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AL24M7218BLF8M ATP Electronics, Inc. AL24M7218BLF8M 139.3700
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL24M7218 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 10 8GB
AY24M7228BLH9S ATP Electronics, Inc. AY24M7228BLH9S 71.8200
RFQ
 ECAD 1429 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-Minirdimm AY24M7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AY48M7288BNH9M ATP Electronics, Inc. AY48M7288BNH9M 251.4603
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 204-MINIUDIMM AY48M7288 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16GB 1600
A4D04QC6BNWEME ATP Electronics, Inc. A4D04QC6BNWEME 53.2700
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 288-udimm A4D04 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-A4D04QC6BNWEME 귀 99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 4GB 3200
AQ48M72Y8DNH9T ATP Electronics, Inc. AQ48M72Y8DNH9T -
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 1282-AQ48M72Y8DNH9T 쓸모없는 1
AW48P7228BNF8M ATP Electronics, Inc. AW48P7228BNF8M 253.1256
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW48P7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16GB 1600
AW24P7228BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW24P7228BLK0MW 128.2640
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW24P7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1600
AL48M72H8BLF8M ATP Electronics, Inc. Al48M72H8BLF8M 231.0560
RFQ
 ECAD 6918 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AL48M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 10 16GB
AQ12M72X8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M72X8BLK0M 60.7544
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
A4B08QE8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B08QE8BLPBME 124.1561
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 A4B08 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AQ48M72Y8DNK0T ATP Electronics, Inc. AQ48M72Y8DNK0T -
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 1282-AQ48M72Y8DNK0T 쓸모없는 1
AW24P64F8BLK0MW ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLK0MW 117.8946
RFQ
 ECAD 5722 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 240-udimm AW24P64 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q11589789 귀 99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1600
AQ12M6418BKK0M ATP Electronics, Inc. AQ12M6418BKK0M 105.2444
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12M6418 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AZ28K72D8BJE7M ATP Electronics, Inc. AZ28K72D8BJE7M 34.7880
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 200-rdimm AZ28K72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 1GB 667
AW12P7218BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLH9S 47.6424
RFQ
 ECAD 1765 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW12P7218 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AQ12M72D8BLF8S ATP Electronics, Inc. AQ12M72D8BLF8S 46.4514
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ12M72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AL12P72A8BLH9S ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLH9S 45.8850
RFQ
 ECAD 9970 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 Al12 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AT32L7238SQB3M ATP Electronics, Inc. AT32L7238SQB3M 114.2128
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 - AT32L7238 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 256MB
AQ56P64A8BKK0S ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKK0S 32.5185
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 AQ56P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AQ56P64A8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56P64A8BKH9M 49.2765
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ56P64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
AW12P6438BLH9S ATP Electronics, Inc. AW12P6438BLH9S 42.8782
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-udimm AW12P6438 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AL12P72L8BKK0S ATP Electronics, Inc. AL12P72L8BKK0S 74.4172
RFQ
 ECAD 4713 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 기준 기준 Al12 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 4GB
AW56P7258BKH9M ATP Electronics, Inc. AW56P7258BKH9M 45.8680
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-rdimm AW56P7258 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 10 2GB
A4D04Q38BLRCME ATP Electronics, Inc. A4D04Q38BLRCME 63.9380
RFQ
 ECAD 4292 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 A4D04 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AG32L64D6SHC4M ATP Electronics, Inc. AG32L64D6SHC4M 50.0625
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 184-udimm AG32L64 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 DDR SDRAM 256MB
AW24M7228BLH9M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLH9M 121.5014
RFQ
 ECAD 4582 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 240-udimm AW24M7228 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 8GB
AY24P7298MNH9M ATP Electronics, Inc. AY24P7298MNH9M 192.4757
RFQ
 ECAD 5286 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 204-Minirdimm AY24P7298 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 200 8GB
AY12M7258BLH9M ATP Electronics, Inc. AY12M7258BLH9M 59.9125
RFQ
 ECAD 3135 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 204-Minirdimm AY12M7258 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 4GB
AQ56P72D8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKF8M 63.9812
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 대부분 활동적인 기준 기준 AQ56P72 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1140 50 2GB
A4D16QB8BNWEME ATP Electronics, Inc. A4D16QB8BNWEME 150.6300
RFQ
 ECAD 223 0.00000000 ATP Electronics, Inc. - 쟁반 활동적인 288-udimm A4D16 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1282-A4D16QB8BNWEME 귀 99 8542.32.0036 50 DDR4 SDRAM 16GB 3200
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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