLC)	4GB					-
MT36HTF25672Y-667D1	-	RFQ	2891	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			240-rdimm					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	2GB					667
MT5LSDT1672AG-133D1	47.1730	RFQ	5770	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다			168-udimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	sdram	128MB					133
MT18JDF51272PDZ-1G4D1	-	RFQ	1397	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			240-rdimm					-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	100	DDR3 SDRAM	4GB					1333
MT16VDDT12864AG-335F3	-	RFQ	1143	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다			184-udimm					다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR SDRAM	1GB					333
MT8HTF6464HDY-40EB3	-	RFQ	5750	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			200-sodimm					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	512MB					400
MTA16ATF2G64Hz-2G3B1	-	RFQ	4652	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는			260-Sodimm					다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	100	DDR4 SDRAM	16GB					2400
MT8KTF12864AZ-1G1G1	-	RFQ	5411	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다			240-udimm					다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	DDR3L SDRAM	1GB					1066

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 메모리, 카드 (2975)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²