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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 전류 - 출력 피크 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 펄스 펄스 왜곡 왜곡 (최대) 전압 - 공급 출력 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
HCPL0501R1V onsemi HCPL0501R1V -
RFQ
ECAD 8436 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL05 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
FODM3022R2 onsemi FODM3022R2 -
RFQ
ECAD 7536 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 MA 3750vrms 400 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 10MA -
FOD2743BSD onsemi FOD2743BSD 2.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD2743 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 70V 1.07V 5000VRMS 50% @ 1ma 100% @ 1ma - 400MV
FOD4118SDV onsemi FOD4118SDV 5.2900
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4118 CSA, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 10kV/µs 1.3ma 60µs
H11A817SD onsemi H11A817SD -
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 H11a DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A817SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
FOD4108SDV onsemi FOD4108SDV 4.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4108 CSA, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 10kV/µs 2MA 60µs
H11A817B3S onsemi H11A817B3S -
RFQ
ECAD 4906 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 H11a DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A817B3S-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
MOC8030300W onsemi MOC8030300W -
RFQ
ECAD 6566 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC803 DC 1 달링턴 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8030300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 80V 1.15V 60 MA 5300VRMS 300% @ 10ma - 3.5µs, 95µs -
FOD8163T onsemi FOD8163T 2.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) FOD8163 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 5.5V 6-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50 MA 10Mbps 20ns, 10ns 1.45V 25MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 90ns, 80ns
HCPL0600R1V onsemi HCPL0600R1V -
RFQ
ECAD 6655 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL06 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (() 50ma 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
H11A5FR2VM onsemi H11A5FR2VM -
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 30% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
TIL117TM onsemi TIL117TM -
RFQ
ECAD 4701 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) TIL117 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TIL117TM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 2µs, 2µs 30V 1.2V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - 10µs, 10µs (최대) 400MV
4N38M onsemi 4N38m 0.6100
RFQ
ECAD 449 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N38 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 80V 1.15V 80 MA 4170vrms 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 1V
HMHA2801CV onsemi HMHA2801CV -
RFQ
ECAD 2401 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) HMHA28 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
H11AA814AS onsemi H11AA814AS -
RFQ
ECAD 4907 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA814AS-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
MOC3010SR2M onsemi MOC3010SR2M 1.0900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC301 ul 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 MA 4170vrms 250 v 100µa (타이핑) 아니요 - 15MA -
FODM121FR2 onsemi FODM121FR2 -
RFQ
ECAD 9376 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
MOC8105W onsemi moc8105w -
RFQ
ECAD 3495 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8105W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 65% @ 10ma 133% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
FOD3184TSD onsemi FOD3184TSD 1.3433
RFQ
ECAD 4519 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD3184 광학 광학 링 ul 1 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 2.5A, 2.5A 3A 38ns, 24ns 1.43V 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 210ns, 210ns 65ns 15V ~ 30V
FOD2742BR1V onsemi FOD2742BR1V -
RFQ
ECAD 7876 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD274 DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 500 50ma - 70V 1.2V 2500VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
CNY17F3M onsemi CNY17F3M 0.6800
RFQ
ECAD 597 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17F DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
MOC256R2M onsemi MOC256R2M 1.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC256 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma - 30V 1.2V 60 MA 2500VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
FOD814A3SD onsemi FOD814A3SD 0.8300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
CNY172W onsemi CNY172W -
RFQ
ECAD 9469 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY172 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY172W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 100 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 2µs, 3µs 300MV
FOD4218SDV onsemi FOD4218SDV 6.2100
RFQ
ECAD 5517 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4218 Cul, Fimko, UL, vde 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 아니요 10kV/µs 1.3ma 60µs
FOD8384R2 onsemi FOD8384R2 6.6300
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.346 ", 8.80mm 너비), 5 개의 리드 FOD8384 광학 광학 링 ul 1 5-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 2.5A, 2.5A 3A 35ns, 25ns 1.43V 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 210ns, 210ns 65ns 15V ~ 30V
FOD3182 onsemi FOD3182 3.3200
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD318 광학 광학 링 ul 1 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 2.5A, 2.5A 3A 38ns, 24ns 1.43V 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 210ns, 210ns 65ns 10V ~ 30V
MOC8103 onsemi MOC8103 -
RFQ
ECAD 8704 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8103-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 10MA 10MA 173% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
H11AA1SR2VM onsemi H11AA1SR2VM 1.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11aa AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.17V 60 MA 4170vrms 20% @ 10ma - - 400MV
CNY174 onsemi CNY174 -
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY174 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 100 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2µs, 3µs 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고