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아이솔레이터 (3348)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
FODM121AV onsemi FODM121AV 0.2104
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 400MV
4N36 onsemi 4N36 -
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N36 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 300MV
FOD8012A onsemi FOD8012A 7.0500
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD8012 논리 2 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 10 MA 15Mbps 6.5ns, 6.5ns - - 3750vrms 1/1 20kV/µs 60ns, 60ns
HCPL2630SV onsemi HCPL2630SV 2.7900
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL2630 DC 2 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30ma 2500VRMS 2/0 10kv/µs (타이핑) 75ns, 75ns
H11L2M onsemi H11L2M 1.4500
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11L2 DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30ma 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
FOD815W onsemi FOD815W -
RFQ
 ECAD 4664 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD815 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
H11AV1AM onsemi h11av1am 0.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) h11av DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 70V 1.18V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 300% @ 10ma 15µs, 15µs (최대) 400MV
CNY17F33S onsemi CNY17F33S -
RFQ
 ECAD 2381 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY17F33S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 300MV
HMHA2801R2 onsemi HMHA2801R2 0.7500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) HMHA2801 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 80% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
HCPL0601V onsemi HCPL0601V 3.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0601 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (() 50ma 3750vrms 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
4N37FM onsemi 4N37fm -
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N37 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N37FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 300MV
CNX39U3SD onsemi CNX39U3SD -
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNX39 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNX39U3SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 60% @ 10ma 100% @ 10ma 20µs, 20µs 400MV
H11N2SM onsemi H11N2SM -
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
MOC81013S onsemi MOC81013S -
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC810 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC81013S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
MOCD217R2M onsemi MOCD217R2M 1.1500
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MoCD217 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.05V 60 MA 2500VRMS 100% @ 1ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
FOD2743BS onsemi FOD2743BS 2.1000
RFQ
 ECAD 3244 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD2743 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 70V 1.07V 5000VRMS 50% @ 1ma 100% @ 1ma - 400MV
H11AA3SR2M onsemi H11AA3SR2M -
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.17V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - - 400MV
H11D4 onsemi H11D4 -
RFQ
 ECAD 6385 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11D DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11D4-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 200V 1.15V 80 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
H11AA13SD onsemi H11AA13SD -
RFQ
 ECAD 8543 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA13SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
MOC8111TM onsemi MOC8111TM -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC811 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 2µs, 11µs 70V 1.15V 90 MA 7500VPK 20% @ 10ma - 3µs, 18µs 400MV
MCT2202 onsemi MCT2202 -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT2202-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.25V 100 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 2µs, 2µs 400MV
FOD617D3SD onsemi FOD617D3SD -
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD617 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.35V 50 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400MV
MOC206R2VM onsemi MOC206R2VM -
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC206 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
MCT5200S onsemi MCT5200S -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT5 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT5200S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 1.3µs, 16µs 30V 1.25V 50 MA 5300VRMS 75% @ 10ma - 1.6µs, 18µs 400MV
4N28TVM onsemi 4N28TVM 0.3256
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N28 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 4170vrms 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
H11D4300W onsemi H11D4300W -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11D DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11D4300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 200V 1.15V 80 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
4N29TM onsemi 4N29TM -
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N29 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 4170vrms 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
CNY17F4SVM onsemi CNY17F4SVM 0.2333
RFQ
 ECAD 5145 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17F4 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
MOC3162FR2VM onsemi MOC3162FR2VM -
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC316 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3162FR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 600 v 500µA (() 예 - 10MA -
FODM3023R1V onsemi FODM3023R1V -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 3750vrms 400 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 5MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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