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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
EL815(S1)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd EL815 (S1) (TD) -V -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL815 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
H11A3SD onsemi H11A3SD -
RFQ
 ECAD 1982 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A3SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GBTPR, e 1.2300
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP293 DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
VO610A-2 Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-2 0.4300
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) VO610 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
ACSL-6400-56TE Broadcom Limited ACSL-6400-56TE 4.3631
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ACSL-6400 DC 4 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 5.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 15MBD 30ns, 12ns 1.52V 15MA 2500VRMS 4/0 10kV/µs 100ns, 100ns
TLP2761(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (D4, e 1.1800
RFQ
 ECAD 3928 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP2761 AC, DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP2761 (D4E 귀 99 8541.49.8000 125 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
EL3063S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3063S1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3063 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903630115 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 280µA (() 예 1kv/µs 5MA -
TLP781F(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f (bll, f) -
RFQ
 ECAD 8371 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (BLLF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
PS2521L-1-E3-A CEL PS2521L-1-E3-A -
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.3V 150 MA 5000VRMS 20% @ 100ma 80% @ 100ma - 300MV
VOS618A-X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS618A-X001T 0.6200
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) VOS618 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs, 7µs 80V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 1ma 600% @ 1ma 5µs, 8µs 400MV
HCPL-4701-300E Broadcom Limited HCPL-4701-300E 4.2900
RFQ
 ECAD 6411 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-4701 DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 18V 1.25V 10 MA 3750vrms 600% @ 500µa 8000% @ 500µa 3µs, 34µs -
PS2802-1-F3-K-A Renesas Electronics America Inc PS2802-1-F3-KA -
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) PS2802 DC 1 달링턴 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1502-2 귀 99 8541.49.8000 3,500 90ma 200µs, 200µs 40V 1.1V 50 MA 2500VRMS 2000% @ 1ma - - 1V
5962-9800201KEA Broadcom Limited 5962-9800201KEA 662.5550
RFQ
 ECAD 9482 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-9800201 DC 4 달링턴 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
TCLT1000 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1000 0.7200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TCLT1000 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
TLP3063SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3063SCF -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 TLP3063 BSI, Semko, ur 1 트라이크 6-DIP (컷), 5 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 600µA (() 예 200V/µs 5MA -
HCPL-4731-500E Broadcom Limited HCPL-4731-500E 6.9500
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-4731 DC 2 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 18V 1.25V 10 MA 3750vrms 600% @ 500µa 8000% @ 500µa 3µs, 34µs -
FOD617DW onsemi FOD617DW -
RFQ
 ECAD 1137 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD617 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.35V 50 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400MV
HCPL-061A#060 Broadcom Limited HCPL-061A#060 -
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
PS9817-1-F3-A CEL PS9817-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 셀 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 PS9817-1tr 귀 99 8541.49.8000 1,500 25 MA 10Mbps 20ns, 5ns 1.65V 20MA 2500VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
PS2861B-1Y-A CEL PS2861B-1Y-A -
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 셀 NEPOC 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS2861B1YA 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 5µs 70V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
VO615A-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-3X017T 0.4700
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VO615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
EL216(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL216 (TA) -
RFQ
 ECAD 4689 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL216 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C110000103 귀 99 8541.49.8000 2,000 - 1.6µs, 2.2µs 80V 1.3V 60 MA 3750vrms 50% @ 1ma - 3µs, 3µs 400MV
HCPL-J454-500E Broadcom Limited HCPL-J454-500E 1.3714
RFQ
 ECAD 2582 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-J454 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.59V 25 MA 3750vrms 19% @ 16ma 60% @ 16ma 500ns, 800ns -
TLP321-2 Isocom Components 2004 LTD TLP321-2 0.2616
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 58-TLP321-2 귀 99 8541.49.8000 50 - 2µs, 3µs - 1.15V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
74OL6000S onsemi 74OL6000 -
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 온세미 Optologic ™ 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 74OL600 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 40 MA 15MBD 45ns, 5ns - - 5300VRMS 1/0 5kV/µs 100ns, 100ns
VO4156M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4156M-X007T 1.1472
RFQ
 ECAD 2427 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 VO4156 CUR, ur 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 600 v 300 MA 500µA 예 5kV/µs 3MA -
SFH6702-X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6702-X007 -
RFQ
 ECAD 6075 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 SFH6702 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 15V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 25 MA 5MBD 40ns, 10ns 1.6V 10MA 5300VRMS 1/0 1kv/µs 300ns, 300ns
PS2801A-4-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2801A-4-F3-A 1.3920
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) PS2801 DC 4 트랜지스터 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1492-2 귀 99 8541.49.8000 2,500 30ma 5µs, 7µs 70V 1.2V 30 MA 2500VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
IL420-X008T Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X008T -
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD IL420 CQC, CSA, CUR, ur 1 트라이크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.16V 60 MA 5300VRMS 600 v 300 MA 500µA 아니요 10kV/µs 2MA 35µs
H11AA814AW onsemi H11AA814AW -
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11a AC, DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA814AW-NDR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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