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메모리 메모리, 카드 (2975)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	크기 / 치수	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	무게	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	메모리 메모리	메모리 메모리	폼 폼	속도 - 읽기	속도 - 쓰기	현재 - 최대	전송 전송 (MB/S, MT/S, MHZ)
MTA18ASF4G72PDZ-2G9B2	-	RFQ	4546	Micron Technology Inc.	DDR4 SDRAM	대부분	쓸모없는			288-rdimm		MTA18				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		557-MTA18ASF4G72PDZ-2G9B2	귀 99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	32GB					2933
MTA18ASF2G72PF1Z-2G6V21AB	-	RFQ	3312	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는			288-nvdimm		MTA18				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8471.70.9000	50		DDR4 SDRAM	16GB					2666
MT18VDDF12872Y-40BF1	-	RFQ	4998	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는			184-rdimm						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	1GB					400
MT4VDDT3264AY-40BF1	-	RFQ	3213	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			184-udimm		Mt4vddt				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	557-1342	귀 99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	256MB					200
MTA18ASF2G72PZ-2G9E1	91.9676	RFQ	3382	Micron Technology Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로			-		MTA18				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	100		DDR4 SDRAM	16GB
MT4VDDT3264HIY-335J1	-	RFQ	5391	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			200-sodimm		Mt4vddt				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	100		DDR SDRAM	256MB					333
MT9HTF12872RHZ-80EH1	-	RFQ	2630	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			200-Sordimm						-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	100		DDR2 SDRAM	1GB					800
MT16VDDT12864AY-335DB	-	RFQ	1289	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			184-udimm						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	1GB					333
MT9VDDT3272AG-335G4	-	RFQ	1630	Micron Technology Inc.	-		쓸모없는			184-udimm						다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	557-1133	귀 99	8473.30.1140	1		DDR SDRAM	256MB					167
MT16LSDF6464HY-133D2	-	RFQ	9479	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			144-sodimm						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100		sdram	512MB					133
MT18HTF25672Y-40EA2	735.0192	RFQ	8540	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다			240-rdimm						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	2GB					400
MT8HTF6464HY-53EB3	-	RFQ	6090	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			200-sodimm						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	512MB					533
MT18VDDF12872DG-335F1	-	RFQ	4039	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			184-rdimm						다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100		DDR SDRAM	1GB					333
MTA8ATF2G64HZ-3G2E1	-	RFQ	5633	Micron Technology Inc.	DDR4 SDRAM	대부분	쓸모없는			260-Sodimm		mta8atf2				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		557-MTA8ATF2G64Hz-3G2E1	귀 99	8473.30.1140	100		DDR4 SDRAM	16GB					3200
MT18JSF51272PDZ-1G6M1	-	RFQ	2352	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			240-rdimm						다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	100		DDR3 SDRAM	4GB					1600
MTFDDAV240TDS-1AW16TAYY TR	-	RFQ	2155	Micron Technology Inc.	5300	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	80.00mm x 22.00mm x 3.80mm		사타 III			-	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	557-MTFDDAV240TDS-1AW16TAYYTR	쓸모없는		1		솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC)	240GB	M.2 모듈	540MB/s	310MB/s	-
MT4HTF6464AZ-667H1	-	RFQ	5463	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			240-udimm		MT4HTF				다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	100		DDR2 SDRAM	512MB					667
mtfdhbe960tdf-1aw1zabyy	-	RFQ	7401	Micron Technology Inc.	7300	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	-		NVME	MTFDHBE960		-	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MTFDHBE960TDF-1AW1ZABYY	3A991B1A	8471.70.6000	10		솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC)	960GB	2.5 "	2.4GB/s	700MB/s	-
MT9HTF6472PZ-667G1	-	RFQ	1813	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			240-rdimm						-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	100		DDR2 SDRAM	512MB					667
MT9JBF25672AKZ-1G4D2	-	RFQ	3181	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			244-MINIUDIMM						-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	100		DDR3 SDRAM	2GB					1333
MT9LSDT3272AY-133G1	93.0319	RFQ	5134	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다			168-udimm						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	100		sdram	256MB					133
MTFDKCC6T4TFS-1BC1ZABDB	-	RFQ	7208	Micron Technology Inc.	*	대부분	활동적인									-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MTFDKCC6T4TFS-1BC1ZABDB	3A991B1A	8523.51.0000	1
mta9asf1g72pz-2g9e1	85.4106	RFQ	5938	Micron Technology Inc.	-	대부분	마지막으로 마지막으로			288-rdimm		mta9asf1				다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	100		DDR4 SDRAM	8GB					2933
MT36KDZS2G72PZ-1G4E1	-	RFQ	1001	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			240-rdimm						-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1140	100		DDR3L SDRAM	16GB					1333
mtfddak480tds- ~ 16abyy tr	-	RFQ	5976	Micron Technology Inc.	5300	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		사타 III			-	5V, 12V	다운로드			영향을받지 영향을받지	557-MTFDDAK480TDS-1AW16ABYYTR	쓸모없는		1		솔리드 솔리드 솔리드 드라이브 (SSD) 플래시- NAND (TLC)	480GB	2.5 "	540MB/s	410MB/s	-
MT16KSF51264HZ-1G4D1	-	RFQ	2504	Micron Technology Inc.	-	상자	쓸모없는			204-sodimm						다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	100		DDR3 SDRAM	4GB					1333
MTSD064AHC6MS-1WT	-	RFQ	6612	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C				MTSD064	-			-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8523.51.0000	120	클래스 10, uhs 클래스 1	MicroSD ™	64GB
MTEDCAE004SAJ-1N2IT	-	RFQ	7438	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			기준 기준						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	150		플래시 -Nand (SLC)	4GB					-
MT16HTF25664HY-667E1	-	RFQ	9279	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			200-sodimm						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	557-1345	귀 99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	2GB					667
MT18HVS25672PKZ-80EH2	-	RFQ	3386	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는			244-Minirdimm						-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8473.30.1140	100		DDR2 SDRAM	2GB					800

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 메모리, 카드 (2975)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²