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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
TLP124(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 8µs, 8µs 80V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs, 8µs 400MV
EL814S(A)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL814S (A) (TA) -
RFQ
 ECAD 3810 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C120000010 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 7µs, 11µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
SFH618A-4 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-4 1.1200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH618 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 60 MA 5300VRMS 1MA 160% 320% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
MOC8021SD onsemi MOC8021SD -
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC802 DC 1 달링턴 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8021SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 50V 1.15V 60 MA 5300VRMS 1000 @ 10ma - 3.5µs, 95µs 2V
PS2581L2-W-A CEL PS2581L2-WA -
RFQ
 ECAD 2366 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300MV
PS2841-4B-AX CEL PS2841-4B-AX -
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 12-BSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 4 트랜지스터 12-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS28414BAX 귀 99 8541.49.8000 20 20MA 20µs, 110µs 70V 1.1V 20 MA 1500VRMS 100% @ 1ma 400% @ 1ma - 300MV
ACPL-5701L-300 Broadcom Limited ACPL-5701L-300 105.3161
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-CSMD, m 날개 ACPL-5701 DC 1 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
EL1118(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL1118 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 7477 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 EL1118 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 5-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA 4µs, 3µs 400MV
PS2501L-1-E3-K-A CEL PS2501L-1-E3-KA -
RFQ
 ECAD 5972 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2501 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 300MV
VO4258M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4258M-X007T 1.4021
RFQ
 ECAD 1624 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 VO4258 BSI, CUR, FIMKO, ur 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 800 v 300 MA - 아니요 5kV/µs 3MA -
PS2861B-1Y-V-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2861B-1Y-V-F3-A 1.6000
RFQ
 ECAD 4068 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) PS2861 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 50ma 4µs, 5µs 70V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
H11A5 Everlight Electronics Co Ltd H11A5 -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) h11 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 30% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
MOC3052SVM onsemi MOC3052SVM 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC305 ur, vde 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3052SVM-NDR 귀 99 8541.49.8000 50 1.18V 60 MA 4170vrms 600 v 220µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
5962-0822702HXA Broadcom Limited 5962-0822702HXA 123.8777
RFQ
 ECAD 6726 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 5962-0822702 DC 2 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs -
QTM3033T1 QT Brightek (QTB) QTM3033T1 1.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 QT Brightek (QTB) QTM303X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 QTM3033 ul, vde 1 트라이크 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.5V (최대) 60 MA 3750vrms 250 v 250µA 예 1kv/µs 5MA -
HWXX58436SS1BS21 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX58436SS1BS21 -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Vishay to Opto Division - 대부분 쓸모없는 hwxx5 - 751-HWXX58436SS1BS21 쓸모없는 1,000
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (Costpluc, f -
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP190 DC 1 태양 태양 6-MFSOP, 4 리드 다운로드 264-TLP190B (CostPlucf 귀 99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 MA 2500VRMS - - 200µs, 1ms -
TLP2766F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F (F) -
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP2766 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 6-Sdip Gull Wing 다운로드 264-TLP2766F (F) 귀 99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns, 15ns 1.55V 25MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
PS9814-1-F4-A CEL PS9814-1-F4-A -
RFQ
 ECAD 6172 0.00000000 셀 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,500 25 MA 10Mbps 20ns, 10ns 1.65V 20MA 2500VRMS 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
H11A1300 onsemi H11A1300 -
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
VO615A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-1X001 0.4700
RFQ
 ECAD 2435 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) VO615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
TLP2630(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp2630 (mat, f) -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP2630 - 1 (무제한) 264-TLP2630 (MATF) 귀 99 8541.49.8000 50
FOD617AW onsemi fod617aw -
RFQ
 ECAD 6276 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD617 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.35V 50 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 400MV
HCPL-0466 Broadcom Limited HCPL-0466 2.9379
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0466 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 키가 8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 15 MA - - 1.5V 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
8237720000 Weidmüller 8237720000 -
RFQ
 ECAD 3907 0.00000000 Weidmüller - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 50 ° C DIN 레일 기준 기준 DC 1 트랜지스터 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 500ma - 24V - - - - - -
TLP265J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4-TPL, e 0.8400
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP265 CQC, CUR, UR, VDE 1 트라이크 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 MA 3750vrms 600 v 70 MA 1MA (유형) 아니요 500V/µS (타이핑) 10MA 20µs
SFH615AA-X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AA-X007 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma - 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 2µs, 25µs 400MV
4N26-V Everlight Electronics Co Ltd 4N26-v -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907172606 귀 99 8541.49.8000 65 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 3µs 500MV
ACSL-6210-00R Broadcom Limited ACSL-6210-00R -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ACSL-6210 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 5.5V 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50 MA 15MBD 30ns, 12ns 1.52V 15MA 2500VRMS 1/1 10kV/µs 100ns, 100ns
PS2381-1Y-L-AX CEL PS2381-1Y-L-AX -
RFQ
 ECAD 2180 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 115 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-LSOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ps23811ylax 귀 99 8541.49.8000 400 50ma 4µs, 5µs 80V 1.1V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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