SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
PS2801A-1-P-A CEL PS2801A-1-PA -
RFQ
ECAD 4411 0.00000000 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 50 30ma 5µs, 7µs 70V 1.2V 30 MA 2500VRMS 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
TCLT1107 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1107 0.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 TCLT1107 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SOP, 5 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
PC81716NSZ0F Sharp Microelectronics PC81716NSZ0F -
RFQ
ECAD 4480 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 5000VRMS 160% @ 500µa 500% @ 500µa - 200MV
ACPL-824-560E Broadcom Limited ACPL-824-560E 0.4583
RFQ
ECAD 2178 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 ACPL-824 AC, DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
3C92CTXV TT Electronics/Optek Technology 3C92CTXV -
RFQ
ECAD 5912 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 DC 1 트랜지스터 To-72-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 30ma - 50V 1.2V (최대) 50 MA 1000VDC 30% @ 10ma 200% @ 10ma 9µs, 6µs (최대) 400MV
SFH610A-4X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-4X001 1.1200
RFQ
ECAD 3386 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH610 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
PC3SD21NTZDH SHARP/Socle Technology PC3SD21NTZDH -
RFQ
ECAD 5950 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 PC3SD21 CSA, ur 1 트라이크 6-DIP - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 1kv/µs 3MA 50 대 (최대)
HCPL-0466-000E Broadcom Limited HCPL-0466-000E 3.5800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0466 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 15 MA - - 1.5V 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
PS2561AL2-1-V-E4-A CEL PS2561AL2-1-V-E4-A -
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
HCPL-063A-000E Broadcom Limited HCPL-063A-000E 7.4900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-063 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
OPIA4010ATU TT Electronics/Optek Technology opia4010atu -
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 150ma 60µs, 50µs 300V 1.2V 50 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 9000% @ 1ma - 1.5V
FOD4218SDV onsemi FOD4218SDV 6.2100
RFQ
ECAD 5517 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4218 Cul, Fimko, UL, vde 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 아니요 10kV/µs 1.3ma 60µs
EL816(S1)(B)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (B) (TB) -V -
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
EL3082M Everlight Electronics Co Ltd EL3082M -
RFQ
ECAD 8084 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL3082 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903820001 귀 99 8541.49.8000 65 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 280µA (() 600V/µs 10MA -
EL3033S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3033S (TA) -V -
RFQ
ECAD 1953 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3033 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903330112 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 250 v 100 MA 280µA (() 1kv/µs 5MA -
EL816(S1)(A)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (A) (TD) -
RFQ
ECAD 1086 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL816 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
SFH601-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-2X007 -
RFQ
ECAD 7703 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 SFH601 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 100V 1.25V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
PS2761-1-L-A CEL PS2761-1-LA -
RFQ
ECAD 9075 0.00000000 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 40ma 4µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
EL817(S1)(B)(TD) Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (B) (TD) 0.1601
RFQ
ECAD 9115 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL817 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
H11A817D300 onsemi H11A817D300 -
RFQ
ECAD 3501 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11a DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A817D300-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
PC3H7CJ0001H SHARP/Socle Technology PC3H7CJ0001H -
RFQ
ECAD 3676 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 10,500 - - - - - - - - -
MOC8106SD onsemi MOC8106SD -
RFQ
ECAD 4370 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC810 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8106SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.15V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma 150% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
H11AA1300 onsemi H11AA1300 -
RFQ
ECAD 8463 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
HMA121CR4 onsemi HMA121CR4 -
RFQ
ECAD 5668 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
PS2561DL1-1Y-H-A CEL ps2561dl1-1y-ha -
RFQ
ECAD 7291 0.00000000 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
TLP2312(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (TPL, e 1.7100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP2312 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.2V ~ 5.5V 6-5 리드 - 1 (무제한) 264-TLP2312 (tpletr 귀 99 8541.49.8000 3,000 8 MA 5Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
4N303SD onsemi 4N303SD -
RFQ
ECAD 1451 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N30 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N303SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
IL4217-X007 Vishay Semiconductor Opto Division IL4217-X007 -
RFQ
ECAD 8548 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD IL4217 BSI, CSA, CUR, FIMKO, ur 1 트라이크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.3V 60 MA 5300VRMS 700 v 300 MA 200µA 아니요 10kV/µs 700µA (() -
H11A617B300W onsemi H11A617B300W -
RFQ
ECAD 3569 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.35V 50 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 400MV
HCPL0534R2 onsemi HCPL0534R2 2.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0534 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고