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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
4N47TX TT Electronics/Optek Technology 4N47TX -
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 20µs, 20µs 40V 1.5V (최대) 40 MA 1000VDC 50% @ 1ma - - 300MV
TIL117S(TB) Everlight Electronics Co Ltd TIL117S (TB) -
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 TIL117 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 390717L121 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.32V 60 MA 5000VRMS 50% @ 10ma - 10µs, 9µs 400MV
TLP3902(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp3902 (tpl, u, f) 1.0712
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP3902 DC 1 태양 태양 6-MFSOP, 4 리드 다운로드 rohs 준수 TLP3902 (TPLUF) 귀 99 8541.49.8000 3,000 5µA - 7V 1.15V 50 MA 2500VRMS - - 600µs, 2ms -
FOD2742C onsemi FOD2742C -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FOD274 DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma - 70V 1.2V 2500VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400MV
ACPL-K370-560E Broadcom Limited ACPL-K370-560E 2.2446
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.268 ", 6.81mm 너비) ACPL-K370 AC, DC 1 달링턴 8- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma 25µs, 0.3µs 20V - 5000VRMS - - 3.7µs, 8.5µs -
HCPL-0723-560E Broadcom Limited HCPL-0723-560E 4.0492
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0723 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 10 MA 50MBD 8ns, 6ns - - 3750vrms 1/0 10kV/µs 22ns, 22ns
HMHA2801C onsemi HMHA2801C -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) HMHA28 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
CNY17-2-W00E Broadcom Limited CNY17-2-W00E 0.2103
RFQ
 ECAD 1939 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.4V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 300MV
HCPL2631WV onsemi HCPL2631WV -
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) HCPL2631 DC 2 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-mdip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30ma 2500VRMS 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
SFH615A-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-2 0.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
FOD4218SD onsemi FOD4218SD 6.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4218 Cul, Fimko, ul 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 아니요 10kV/µs 1.3ma 60µs
TLP785(Y-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (Y-LF6, f -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (Y-LF6F 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPR, SE 0.1530
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
EL1119-G Everlight Electronics Co Ltd EL1119-G -
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 EL1119 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 5-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 4µs, 3µs 400MV
EL3062S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3062S (TA) -V 0.6941
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3062 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903620012 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 280µA (() 예 1kv/µs 10MA -
VOM618A-5T Vishay Semiconductor Opto Division VOM618A-5T 0.5700
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VOM618 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs, 4µs 80V 1.1V 60 MA 3750vrms 50% @ 1ma 100% @ 1ma 7µs, 6µs 400MV
VOM617A-7T Vishay Semiconductor Opto Division VOM617A-7T 0.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VOM617 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.1V 60 MA 3750vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA 6µs, 4µs 400MV
FOD4216SV Fairchild Semiconductor FOD4216SV -
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4216 Cul, Fimko, UL, vde 1 트라이크 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 40 1.28V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 아니요 10kV/µs 1.3ma 60µs
EL817(S)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S) (TA) -
RFQ
 ECAD 4553 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
ACPL-K64L-560E Broadcom Limited ACPL-K64L-560E 6.4600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.268 ", 6.81mm 너비) ACPL-K64 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 8- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 10 MA 10MBD 12ns, 12ns 1.3V 8ma 5000VRMS 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
H11C13S onsemi H11C13S -
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11C ur, vde 1 Scr 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11C13S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 200 v 300 MA - 아니요 500V/µs 20MA -
H11AA3300W onsemi H11AA3300W -
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA3300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - - 400MV
MCT22013S onsemi MCT22013S -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCT22013S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.25V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
MOC3043M onsemi MOC3043M 1.0400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC304 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.25V 60 MA 4170vrms 400 v 400µA (() 예 1kv/µs 5MA -
CNY17F3300W onsemi CNY17F3300W -
RFQ
 ECAD 2983 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY17F3300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 100 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 300MV
EL852S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL852S1 (TA) 0.3708
RFQ
 ECAD 6392 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL852 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD - 1080-EL852S1 (TA) TR 귀 99 8541.41.0000 1,000 150ma 300µs, 100µs (최대) 350V 1.2V 60 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma 15000% @ 1ma - 1.2V
FOD815SD Fairchild Semiconductor FOD815SD 0.1800
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 27 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
SL5511300 onsemi SL5511300 -
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) SL5511 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SL5511300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.23V 100 MA 5300VRMS 25% @ 2MA - 20µs, 50µs (최대) 400MV
PS2933-1-V-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS2933-1-V-F3-AX 1.2721
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 리드 PS2933 DC 1 달링턴 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1558-2 귀 99 8541.49.8000 3,500 60ma 20µs, 5µs 350V 1.1V 50 MA 2500VRMS 400% @ 1ma 4500% @ 1ma - 1V
PC4N320YSZX Sharp Microelectronics PC4N320YSZX -
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP - rohs 비준수 1 (무제한) 425-1789-5 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 30V - 2500VRMS 500% @ 10ma - - 1V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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