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아이솔레이터 (3348)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 채널 채널 전류 - 출력 피크 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 고립 고립 힘 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 펄스 펄스 왜곡 왜곡 (최대) 전압 - 공급 출력 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
FOD8482 onsemi FOD8482 2.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) FOD8482 광학 광학 링 - 1 6-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 - - 15ns, 10ns 1.4V 20 MA 5000VRMS 20kV/µs 300ns, 300ns 250ns 4.5V ~ 30V
NCV57255DR2G onsemi NCV57255DR2G 2.4672
RFQ
 ECAD 5526 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 용량 용량 커플 성 vde 2 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NCV57255DR2GTR 귀 99 8542.39.0001 2,500 3.5a, 3.5a 3.5a, 6.5a 12ns, 10ns - 2500VRMS 100kv/µs 80ns, 80ns 20ns 32V
FOD785C onsemi FOD785C 0.1590
RFQ
 ECAD 7813 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FOD785CTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 18µs, 18µs (최대) 80V 1.2V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
FOD617CW onsemi FOD617CW -
RFQ
 ECAD 7198 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD617 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.35V 50 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
NCD57080ADR2G onsemi NCD57080ADR2G 2.3800
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NCD57080 용량 용량 커플 성 - 1 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 8a, 8a 8a 13ns, 13ns - 3750vrms 100kv/µs 85ns, 85ns - 0V ~ 32V
FOD3125SD onsemi FOD3125SD 4.1100
RFQ
 ECAD 996 0.00000000 온세미 Optoplanar® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD3125 광학 광학 링 ul 1 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1.5V 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 15V ~ 30V
FODM217DR2V onsemi FODM217DR2V 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 FODM217 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM217 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 300% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
NCD57091CDWR2G onsemi NCD57091CDWR2G 3.0900
RFQ
 ECAD 985 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) NCD57091 용량 용량 커플 성 vde 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.5A, 6.5A 6.5A 13ns, 13ns - 5000VRMS 100kv/µs 90ns, 90ns 25ns 0V ~ 32V
FOD8314TR2V onsemi FOD8314TR2V 1.3649
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) FOD8314 광학 광학 링 IEC/EN/DIN, UL 1 6-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1a, 1a 1.5A 60ns, 40ns 1.5V 25 MA 5000VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 300ns 16V ~ 30V
NCP51561DADWR2G onsemi NCP51561DADWR2G 4.0700
RFQ
 ECAD 815 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 용량 용량 커플 성 CQC, UL, VDE 2 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 9a, 4.5a 4.5a, 9a 11ns, 10ns - 5000VRMS 200v/ns 58ns, 58ns 5ns 18.5V ~ 30V
FOD3150SDV onsemi FOD3150SDV 0.9090
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD3150 광학 광학 링 IEC, UL 1 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1a, 1a 1.5A 60ns, 60ns 1.5V 25 MA 5000VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 300ns 15V ~ 30V
NCIV9400 onsemi NCIV9400 6.2500
RFQ
 ECAD 9719 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) i²c, spi 용량 용량 커플 성 4 2.5V ~ 5.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NCIV9400 1,000 10Mbps 단방향 3ns, 2ns 5000VRMS 아니요 4/0 100kv/µs 200ns, 200ns 80ns
HCPL2611SM onsemi HCPL2611SM 0.7874
RFQ
 ECAD 6379 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL2611 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 50ma 5000VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
FOD3120TSR2 onsemi FOD3120TSR2 1.3059
RFQ
 ECAD 1301 0.00000000 온세미 Optoplanar® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD3120 광학 광학 링 ul 1 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 700 2A, 2A 3A 60ns, 60ns 1.5V 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 15V ~ 30V
FOD3182SV onsemi FOD3182SV 3.2600
RFQ
 ECAD 863 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD3182 광학 광학 링 ul, vde 1 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 2.5A, 2.5A 3A 38ns, 24ns 1.43V 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 210ns, 210ns 65ns 10V ~ 30V
FOD3184SDV onsemi FOD3184SDV 3.1700
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD3184 광학 광학 링 IEC/EN/DIN, UL 1 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 2.5A, 2.5A 3A 38ns, 24ns 1.43V 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 210ns, 210ns 65ns 15V ~ 30V
NCID9311 onsemi NCID9311 3.5616
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) i²c, spi NCID9311 용량 용량 커플 성 2 2.5V ~ 5.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NCID9311 귀 99 8542.39.0001 1,000 15Mbps 양방향 2.7ns, 2ns 5000VRMS 예 1/1 100kv/µs 170ns, 170ns 60ns
CNY17F1TM onsemi CNY17F1TM -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
H11L1FR2VM onsemi H11L1fr2vm -
RFQ
 ECAD 1838 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11L DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11L1FR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30ma 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
4N30SM onsemi 4N30SM 1.4000
RFQ
 ECAD 992 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N30 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 4170vrms 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
FOD8143SD onsemi FOD8143SD 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
FOD2712A onsemi FOD2712A 1.4200
RFQ
 ECAD 3831 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD2712 DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma - 30V 1.5V (최대) 2500VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
MOC211VM onsemi MOC211VM 0.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC211 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 20% @ 10ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
HCPL0501R2V onsemi HCPL0501R2V 3.1100
RFQ
 ECAD 6101 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0501 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
FODM121CR2V onsemi FODM121CR2V 0.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
74OL6010W onsemi 74OL6010W -
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 온세미 Optologic ™ 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 74OL601 논리 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 15V 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 40 MA 15MBD 50ns, 5ns - - 5300VRMS 1/0 5kV/µs 180ns, 120ns
HMA121BR4V onsemi HMA121BR4V -
RFQ
 ECAD 1815 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 400MV
FODM121CV onsemi FODM121CV -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
FODM121AR1 onsemi FODM121AR1 -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM12 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 400MV
FOD817AS onsemi FOD817AS 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-FOD817AS-OS 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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