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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
HMA121V Fairchild Semiconductor HMA121V 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 3,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
FOD2200SV onsemi FOD2200SV -
RFQ
 ECAD 1776 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD220 DC 1 트라이 트라이 4.5V ~ 20V 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 25 MA 2.5MBD 80ns, 25ns 1.4V 10MA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 300ns, 300ns
PC81713NIP1H Sharp Microelectronics PC81713NIP1H -
RFQ
 ECAD 7049 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 5000VRMS - - - 200MV
4N27SM onsemi 4N27SM 0.6700
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N27 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N27SM-NDR 귀 99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 MA 4170vrms 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
PS2581L2-W-A Renesas Electronics America Inc PS2581L2-WA -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2581 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1412 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300MV
PS2701-1-F3-M-A Renesas PS2701-1-F3-MA -
RFQ
 ECAD 5853 0.00000000 Renesas - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP - 2156-PS2701-1-F3-MA 1 80ma 3µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 300MV
4N29S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd 4N29S1 (TA) -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907150006 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 5µs, 40µs (최대) 1V
CNY17F3VM onsemi CNY17F3VM 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17F3 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
MOC8104300 onsemi MOC8104300 -
RFQ
 ECAD 6943 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOC810 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8104300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 256% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
CNY17F-3 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3 0.6800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17F DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TCLT1109 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1109 0.7300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 TCLT1109 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SOP, 5 5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4.7µs 80V 1.25V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
PS2701-1-F3-P-A CEL PS2701-1-F3-PA -
RFQ
 ECAD 4585 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 80ma 3µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
FODM8801BR2 onsemi FODM8801BR2 1.7400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 온세미 OptoHit ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FODM8801 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 30ma 5µs, 5.5µs 75V 1.35V 20 MA 3750vrms 1MA 130% 260% @ 1ma 6µs, 6µs 400MV
FODB102 onsemi FODB102 -
RFQ
 ECAD 1479 0.00000000 온세미 마이크로 마이크로 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-tebga FODB10 DC 1 트랜지스터 4-BGA (3.5x3.5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 1µs, 5µs 75V 1.5V (최대) 30 MA 2500VRMS 100% @ 1ma - 3µs, 5µs 400MV
HCPL-261N-300E Broadcom Limited HCPL-261N-300E 1.5819
RFQ
 ECAD 9353 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-261 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
ACPL-824-300E Broadcom Limited ACPL-824-300E 0.4272
RFQ
 ECAD 3905 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 ACPL-824 AC, DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
5962-9685201HPA Broadcom Limited 5962-9685201HPA 113.5127
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-9685201 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 15 MA - - 1.5V 25MA 1500VDC 1/0 10kv/µs (타이핑) 750ns, 500ns
H11AA3SR2VM onsemi H11AA3SR2VM -
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.17V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - - 400MV
FODM452V onsemi FODM452V 0.8406
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ FODM452 DC 1 트랜지스터 5- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 8ma - 20V 1.6V 25 MA 3750vrms 20% @ 16ma 50% @ 16ma 400ns, 350ns -
MOC3063S Lite-On Inc. MOC3063S 0.7100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Lite-On Inc. moc306x 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC306 CSA, Fimko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 1.2V 50 MA 5000VRMS 600 v 400µA (() 예 1kv/µs 5MA -
PC4H520NIP Sharp Microelectronics PC4H520NIP -
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 달링턴 4- 미니 플랫 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 120ma 100µs, 20µs 350V 1.2V 50 MA 2500VRMS 1000% @ 1ma - - 1.4V
TLP168J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP168J (U, C, F) -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP168 ur 1 트라이크 6-MFSOP, 4 리드 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 150 1.4V 20 MA 2500VRMS 600 v 70 MA 600µA (() 예 200V/µs 3MA -
VO615A-5X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-5X016 0.1167
RFQ
 ECAD 8213 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) VO615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 150% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
MOC3021SR2VM Fairchild Semiconductor MOC3021SR2VM 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC302 IEC/EN/DIN, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 855 1.15V 60 MA 4170vrms 400 v 100µa (타이핑) 아니요 - 15MA -
5962-8876901PC Broadcom Limited 5962-8876901pc 185.4867
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-8876901 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 15 MA 5MBD 45ns, 10ns 1.3V 8ma 1500VDC 2/0 1kv/µs 350ns, 350ns
OPI120TX TT Electronics/Optek Technology opi120tx -
RFQ
 ECAD 5964 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 축 -5 리드 DC 1 트랜지스터 축 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 8µs, 8µs 30V 1.4V 100 MA 15000VDC 20% @ 10ma - - 300MV
H11F1 onsemi H11F1 -
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11F DC 1 MOSFET 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 MA 5300VRMS - - 25µs, 25µs (최대) -
H11G1W onsemi H11G1W -
RFQ
 ECAD 3524 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11g DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11G1W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 MA 5300VRMS 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
LTV-217-TP1-C-G Lite-On Inc. LTV-217-TP1-CG 0.1383
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-2x7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) LTV-217 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HCPL-J456#300 Broadcom Limited HCPL-J456#300 -
RFQ
 ECAD 1961 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 15 MA - - 1.6V 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 480ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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