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아이솔레이터 (3348)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 채널 채널 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 고립 고립 힘 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 펄스 펄스 왜곡 왜곡 (최대) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
NCID9400 onsemi NCID9400 3.5775
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) i²c, spi NCID9400 용량 용량 커플 성 4 2.5V ~ 5.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NCID9400 귀 99 8542.39.0001 1,000 10Mbps 단방향 3ns, 2ns 5000VRMS 아니요 4/0 100kv/µs 200ns, 200ns 80ns
6N139M onsemi 6N139m 1.3700
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6N139 DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 18V 1.3V 20 MA 5000VRMS 500% @ 1.6ma - 240ns, 1.3µs -
FOD2711AS onsemi FOD2711AS 1.7600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD2711 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
CNX38U onsemi CNX38U -
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNX38 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNX38U-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 80V 1.15V 100 MA 5300VRMS 70% @ 10ma 210% @ 10ma 20µs, 20µs 400MV
H11G2TVM onsemi H11G2TVM 0.4246
RFQ
 ECAD 6898 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11g2 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 MA 4170vrms 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
FOD2741CT onsemi FOD2741CT -
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD274 DC 1 트랜지스터 8-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.5V (최대) 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
MOC3021FR2M onsemi MOC3021FR2M -
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC302 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3021FR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 400 v 100µa (타이핑) 아니요 - 15MA -
MCT623SD onsemi MCT623SD 1.6700
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 MCT623 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma - 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA - 2.4µs, 2.4µs 400MV
H11C1300W onsemi H11C1300W -
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11C ur, vde 1 Scr 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11C1300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 200 v 300 MA - 아니요 500V/µs 20MA -
HCPL3700M onsemi HCPL3700M 5.9800
RFQ
 ECAD 519 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL3700 AC, DC 1 달링턴 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-HCPL3700M 귀 99 8541.49.8000 50 30ma 45µs, 0.5µs 20V - 5000VRMS - - 6µs, 25µs -
FOD270LT onsemi FOD270LT -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD270 DC 1 베이스와 베이스와 8-mdip 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 7V 1.35V 20 MA 5000VRMS 400% @ 500µa 7000% @ 500µa 3µs, 50µs -
4N26FR2M onsemi 4N26FR2M -
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N26 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N26FR2M-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
MOC3061FM onsemi MOC3061FM -
RFQ
 ECAD 4743 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC306 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3061FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 600 v 500µA (() 예 - 15MA -
CNY173VM onsemi CNY173VM 0.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY173 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 CNY173VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
6N139VM onsemi 6N139VM 1.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6N139 DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 18V 1.3V 20 MA 5000VRMS 500% @ 1.6ma - 240ns, 1.3µs -
MCT61SD onsemi MCT61SD 1.1300
RFQ
 ECAD 8487 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 MCT61 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma - 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA - 2.4µs, 2.4µs 400MV
4N273SD onsemi 4N273SD -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N27 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N273SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
MCT2FVM onsemi MCT2FVM -
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT2FVM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 1.5µs 30V 1.25V 60 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
MOC8101W onsemi moc8101w -
RFQ
 ECAD 2642 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8101W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
FODM121CR2 onsemi FODM121CR2 0.7700
RFQ
 ECAD 2995 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
CNY17F2SR2M onsemi CNY17F2SR2M 0.7200
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17F2 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
H11B3300 onsemi H11B3300 -
RFQ
 ECAD 6886 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11B DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11B3300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.35V 100 MA 5300VRMS 100% @ 1ma - 25µs, 18µs 1V
MOC215R2VM onsemi MOC215R2VM -
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC215 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 3µs, 3µs 30V 1.07V 60 MA 2500VRMS 20% @ 1ma - 4µs, 4µs 400MV
FOD2742BR2 onsemi FOD2742BR2 1.5900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD2742 DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma - 70V 1.2V 2500VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
H11L1M onsemi H11L1M 1.1500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11L1 DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30ma 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
MOC3073M onsemi MOC3073M 1.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC307 ul 1 트라이크 6-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.18V 60 MA 4170vrms 800 v 540µA (µ) 아니요 1kv/µs 6MA -
FOD814A3SD onsemi FOD814A3SD 0.8300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
6N136SVM onsemi 6N136SVM 2.6600
RFQ
 ECAD 764 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N136 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250ns, 260ns -
FODM3052R4V onsemi FODM3052R4V -
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
H11A4FM onsemi H11a4fm -
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A4FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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