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아이솔레이터 (3348)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 전류 - 출력 피크 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 펄스 펄스 왜곡 왜곡 (최대) 전압 - 공급 출력 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
FODM217CR2V onsemi FODM217CR2V 0.3099
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 온세미 FODM217 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM217 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
CNX36U300W onsemi CNX36U300W -
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNX36 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNX36U300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 80% @ 10ma 200% @ 10ma 20µs, 20µs 400MV
H11AG3 onsemi H11AG3 -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AG3-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 50 MA 5300VRMS 20% @ 1ma - 5µs, 5µs 400MV
CNY17F1VM onsemi CNY17F1VM 0.2372
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17F1 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
FODM3053V-NF098 onsemi FODM3053V-NF098 0.5607
RFQ
 ECAD 6474 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 CUR, ur, vde 1 트라이크 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 아니요 1kv/µs 5MA -
HMHAA280R4V onsemi HMHAA280R4V -
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) HMHAA28 AC, DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 3µs, 3µs 80V 1.4V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
FOD8342 onsemi FOD8342 3.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) FOD834 광학 광학 링 ur 1 6-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 2.5A, 2.5A 3A 38ns, 24ns 1.5V 25 MA 5000VRMS 20kV/µs 210ns, 210ns 65ns 10V ~ 30V
H11G2VM onsemi H11G2VM 0.5151
RFQ
 ECAD 5396 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11g2 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 MA 4170vrms 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
HCPL2631SDM onsemi HCPL2631SDM 3.1900
RFQ
 ECAD 275 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL2631 DC 2 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 25 MA 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 30ma 5000VRMS 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FODM8801AR2V onsemi FODM8801AR2V 1.7800
RFQ
 ECAD 5402 0.00000000 온세미 OptoHit ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM8801 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 30ma 5µs, 5.5µs 75V 1.35V 20 MA 3750vrms 80% @ 1ma 1MA 160% 6µs, 6µs 400MV
H11A5SM onsemi H11A5SM -
RFQ
 ECAD 6548 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 30% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
FODM214R2 onsemi FODM214R2 0.7200
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 온세미 FODM214 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM214 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 20% @ 1ma 400% @ 1ma 3µs, 3µs 400MV
H11L2W onsemi H11L2W -
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11L DC 1 오픈 오픈 - 6-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz - - 10MA 5300VRMS 1/0 - -
MCT2200300 onsemi MCT2200300 -
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.25V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
MOC8104 onsemi MOC8104 -
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8104-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 256% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
MOCD223R2M onsemi MOCD223R2M 1.5000
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MoCD223 DC 2 달링턴 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 8µs, 110µs 30V 1.25V 60 MA 2500VRMS 500% @ 1ma - 10µs, 125µs 1V
HCPL0638R1 onsemi HCPL0638R1 -
RFQ
 ECAD 6229 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL06 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 500 15 MA 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (() - 3750vrms 2/0 10kV/µs 75ns, 75ns
H11AG2W onsemi H11AG2W -
RFQ
 ECAD 7777 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AG2W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 50 MA 5300VRMS 50% @ 1ma - 5µs, 5µs 400MV
6N135M onsemi 6N135m 1.8700
RFQ
 ECAD 972 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6N135 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 6N135MFS 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 230ns, 450ns -
MCT5211TVM onsemi MCT5211TVM 0.6163
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MCT5211 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.25V 50 MA 4170vrms 150% @ 1.6ma - 14µs, 2.5µs 400MV
MOCD213R1VM onsemi MOCD213R1VM -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MoCD21 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 1.6µs, 2.2µs 70V 1.25V 60 MA 2500VRMS 100% @ 10ma - 3µs, 2.8µs 400MV
MOC8100FVM onsemi MOC8100FVM -
RFQ
 ECAD 5362 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC810 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8100FVM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 2µs, 2µs 30V 1.2V 60 MA 7500VPK 30% @ 1ma - 20µs, 20µs (최대) 500MV
MOC8020300W onsemi MOC8020300W -
RFQ
 ECAD 6903 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC802 DC 1 달링턴 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8020300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 50V 1.15V 60 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - 3.5µs, 95µs 2V
MOC3162VM onsemi MOC3162VM -
RFQ
 ECAD 5976 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC316 IEC/EN/DIN, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 MOC3162VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 MA 4170vrms 600 v 500µA (() 예 1kv/µs 10MA -
H11AA4SR2M onsemi H11AA4SR2M 1.1300
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11aa AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.17V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma - - 400MV
FOD3184V onsemi FOD3184V 3.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD3184 광학 광학 링 IEC/EN/DIN, UL 1 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 2.5A, 2.5A 3A 38ns, 24ns 1.43V 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 210ns, 210ns 65ns 15V ~ 30V
FOD852300 onsemi FOD852300 1.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) FOD852 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 150ma 100µs, 20µs 300V 1.2V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma 15000% @ 1ma - 1.2V
H11D2SR2VM onsemi H11D2SR2VM -
RFQ
 ECAD 6551 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11D DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 300V 1.15V 80 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
FOD2741CSD onsemi FOD2741CSD -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD274 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
FOD4118T onsemi FOD4118T -
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD4118 CSA, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 예 10kV/µs 1.3ma 60µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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